復(fù)合開關(guān)

1. 工作環(huán)境條件環(huán)境溫度：-20℃～ 45℃；

相對濕度：40℃時(shí)，20%～90%；

2. 額定電壓、工作電源及額定電流額定工作電壓：380V（共補(bǔ)）/220V（分補(bǔ)）三相四線交流50HZ;

允許偏差：三相電壓同步變化不大于±20%;

波形為正弦波，失真度小于5%;

額定頻率：50HZ±5%;

額定電流：24/30/38/45/60A。

3. 主要技術(shù)指標(biāo)：　使用壽命：50萬次

相 數(shù)：三相(△型接法)；單相(Y型接法)

控制容量：三相共補(bǔ)電容器組容量：≤16/20/25/30/40Kvar

分相補(bǔ)償三相電容器組總?cè)萘浚骸?6/20/25/30/40Kvar

功 耗：≤2W

接點(diǎn)耐壓：≥2000V

響應(yīng)時(shí)間：≤60ms

連續(xù)兩次接通間隔：≥15秒

復(fù)合開關(guān)等低壓電容器投切開關(guān)由簡單粗獷到理性精細(xì)經(jīng)歷了4個(gè)發(fā)展階段：

（一）交流接觸器：最先應(yīng)用于低壓電容器投切的開關(guān)是交流接觸器，這是一種傳統(tǒng)的電容器投切方式，由于三相交流電的相位互成120°，對交流接觸器投切控制，理論上不存在最佳操作相位點(diǎn)（即投切瞬時(shí)不可選擇性），使得它投入或切除電網(wǎng)時(shí)，要產(chǎn)生一個(gè)暫態(tài)的過渡過程，又因電容器是電壓不能瞬變的器件，并聯(lián)電容器由交流接觸器投切電網(wǎng)時(shí)，由于其相位點(diǎn)是隨機(jī)的，所以會產(chǎn)生幅值很大、頻率很高的浪涌電流（涌流最大時(shí)可能超過100倍電容器額定電流）。涌流不僅會對電網(wǎng)產(chǎn)生不利的干擾，對交流接觸器易產(chǎn)生電弧、易燒損觸頭，而且涌流、過電壓會加速電容器的失效，減少電容器的使用壽命，甚至爆炸，所以采用交流接觸器的投切方式諧波污染大、維護(hù)成本高、不適于頻繁操作。為了改善這些缺陷，出現(xiàn)了所謂投切電容器專用接觸器，就是在接觸器的主觸頭處并以帶電阻的輔助觸頭，在合閘時(shí)先合上輔助觸頭，然后再合上主觸頭，以此減低浪涌電流；而分閘時(shí)時(shí)序恰好相反，先分主觸頭，而后再分輔助觸頭，以此減輕電弧對觸頭的燒損。但這一措施僅僅是一種改良而已，并未在根本上解決問題，涌流、過電壓和諧波污染仍然存在，對電容器和裝置的壽命仍有很大的影響，所以其在低壓電容器投切領(lǐng)域的應(yīng)用將越來越少。但由于其投資低、控制簡單，所以至今在不少技術(shù)要求低的地方仍在應(yīng)用，但可以預(yù)見，隨著電容器投切開關(guān)的發(fā)展，將逐步被淘汰。

（二）晶閘管開關(guān)：隨著電力電子器件應(yīng)用的發(fā)展和普及，后來人們研發(fā)出由可控硅為核心的晶閘管開關(guān)（固態(tài)繼電器)。其原理為通過電壓、電流過零檢測控制，保證在電壓零區(qū)附近投入電容器組，從而避免了合閘涌流的產(chǎn)生，而切斷又在電流過零時(shí)完成，避免了暫態(tài)過電壓的出現(xiàn)，這就從功能上符合了電容器的過零投切的要求，另外由于可控硅的觸發(fā)次數(shù)沒有限制，可以實(shí)現(xiàn)準(zhǔn)動態(tài)補(bǔ)償（響應(yīng)時(shí)間在毫秒級），因此適用于電容器的頻繁投切，非常適用于頻繁變化的負(fù)荷情況，相對于交流接觸器有了質(zhì)的飛躍。然而固態(tài)繼電器在應(yīng)用上有致命的弱點(diǎn)：就是在通電運(yùn)行時(shí)可控硅導(dǎo)通電壓降約為1V左右，損耗很大（以額定容量100Kvar的補(bǔ)償裝置為例，每相額定電流約為145A，則可控硅額定導(dǎo)通損耗為145×1×3=435W），由于有大的功耗所以需要散熱以避免PN 結(jié)的熱擊穿，為了降溫就需要使用面積很大的散熱器，甚至需要風(fēng)扇進(jìn)行強(qiáng)迫通風(fēng)，另外可控硅對電壓變化率（dv/dt）非常敏感，遇到操作過電壓及雷擊等電壓突變的情況很容易誤導(dǎo)通而被涌流損壞，即使安裝避雷器也無濟(jì)于事，因?yàn)楸芾灼髦荒芟拗齐妷旱姆逯?，并不能降低電壓變化率。可控硅開關(guān)的缺點(diǎn)是結(jié)構(gòu)復(fù)雜、體積大、損耗大、成本高、可靠性差，優(yōu)點(diǎn)是能實(shí)現(xiàn)過零投切、動作迅速、反應(yīng)快，多用于動態(tài)補(bǔ)償?shù)膱龊?，而不適用于常規(guī)低壓電容器投切的無功補(bǔ)償裝置中。

（三）復(fù)合開關(guān)：當(dāng)仔細(xì)分析研究了交流接觸器和可控硅開關(guān)的各自優(yōu)缺點(diǎn)之后發(fā)現(xiàn)，如果把二者巧妙地結(jié)合來，優(yōu)勢互補(bǔ)，發(fā)揮接觸器運(yùn)行功耗小和可控硅開關(guān)過零投切的優(yōu)點(diǎn)，便是一個(gè)較為理想的投切元件，這就是開發(fā)復(fù)合開關(guān)的基本思路，這種投切開關(guān)同時(shí)具備了交流接觸器和電力電子投切開關(guān)二者的優(yōu)點(diǎn)，不但抑制了涌流、避免了拉弧而且功耗較低，不再需要配備笨重的散熱器和冷卻風(fēng)扇。要把二者結(jié)合起來的關(guān)鍵是相互之間的時(shí)序配合必須默契，可控硅開關(guān)負(fù)責(zé)控制電容器的投入和切除，交流接觸器負(fù)責(zé)保持電容器投入后的接通，當(dāng)接觸器投入后可控硅開關(guān)就立即退出運(yùn)行，這樣就避免了可控硅元件的發(fā)熱。這種看似很理想的復(fù)合開關(guān)自從2002 年開始，由原來全國僅數(shù)家企業(yè)研發(fā)生產(chǎn)，至今已擴(kuò)展到數(shù)十家企業(yè)，雖外型結(jié)構(gòu)或電路有所不同，但內(nèi)在原理基本相同：用小形三端封裝的可控硅作為電容器的投入和切除單元，用大功率永磁式磁保持繼電器代替交流接觸器負(fù)責(zé)保持電容器投入后的接通，其過零檢測元件是一粒電壓過零型光耦雙向可控硅。從原理上看是理想的投切元件，但實(shí)際上并非如此，它存在下面一些缺陷：

（1）小形三端（TOP）封裝可控硅由于結(jié)構(gòu)性的原因，這類型式的可控硅其短時(shí)通流容量不能做得很低（低于60A ），反向耐壓一般也只能達(dá)到1600V 左右，這就限制了它的應(yīng)用范圍。由仿真和計(jì)算證明在38OV 的系統(tǒng)電壓下，電容器理想開斷時(shí)的穩(wěn)態(tài)過電壓就可能達(dá)到1600V ，當(dāng)系統(tǒng)電壓高于380V （這是常有的情況）或非理想開斷時(shí)的暫態(tài)過電壓就可能遠(yuǎn)大于可控硅的反向耐壓位1600V，眾所周知可控硅是一種對熱和電沖擊很敏感的半導(dǎo)體元件，一旦出現(xiàn)沖擊電流或電壓超過其容許值時(shí)，就會立即使其永久性的損壞。實(shí)際運(yùn)行情況已經(jīng)表明了復(fù)合開關(guān)的故障率相當(dāng)高。

（2）由于采用了可控硅等電子元器件其結(jié)構(gòu)復(fù)雜成本上升，與交流接觸器在價(jià)格上難以相比。

（3）復(fù)合開關(guān)的過零是由電壓過零型光耦檢測控制的，從微觀上看它并不是真正意義上的過零投切，而是在觸發(fā)電壓低于16V～40V 時(shí)（相當(dāng)于2～5電度）導(dǎo)通，因而仍有一點(diǎn)涌流。

（4）復(fù)合開關(guān)技術(shù)既使用可控硅又使用繼電器，于是結(jié)構(gòu)就變得相當(dāng)復(fù)雜，并且由于可控硅對dv/dt的敏感性也比較容易損壞。

由上述分析比較可見，各種電容器投切開關(guān)并非十分完美，有必要進(jìn)一步研究開發(fā)出一種更為理想的電容器過零投切開關(guān)。

（四）選相開關(guān)（又稱同步開關(guān)）：是近年來最新發(fā)展起來的高性能投切開關(guān)，不僅可擔(dān)當(dāng)無功補(bǔ)償裝置中的電容器投切開關(guān)（如技術(shù)比較成熟的LXK系列智能選相開關(guān)），還可擔(dān)當(dāng)任何需要同步操作負(fù)荷設(shè)備的投切開關(guān)（如高壓同步開關(guān)，或高壓選相開關(guān)），是傳統(tǒng)的機(jī)械開關(guān)與現(xiàn)代微電子技術(shù)結(jié)合的產(chǎn)物。它吸收了交流接觸器控制結(jié)構(gòu)簡單，復(fù)合開關(guān)零電壓投入、零電流切除等優(yōu)點(diǎn)，成功地將投入、切除時(shí)瞬間涌流控制在3倍額定運(yùn)行電流以內(nèi)，徹底解決了在電容器投切過程中出現(xiàn)的高電壓諧波和大涌流等問題；選相開關(guān)以單片機(jī)為核心，輔以高精度的采樣回路和合理的程序設(shè)計(jì)來替換復(fù)合開關(guān)中最易損壞的可控硅元件，不僅避免了可控硅組件所容易出現(xiàn)的故障，還將選相精度從原來復(fù)合開關(guān)的2～5電度角提高到1～3電度角，真正意義的做到了無涌流，實(shí)現(xiàn)了理想的過零投切；為了更進(jìn)一步抑制電容器投切開關(guān)開斷時(shí)的暫態(tài)過電壓，選相開關(guān)增設(shè)了有效的放電回路，將過電壓限定在安全區(qū)內(nèi)，使其能安全可靠的適用于頻繁投切；由于選相開關(guān)應(yīng)用了單片機(jī)技術(shù)，不僅能通過RS485通訊控制方式對多至64路電容器進(jìn)行控制，還具備通訊功能，可將基層單位的電測量信息實(shí)時(shí)發(fā)送到上級電網(wǎng)，為發(fā)展智能化電網(wǎng)作好準(zhǔn)備；選相開關(guān)可以實(shí)現(xiàn)共補(bǔ)和分補(bǔ)，以適應(yīng)用戶的不同需求；由于選相開關(guān)的驅(qū)動功耗僅有1-3W，最大限度的做到了節(jié)約能源；選相開關(guān)不僅廣泛適用于低壓無功補(bǔ)償裝置，或在特殊場合下作為開關(guān)元件使用，還特別適用于南方戶外夏天高溫潮濕( 60℃以上)、北方戶外低溫寒冷(-40℃以下)的惡劣環(huán)境溫度下長期運(yùn)行。綜上所述，選相開關(guān)不僅大大提高了電容器投切開關(guān)的安全可靠性，還很節(jié)能環(huán)保，經(jīng)濟(jì)耐用，是交流接觸器及復(fù)合開關(guān)理想的換代產(chǎn)品，專家普遍認(rèn)為：選相開關(guān)必將替代復(fù)合開關(guān)和交流接觸器成為無功補(bǔ)償電容器投切開關(guān)的主流。但現(xiàn)階段缺少實(shí)際應(yīng)用方案，暫時(shí)未得到大幅度的普及。

復(fù)合開關(guān)是將高耐壓大電流晶閘管與磁保持繼電器的觸點(diǎn)相并聯(lián), 通過微電腦控制, 自動尋找最佳投入點(diǎn)和最佳切除點(diǎn), 實(shí)現(xiàn)電壓過零投入和電流過零切除, 通斷瞬間由晶閘管完成, 運(yùn)行通流由磁保持繼電器經(jīng)脈沖電壓觸發(fā)使觸點(diǎn)吸合而完成。

復(fù)合開關(guān)選用晶閘管開關(guān)和磁保持開關(guān)并聯(lián)運(yùn)行，其在接通和斷開的瞬間具有可控硅過零投切的優(yōu)點(diǎn)，而在正常接通期間又具有磁保持開關(guān)零功耗的優(yōu)點(diǎn)。

復(fù)合開關(guān)具有無沖擊、低功耗、高壽命等顯著優(yōu)點(diǎn)，可替代接觸器或晶閘管開關(guān)，廣泛用于低壓無功補(bǔ)償領(lǐng)域。

復(fù)合開關(guān)具有低功耗、不發(fā)熱、無諧波、安全可靠等特點(diǎn), 其投切速度介于接觸器和晶閘管無觸點(diǎn)開關(guān)之間, 適用范圍大。

1、過零投切：可控硅與磁保持繼電器并接，實(shí)現(xiàn)電壓過零導(dǎo)通和電流過零切斷，無涌流、無電?。?

2、電壓缺相保護(hù)：系統(tǒng)電壓缺相供電時(shí)，開關(guān)拒絕閉合；若出現(xiàn)缺相則自動退投；

3、電源缺相保護(hù)：工作電源缺相供電時(shí)，開關(guān)拒絕閉合；若出現(xiàn)缺相則自動退投；

4、欠壓保護(hù)：電壓≤額定電壓(220V)的20%時(shí)開關(guān)拒絕閉合；

5、自診斷故障保護(hù)：元件出現(xiàn)故障，則拒絕閉合或自動退投斷開；

6、空載保護(hù)：未接負(fù)載時(shí)開關(guān)拒絕閉合；

7、停電保護(hù)：接通后遇突然停電時(shí)，自動跳閘斷開。

8、無諧波注入：過零觸發(fā)不會產(chǎn)生諧波。

9、功耗?。褐辉谕肚袆幼魉查g耗電，平時(shí)不耗電

10、光電隔離技術(shù)：抗干擾能力強(qiáng)，工作安全可靠。

11、智能控制技術(shù)，在涌流和安全可靠性方面具備極高的性能優(yōu)勢。

缺點(diǎn)：因開關(guān)中所使用的可控硅元件對電壓變化率非常敏感，對過電流的承受能力不強(qiáng)，存在擊穿隱患，安全穩(wěn)定性較弱，尤其是在諧波稍大的情況下極易損壞。