開漏極就是漏極開路,漏極開路是驅(qū)動電路的輸出三極管的集電極開路,可以通過外接的上拉電阻提高驅(qū)動能力。
特點
組成開漏形式的電路有以下幾個特點
1. 利用外部電路的驅(qū)動能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動。當IC內(nèi)部MOSFET導通時,驅(qū)動電流是從外部的VCC流經(jīng)R pull-up ,MOSFET到GND。IC內(nèi)部僅需很小的柵極驅(qū)動電流。
2. 可以將多個開漏輸出的Pin,連接到一條線上。形成“與邏輯”關(guān)系。當PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一個變低后,開漏線上的邏輯就為0了。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。
3. 可以利用改變上拉電源的電壓,改變傳輸電平。IC的邏輯電平由電源Vcc1決定,而輸出高電平則由Vcc2決定。這樣我們就可以用低電平邏輯控制輸出高電平邏輯了。
4. 開漏Pin不連接外部的上拉電阻,則只能輸出低電平。
5. 標準的開漏腳一般只有輸出的能力。添加其它的判斷電路,才能具備雙向輸入、輸出的能力。2100433B
在開關(guān)電源中,通常的設(shè)計會在MOS管的漏極或者IGBT的C如你所說的加電阻并二極管(應(yīng)該還要串一電容)至電源的正極。此電路是緩沖電路,吸收電路尖峰,避免開關(guān)過程中產(chǎn)生的高壓尖峰擊穿開關(guān)管導致?lián)p壞。在不...
一般TT、TN-C系統(tǒng)采用漏電保護器,漏電空開我沒見過單匹的(只斷開相線),之所以要斷開零線,是怕設(shè)備漏電后,沿著零線傳輸?shù)狡渌O(shè)備外殼去,防止漏電范圍擴大
這個只是一個功率方向上的劃分。舉個例子容易理解一些:10KV變380V的變壓器出來,經(jīng)過1個大開關(guān)A到了配電柜,配電柜上又從中等開關(guān)B上引出一路到了照明配電柜,照明配電柜再從一個小開關(guān)C出去接了20盞...
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針對適用于鋰電池保護電路特點要求的共漏極功率MOSFET的封裝結(jié)構(gòu)進行了研發(fā)和展望。從傳統(tǒng)的TSSOP-8發(fā)展到替代改進型SOT-26,一直到芯片級尺寸的微型封裝外形,其封裝效率越來越高,接近100%。同時,在微互連和封裝結(jié)構(gòu)的改進方面,逐漸向短引線或焊球無引線、平坦式引腳、超薄型封裝和漏極焊盤散熱片暴露的方向發(fā)展,增強了封裝的電性能和熱性能。
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評分: 4.6
三極與四極漏電保護器的簡單分析 三極與四極漏電保護器的簡單分析 低壓配電系統(tǒng)中裝設(shè)漏電保護器是防止人身觸電的有效措 施,也可以防止因漏電而引發(fā)的電氣火災(zāi)及設(shè)備損壞事故。 漏電保護器一般分為一極、二極、三極、四極。其中一極、 二極漏電保護器的結(jié)構(gòu)原理圖,它們的主要區(qū)別在于當漏電 事故發(fā)生時是否斷開零線。其工作原理均為通過檢測相線、 零線電流的相量和是否為零來判定是否有漏電事故發(fā)生。討 論的重點是三極、四極漏電保護器的工作原理與應(yīng)用場合的 差異。 我查閱一些廠家提供的三、四極漏電保護器結(jié)構(gòu)原理圖時 發(fā)現(xiàn)一些問題,源自某國產(chǎn)品牌開關(guān)制造商產(chǎn)品資料,源自 某進口品牌開關(guān)制造商產(chǎn)品資料。我們發(fā)現(xiàn)二者的四極漏電 保護器的結(jié)構(gòu)原理圖并無區(qū)別,但三極漏電保護的結(jié)構(gòu)原理 圖卻存在重大不同,并由此引發(fā)其使用也有重大區(qū)別。 在分析之前,需要明確一個概念,即“負載三相平衡”。 在三相交流電系統(tǒng)中,負載三相平衡時,
1.利用外部電路的驅(qū)動能力,減少IC內(nèi)部的驅(qū)動,?或驅(qū)動比芯片電源電壓高的負載。??
2.可以將多個開漏輸出的Pin,連接到一條線上。通過一只上拉電阻,在不增加任何器件的情況下,形成“與邏輯”關(guān)系。這也是I2C,SMBus等總線判斷總線占用狀態(tài)的原理。??
3.由于漏級開路,所以后級電路必須接一上拉電阻,上拉電阻的電源電壓就可以決定輸出電平。這樣就可以進行任意電平的轉(zhuǎn)換了。??
4.源極開路提供了靈活的輸出方式,但是也有其弱點,就是帶來上升沿的延時。因為上升沿是通過外接上拉無源電阻對負載充電,所以當電阻選擇小時延時就小,但功耗大;反之延時大功耗小。所以如果對延時有要求,則建議用下降沿輸出 。2100433B
漏極概述
一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電,因此稱為雙極型晶體管,而FET僅是由多數(shù)載流子參與導電,它與雙極型相反,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件,具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點,現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強大競爭者
在兩個高摻雜的P區(qū)中間,夾著一層低摻雜的N區(qū)(N區(qū)一般做得很薄),形成了兩個PN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個歐姆接觸電極,在兩個P區(qū)上也做上歐姆電極,并把這兩P區(qū)連起來,就構(gòu)成了一個場效應(yīng)管。
N型導電溝道結(jié)型場效應(yīng)管的電路符號。
將兩個P區(qū)的引出線連在一起作為一個電極,稱為柵極,在N型硅片兩端各引出一個電極,分別稱為源極和漏極,很薄的N區(qū)稱為導電溝道。共漏極放大電路--源極輸出器
柵極簡稱為G ,源極簡稱為S,漏極簡稱為D。
開漏電路概念中提到的“漏”就是指MOS FET的漏極。
同理,開集電路中的“集”就是指三極管的集電極。
開漏電路就是指以MOS FET的漏極為輸出的電路。
一般的用法是會在漏極外部的電路添加上拉電阻。
完整的開漏電路應(yīng)該由開漏器件和開漏上拉電阻組成。