造價(jià)通
更新時(shí)間：2025.04.12
摻硼金剛石厚膜電極污水處理實(shí)驗(yàn)研究

格式：pdf

大?。?span class="single-tag-height">569KB

頁數(shù)： 4頁

在EACVD(electron-assisted hot filament chemical vapor deposition)金剛石膜沉積系統(tǒng)上制備出了摻硼金剛石厚膜電極,采用循環(huán)伏安法研究了摻硼金剛石厚膜電極和IrO2/Ta2O5鈦涂層電極電化學(xué)性能的差別,結(jié)果表明摻硼金剛石厚膜電極具有比IrO2/Ta2O5鈦涂層電極更寬的電勢窗口(約3.4 V)和更低的背景電流(接近于零)。用所制備的摻硼金剛石厚膜電極和IrO2/Ta2O5鈦涂層電極對(duì)比處理高濃度難降解污水,通過測定污水處理過程中化學(xué)需氧量(chemical oxygen demand,COD)的變化、觀察污水處理過程中顏色的變化、處理前后兩電極的SEM照片研究了摻硼金剛石厚膜電極在污水處理中的應(yīng)用,試驗(yàn)表明摻硼金剛石厚膜電極比IrO2/Ta2O5鈦涂層電極處理污水效率更高、處理高濃度難降解污染物的能力更強(qiáng),電極更加穩(wěn)定、耐腐蝕性更好,是一種很有應(yīng)用前景的電極。

多功能絮凝浮沉水處理實(shí)驗(yàn)裝置設(shè)計(jì)

格式：pdf

大?。?span class="single-tag-height">544KB

頁數(shù)：

針對(duì)傳統(tǒng)絮凝、氣浮和沉淀實(shí)驗(yàn)裝置的缺陷,設(shè)計(jì)一種多功能水處理實(shí)驗(yàn)裝置。與傳統(tǒng)裝置相比,該裝置中絮凝區(qū)可以在往復(fù)式隔板絮凝區(qū)、折板平板組合絮凝區(qū)和機(jī)械絮凝區(qū)之間轉(zhuǎn)換,氣浮沉淀區(qū)可以在浮沉區(qū)、沉淀區(qū)和氣浮區(qū)之間轉(zhuǎn)換。絮凝區(qū)中隔板能夠任意改變間距,氣浮沉淀區(qū)中斜板與水平面的夾角可在20°～160°之間變化,斜板之間的水平間距也可以改變。該實(shí)驗(yàn)裝置能夠適用多種水質(zhì)的處理,大大縮小了實(shí)驗(yàn)設(shè)備占據(jù)的空間,能夠提高學(xué)生綜合創(chuàng)新能力。

熱門知識(shí)

污水處理實(shí)驗(yàn)裝置

最新知識(shí)

污水處理實(shí)驗(yàn)裝置
點(diǎn)擊加載更多>>

相關(guān)問答

污水處理實(shí)驗(yàn)裝置
點(diǎn)擊加載更多>>
專題概述
污水處理實(shí)驗(yàn)裝置相關(guān)專題

分類檢索：