基座法應(yīng)用

基座法可以成功地制備低氧、低碳、無位錯、無空位團、電阻率分布均勻的硅單晶。

如圖1：基座法圖所示，以一個較粗的圓形多晶棒作為基座，用高頻感應(yīng)加熱或電子束加熱的方法使其頂端熔化，形成一個“硅池”，拉晶在“硅池”中進行，在拉出單晶的同時，基座被消耗，如此形成一個連續(xù)的無坩堝工藝。

由于基座法不用石英坩堝，避免了氧的引入，又由于采用高頻感應(yīng)加熱或電子束加熱，不使用石墨部件，避免了碳的沾污，并且單晶生長時連續(xù)地消耗基座，因而能提高晶體軸向電阻率的均勻性，并可以采用偏心技術(shù)來提高徑向電阻率的均勻性。

基座法（pedestal pulling method）用于表面張力較大的硅單晶生長，可視為是直拉法和懸浮區(qū)熔法的混合技術(shù)，兼有直拉法和懸浮區(qū)熔法的優(yōu)點。

混凝土基座使用中會出現(xiàn)風化、嚴重裂損、不密實等現(xiàn)象，這樣會導(dǎo)致固定錨栓松動，進而導(dǎo)致機件震動加劇，影響機件的正常運轉(zhuǎn)。

許多情況將短的受壓構(gòu)件稱為墩或基座，一般用于基礎(chǔ)或一些支撐構(gòu)件間的過渡?；囊恍┯猛救缦拢?/p>

（1）允許使用較薄的基礎(chǔ)。加大基礎(chǔ)頂部的承重面積，通過基座減小基礎(chǔ)的剪應(yīng)力和彎曲應(yīng)力，允許采用較薄的基礎(chǔ)。這在容許土承載壓力很低的地方是一個關(guān)鍵的問題。

（2）保護在地面上的木或金屬構(gòu)件。當基礎(chǔ)的底部在地面以下一段距離時，基座可以用來保護地面上易受影響的構(gòu)件。

（3）為基礎(chǔ)上面一段距離的構(gòu)件提供支撐。除了應(yīng)用于以上的情況之外，還可以為距基礎(chǔ)之上的一段距離的構(gòu)件提供支撐。這可能在比較狹小的管道空間、地下室或用在基底必須下降相當距離才能獲得足夠的承載力的地方。