超低功耗同步圖像傳感壓縮芯片設(shè)計理論研究基本信息

中文名 超低功耗同步圖像傳感壓縮芯片設(shè)計理論研究 項(xiàng)目類別 青年科學(xué)基金項(xiàng)目
項(xiàng)目負(fù)責(zé)人 徐江濤 依托單位 天津大學(xué)

圖像信息傳感無線化趨勢日益明顯,功耗是其發(fā)展的主要瓶頸。傳統(tǒng)CMOS圖像傳感和信號處理架構(gòu)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不能滿足要求,這對超低功耗圖像傳感芯片設(shè)計理論研究提出了迫切需求。本項(xiàng)目主要研究同步實(shí)現(xiàn)CMOS圖像信息采集與數(shù)據(jù)壓縮處理的理論與技術(shù):研究同步實(shí)現(xiàn)圖像采集和離散余弦變換理論,以非均勻方式配置像素陣列,在余弦函數(shù)值為±1的點(diǎn)進(jìn)行圖像信息的采集,消除后續(xù)壓縮中的浮點(diǎn)乘法以大幅降低功耗;研究低功耗像素級模數(shù)轉(zhuǎn)換理論與技術(shù),在模數(shù)轉(zhuǎn)換過程中通過預(yù)先設(shè)定的參考電壓和時序信號編碼同步實(shí)現(xiàn)卷積、插值和離散余弦變換等算法,消除后續(xù)處理中的浮點(diǎn)乘法以大幅降度功耗;研究圖像傳感器自適應(yīng)讀出理論和技術(shù),僅針對聚焦目標(biāo)采用高精度和高分辨率信息采集,降低背景圖像部分的數(shù)據(jù)處理量以降低系統(tǒng)功耗。研究成果可為超低功耗無線圖像傳感器芯片設(shè)計提供可行性理論指導(dǎo)和技術(shù)方案,并廣泛應(yīng)用于便攜攝像、監(jiān)控、醫(yī)療和軍事等領(lǐng)域。 2100433B

超低功耗同步圖像傳感壓縮芯片設(shè)計理論研究造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
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行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
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低功耗防爆電磁閥 5.0W產(chǎn)品類別:二位二通常開型;價差說明:進(jìn)口;工作原理:直動式;電壓:6-277V交直流任選;通徑:1/32";閥體材質(zhì):不銹鋼;防爆、壓力范圍(PSI):700.0;規(guī)格:EW51G8×CCP; 查看價格 查看價格

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低功耗防爆電磁閥 5.0W產(chǎn)品類別:二位二通常開型;價差說明:進(jìn)口;工作原理:直動式;電壓:6-277V交直流任選;通徑:3/64";閥體材質(zhì):不銹鋼;防爆、壓力范圍(PSI):500.0;規(guī)格:EW51H8×CCP; 查看價格 查看價格

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低功耗防爆電磁閥 5.0W產(chǎn)品類別:二位二通常開型;價差說明:進(jìn)口;工作原理:直動式;電壓:6-277V交直流任選;通徑:5/64";閥體材質(zhì):不銹鋼;防爆、壓力范圍(PSI):135.0;規(guī)格:EW51V8×CCP; 查看價格 查看價格

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低功耗防爆電磁閥 5.0W產(chǎn)品類別:二位二通常開型;價差說明:進(jìn)口;工作原理:直動式;電壓:6-277V交直流任選;通徑:3/32";閥體材質(zhì):不銹鋼;防爆、壓力范圍(PSI):100.0;規(guī)格:EW51K8×CCP; 查看價格 查看價格

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施耐德

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價
含稅
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行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
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供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
低功耗內(nèi)存 產(chǎn)品號:604500-B21 HP 4GB 1Rx4 PC3L-10600R-9 Kit|9877套 1 查看價格 廣州思遨信息科技有限公司 廣東  廣州市 2015-05-16
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批準(zhǔn)號

60806010

項(xiàng)目名稱

超低功耗同步圖像傳感壓縮芯片設(shè)計理論研究

項(xiàng)目類別

青年科學(xué)基金項(xiàng)目

申請代碼

F0402

項(xiàng)目負(fù)責(zé)人

徐江濤

負(fù)責(zé)人職稱

教授

依托單位

天津大學(xué)

研究期限

2009-01-01 至 2011-12-31

支持經(jīng)費(fèi)

20(萬元)

超低功耗同步圖像傳感壓縮芯片設(shè)計理論研究常見問題

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    電壓基準(zhǔn)芯片參數(shù)解析 安肯(北京)微電子即將推出的ICN25XX系列電壓基準(zhǔn),是一系列高精度,低功耗的串聯(lián)型電壓基準(zhǔn),采用小尺寸的SOT23-3封裝,提供1.25V、2.048V、2.5V、3.0V...

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超低功耗同步圖像傳感壓縮芯片設(shè)計理論研究文獻(xiàn)

面向普適醫(yī)療的低功耗醫(yī)學(xué)集成電路芯片設(shè)計 面向普適醫(yī)療的低功耗醫(yī)學(xué)集成電路芯片設(shè)計

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評分: 4.8

1工作背景——科學(xué)含義、研究現(xiàn)狀、需求分析等系統(tǒng)芯片(system-on-chip)設(shè)計在國內(nèi)外得到了越來越多的重視。所謂系統(tǒng)芯片,即將盡可能多的集成電路知識產(chǎn)權(quán)(IP)模塊集成到一片單硅片上。

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無線傳感網(wǎng)射頻芯片中4.8GHz低功耗壓控振蕩器設(shè)計 無線傳感網(wǎng)射頻芯片中4.8GHz低功耗壓控振蕩器設(shè)計

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評分: 4.7

為滿足無線傳感網(wǎng)射頻收發(fā)芯片中頻率綜合器的應(yīng)用需求,采用TSMC 0.18μm RF CMOS工藝設(shè)計并實(shí)現(xiàn)了一個4.8 GHz低功耗LC壓控振蕩器.電路核心采用電流源偏置的互補(bǔ)差分負(fù)阻LC振蕩器結(jié)構(gòu)以及3 bit開關(guān)電容陣列,輸出采用共源級緩沖.給出了電路設(shè)計,對噪聲抑制進(jìn)行了分析,并在Cadence環(huán)境下完成了版圖設(shè)計,版圖面積為700μm×900μm.在電源電壓為1.8V條件下進(jìn)行了后仿真,并采用2組SSGSS及1組三針直流探針完成了流片驗(yàn)證和芯片測試.結(jié)果表明:電路的后仿真調(diào)諧范圍大于25%,能夠有效地補(bǔ)償工藝角偏差;在載波頻率為4.8 GHz處,后仿真相位噪聲為-126.8 dBc/Hz@3 MHz.實(shí)際測試中,電路的調(diào)諧范圍為24%,在應(yīng)用要求的3 MHz頻偏處,相位噪聲達(dá)到-121.12 dBc/Hz,核心電路工作電流僅為2 mA.

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將壓縮感知技術(shù)引入CMOS圖像傳感器中,在傳感器像素陣列級實(shí)現(xiàn)冗余信息的集成壓縮,提高圖像轉(zhuǎn)換速度并降低系統(tǒng)功耗。本項(xiàng)目基于壓縮感知理論,主要研究了在圖像傳感過程中消減冗余數(shù)據(jù)的CMOS 圖像傳感器設(shè)計理論和方法,研究了數(shù)字降噪和頻域冗余數(shù)據(jù)壓縮的方法,研究了一種適用于時間延時積分電荷域累加型耦合式轉(zhuǎn)移輸出的機(jī)制,研究了解碼式3D堆疊結(jié)構(gòu)等模式提高像素存儲穩(wěn)定度和準(zhǔn)確度,研究了可應(yīng)用于圖像傳感器的高精度Cyclic ADC?;趬嚎s感知架構(gòu)重點(diǎn)研究了面向 SOPC 實(shí)現(xiàn)的快速圖像融合技術(shù),研究了基于相似特征三角形的圖像配準(zhǔn)算法,研究了圖像分類的降維處理算法,以及圖像去噪、圖像濾波、圖像編解碼等相關(guān)應(yīng)用于壓縮感知圖像處理算法。最終建立一套基于壓縮感知的新型CMOS 圖像傳感器理論和方法模型,完成核心圖像信息壓縮處理算法及實(shí)現(xiàn)電路的建模、分析和優(yōu)化,在電路精度、功耗和面積占用實(shí)現(xiàn)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)CIS高性能傳感成像和高效率數(shù)據(jù)輸出處理。

圖像傳感技術(shù)固態(tài)圖像傳感器

固態(tài)圖像傳感器是利用光敏元件的光電轉(zhuǎn)換功能將投射到光敏單元上的光學(xué)圖像轉(zhuǎn)換成電信號“圖像”,即將光強(qiáng)的空間分布轉(zhuǎn)換為與光強(qiáng)成比例的電荷包空間分布,然后利用移位寄存器功能將這些電荷包在時鐘脈沖控制實(shí)現(xiàn)讀取與輸出,形成一系列幅值不等的時鐘脈沖序列,完成光圖像的電轉(zhuǎn)換。

1.1 固態(tài)圖像傳感器的特點(diǎn)

固態(tài)圖像傳感器是在同一半導(dǎo)體襯底上布設(shè)光敏元件陣列和電荷轉(zhuǎn)移器件而構(gòu)成的集成化、功能化的光電器件,其核心是電荷轉(zhuǎn)移器件(Charge Transfer Device,CTD),包括電荷耦合器件(Charge Coupled Device,CCD)、電荷注入器件(Charge Injected Device,CID)、金屬氧化物半導(dǎo)體器件等,最常用的是CCD。自1970年問世以后,CCD圖像傳感器以它的低噪聲、易集成等特點(diǎn),已廣泛應(yīng)用于微光電視攝像、信息存儲和信息處理等眾多領(lǐng)域。

圖1給出了光導(dǎo)攝像管與固態(tài)圖像傳感器的基本結(jié)構(gòu),其中(a)為光導(dǎo)攝像管,(b)為固態(tài)圖像傳感器。

與光導(dǎo)攝像管相比,固態(tài)圖像傳感器再生圖像失真度極小,因此,非常適合測試技術(shù)及圖像識別技術(shù)。此外,固態(tài)圖像傳感器還具有體積小、重量輕、堅固耐用、抗沖擊、抗振動、抗電磁干擾能力強(qiáng)以及耗電少等許多優(yōu)點(diǎn)。又因?yàn)楣虘B(tài)圖像傳感器所用的敏感元件易于批量生產(chǎn),所以固態(tài)圖像傳感器的成本較低。

固態(tài)圖像傳感器也有不足之處,例如分辨率和圖像質(zhì)量都不如光導(dǎo)攝像管。此外,固態(tài)圖像傳感器的光譜響應(yīng)通常只能限定在0.4~1.2μm(可見光與近紅外光)范圍內(nèi),應(yīng)用有一定的局限性。

1.2 固態(tài)圖像傳感器分類

固態(tài)圖像傳感器一般都包括光敏單元和電荷寄存器兩個主要部分。根據(jù)光敏元件排列形式不同,固態(tài)圖像傳感器可分為線形和面型兩種。根據(jù)所用的敏感器件不同,又可分為CCD、MOS線型傳感器以及CCD、CID、MOS陣列式面型傳感器等。

1.2.1線型圖像傳感器

線型固態(tài)傳感器有4種類型,分別為:

l MOS式,以光電二極管構(gòu)成,如圖2(a)所示;

l 光積蓄式,采用CCD元件構(gòu)成,如圖2(b)所示;

l 分離式,即光敏單元與電荷寄存器分離,采用CCD元件構(gòu)成,如圖2(c)所示;

l 光敏單元兩側(cè)放置電荷寄存器的雙讀出式,采用CCD元件,如圖2(d)所示。

其中,雙讀出式器件是線型固態(tài)圖像傳感器的主要形式。

1.2.2面型圖像傳感器

固態(tài)面型圖像傳感器主要有4種類型:

l X-Y選址式,由MOS或CID器件構(gòu)成,如圖3(a)所示;

l 行選址式,由CCD器件構(gòu)成,如圖3(b)所示;

l 幀場傳輸式,由CCD器件構(gòu)成,如圖3(c)所示;

l 行間傳輸式,由CCD器件構(gòu)成,如圖3(d)所示。

上述面型圖像傳感器中,基于MOS元件的X-Y選址式傳感器最早出現(xiàn)。因圖像質(zhì)量不佳,MOS型傳感器正在被CID型X-Y選址式圖像傳感器取代。幀場傳輸式和行間傳輸式是比較實(shí)用的面型圖像傳感器。

目前,面型CCD圖像傳感器使用得越來越多,產(chǎn)品的單元數(shù)也越來越多。無論面型或是線型,CCD圖像傳感器都是當(dāng)今圖像探測技術(shù)的主流。

將壓縮感知技術(shù)引入CMOS圖像傳感器中,可以在圖像光電轉(zhuǎn)換之后,直接對信號進(jìn)行壓縮采樣,將信號采集和壓縮同時進(jìn)行,可以有效減少輸入數(shù)據(jù)量,提高轉(zhuǎn)換速度并降低系統(tǒng)功耗。利用CMOS 工藝特征尺寸縮小等新技術(shù)工藝,結(jié)合現(xiàn)代信息處理和壓縮理論,可以在傳感器像素陣列級實(shí)現(xiàn)冗余信息的集成壓縮。本項(xiàng)目基于壓縮感知理論,研究在圖像傳感過程中消減冗余數(shù)據(jù)的CIS設(shè)計理論,研究像素級數(shù)字降噪和頻域冗余數(shù)據(jù)壓縮的方法,借鑒存儲陣列冗余糾錯編碼等模式提高像素存儲穩(wěn)定度和準(zhǔn)確度,結(jié)合運(yùn)動估計進(jìn)行幀差時域冗余信息消除。最終建立一套基于壓縮感知的新型CMOS 圖像傳感器理論和方法模型,完成核心像素圖像信息壓縮處理電路的建模、分析和優(yōu)化,在電路精度、功耗和面積占用實(shí)現(xiàn)優(yōu)化,實(shí)現(xiàn)CIS高性能傳感成像和高效率數(shù)據(jù)輸出處理。研究成果為小尺寸工藝下新一代高智能化CMOS 圖像傳感器芯片設(shè)計提供可行性理論指導(dǎo)和技術(shù)方法,并廣泛應(yīng)用于圖像信息采集系統(tǒng)。

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