石英晶振

標(biāo)稱頻率

晶體技術(shù)條件中規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識在產(chǎn)品外殼上。

工作頻率

晶體與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。

調(diào)整頻差

在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率相對于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。

溫度頻差

在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時工作頻率的允許

偏差。

老化率

在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時間而允許的相對變化。以年為時間單位衡量時稱為

年老化率。

靜電容

等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。

負(fù)載電容

與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。

負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。

負(fù)載諧振頻率

在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為

電阻性時的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。

動態(tài)電阻

串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。

負(fù)載諧振電阻

在負(fù)載諧振頻率時呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。

RL=R1（1 C0/CL）2

激勵電平

晶體工作時所消耗功率的表征值。

激勵電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等

基頻

在振動模式最低階次的振動頻率。

泛音

晶體振動的機械諧波。泛音頻率與基頻頻率之比接近整數(shù)倍但不是整數(shù)倍，這是它與電氣諧波的主要區(qū)別。泛音振動有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。

石英晶體諧振器根據(jù)其外型結(jié)構(gòu)不同可分為HC-49U、HC-49U/S、HC-49U/S．SMD、UM-1、UM-5及柱狀晶體等。

HC-49U適用于具有寬闊空間的電子產(chǎn)品如通信設(shè)備、電視機、電話機、電子玩具中。

HC-49U/S適用于空間高度受到限制的各類薄型、小型電子設(shè)備及產(chǎn)品中。

HC-49U/S．SMD為準(zhǔn)表面貼裝型產(chǎn)品，適用于各類超薄型、小型電腦及電子設(shè)備中。

柱狀石英晶體諧振器適用于空間狹小的穩(wěn)頻計時電子產(chǎn)品如計時器、電子鐘、計算器等。

UM系列產(chǎn)品主要應(yīng)用于移動通訊產(chǎn)品中，如BP機、移動手機等。

石英晶體諧振器主要用于頻率控制和頻率選擇電路。本指南有助于確保不出現(xiàn)性能不滿意、成本不合適及可用性不良等現(xiàn)象。

石英晶振模式與頻率

基頻 1～35MHz

3次泛音 10～75MHz

5次泛音 50～150MHz

7次泛音 100～200MHz

9次泛音 150～250MHz

石英晶振晶體電阻

對于同一頻率，當(dāng)工作在高次泛音振動時其電阻值將比工作在低次振動時大。

石英晶振溫度頻差

在提出溫度頻差時，應(yīng)考慮設(shè)備工作引起的溫升容限。當(dāng)對溫度頻差要求很高，同時空間和功率都允許的情況下，應(yīng)考慮恒溫工作，恒溫晶體振蕩器就是為此而設(shè)計的。

石英晶振電容與頻牽

在許多應(yīng)用中，都有用一負(fù)載電抗元件來牽引晶體頻率的要求，這在鎖相環(huán)回路及調(diào)頻應(yīng)用中非常必要，大多數(shù)情況下，這個負(fù)載電抗呈容性，當(dāng)該電容值為CL時，則相對負(fù)載諧振頻率偏移量為：DL=C1/[2（C0 CL）]。而以CL作為可調(diào)元件由DL1調(diào)至DL2時，相對頻率牽引為：

DL1，L2= C1（CL1－CL2）/[2（C0 CL1）（C0 CL2）]。

石英晶振負(fù)載電容選擇

晶體工作在基頻時，其負(fù)載電容的標(biāo)準(zhǔn)值為20PF、30PF、50PF、100PF。而泛音晶體經(jīng)常工作在串聯(lián)諧振，在使用負(fù)載電容的地方，其負(fù)載電容值應(yīng)從下列標(biāo)準(zhǔn)值中選擇：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF。

石英晶振激勵電平

一般來講，AT切晶體激勵電平的增大，其頻率變化是正的。激勵電平過高會引起非線性效應(yīng)，導(dǎo)致可能出現(xiàn)寄生振蕩；嚴(yán)重?zé)犷l漂；過應(yīng)力頻漂及電阻突變。當(dāng)激勵電平過低時則會造成起振阻力不易克服、工作不良及指標(biāo)的不穩(wěn)定。

石英晶振濾波電路應(yīng)用

應(yīng)用于濾波電路中時，除通常的規(guī)定外，更應(yīng)注意其等效電路元件的數(shù)值和誤差以及寄生響應(yīng)的位置和幅度，由于濾波晶體設(shè)計的特殊性，所以用戶選購時應(yīng)特別說明。

石英晶振引言

盡管石英晶體振蕩器的應(yīng)用已有幾十年的歷史，但因其具有頻率穩(wěn)定度高這一特點，故在電子技術(shù)領(lǐng)域中一直占有重要的地位。尤其是信息技術(shù)（IT）產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，更使這種晶體振蕩器煥發(fā)出勃勃生機。石英晶體振蕩器在遠(yuǎn)程通信、衛(wèi)星通信、移動電話系統(tǒng)、全球定位系統(tǒng)（GPS）、導(dǎo)航、遙控、航空航天、高速計算機、精密計測儀器及消費類民用電子產(chǎn)品中，作為標(biāo)準(zhǔn)頻率源或脈沖信號源，提供頻率基準(zhǔn)，是其它類型的振蕩器所不能替代的。小型化、片式化、低噪聲化、頻率高精度化與高穩(wěn)定度及高頻化，是移動電話和天線尋呼機為代表的便攜式產(chǎn)品對石英晶體振蕩器提出的要求。事實上石英晶體振蕩器在發(fā)展過程中，也面臨像頻率發(fā)生器這類電路的潛在威脅和挑戰(zhàn)。此類振蕩器只有在技術(shù)上不斷創(chuàng)新，才能延長其壽命周期，在競爭中占有優(yōu)勢。

石英晶振振蕩模式

石英晶體提供了兩種共振模式，由 C1 與 L1 構(gòu)成的串聯(lián)共振，與由 C0、C1 與 L1 構(gòu)成的并聯(lián)共振。

對于一般的 MHz 級石英晶體而言，串聯(lián)共振頻率一般會比并聯(lián)共振頻率低若干 KHz。 頻率在 30 MHz 以下的石英晶體，通常工作時的頻率處于串聯(lián)共振頻率與并聯(lián)共振頻率之間，此時石英晶體呈現(xiàn)電感性阻抗。因為，外部電路上的電容會把電路的振蕩頻率拉低一些。在設(shè)計石英晶體振蕩電路時，也應(yīng)令電路上的雜散電容與外加電容合計値與晶體廠商使用的負(fù)載電容值相同，振蕩頻率才會準(zhǔn)確符合廠商的規(guī)格。

頻率在 30 MHz 以上（到 200 MHz）的石英晶體，通常工作于串聯(lián)共振模式，工作時的阻抗處于最低點，相當(dāng)于 Rs 。 此種晶體通常標(biāo)示串聯(lián)電阻（ < 100 Ω ）而非并聯(lián)負(fù)載電容。 為了達(dá)到高的振蕩頻率，石英晶體會振蕩在它的一個諧波頻率上，此諧波頻率是基頻的整數(shù)倍。 只使用奇數(shù)次諧波，例如 3 倍、 5 倍、與 7 倍的泛音晶體。 要達(dá)到所要的振蕩頻率，振蕩電路上會加入額外的電容器與電感器，以選擇出所需的頻率。

石英晶振工作原理

石英晶體振蕩器分非溫度補償式晶體振蕩器、溫度補償晶體振蕩器（TCXO）、電壓控制晶體振蕩器（VCXO）、恒溫控制式晶體振蕩器（OCXO）和數(shù)字化/μp補償式晶體振蕩器（DCXO/MCXO）等幾種類型。其中，無溫度補償式晶體振蕩器是最簡單的一種，在日本工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)(JIS)中，稱其為標(biāo)準(zhǔn)封裝晶體振蕩器（SPXO）?，F(xiàn)以SPXO為例，簡要介紹一下石英晶體振蕩器的結(jié)構(gòu)與工作原理。

石英晶體，有天然的也有人造的，是一種重要的壓電晶體材料。石英晶體本身并非振蕩器，它只有借助于有源激勵和無源電抗網(wǎng)絡(luò)方可產(chǎn)生振蕩。SPXO主要是由品質(zhì)因數(shù)（Q）很高的晶體諧振器（即晶體振子）與反饋式振蕩電路組成的。石英晶體振子是振蕩器中的重要元件，晶體的頻率（基頻或n次諧波頻率）及其溫度特性在很大程度上取決于其切割取向。石英晶體諧振器的基本結(jié)構(gòu)、（金屬殼）封裝及其等效電路如圖1所示。

只要在晶體振子板極上施加交變電壓，就會使晶片產(chǎn)生機械變形振動，此現(xiàn)象即所謂逆壓電效應(yīng)。當(dāng)外加電壓頻率等于晶體諧振器的固有頻率時，就會發(fā)生壓電諧振，從而導(dǎo)致機械變形的振幅突然增大。在圖1（c）所示的晶體諧振器的等效電路中，Co為晶片

(a)石英晶體振子的結(jié)構(gòu)

（b）金屬殼封裝示圖（c）等效電路

與金屬板之間的靜電電容；L、C為壓電諧振的等效參量；R為振動磨擦損耗的等效電阻。石英晶體諧振器存在一個串聯(lián)諧振頻率fos（1/2π），同時也存在一個并聯(lián)諧振頻率fop（1/2π)。由于Co"_blank" href="/item/諧振電路/10761351" data-lemmaid="10761351">諧振電路的品質(zhì)因數(shù)Q非常高（可達(dá)數(shù)百萬），從而使石英晶體諧振器組成的振蕩器頻率穩(wěn)定度十分高，可達(dá)10－12/日。石英晶體振蕩器的振蕩頻率既可近似工作于fos處，也可工作在fop附近，因此石英晶體振蕩器可分串聯(lián)型和并聯(lián)型兩種。用石英晶體諧振器及其等效電路，取代LC振蕩器中構(gòu)成諧振回路的電感（L）和電容（C）元件，則很容易理解晶體振蕩器的工作原理。

SPXO的總精度（包括起始精度和隨溫度、電壓及負(fù)載產(chǎn)生的變化）可以達(dá)到±25ppm。SPXO既無溫度補償也無溫度控制措施，其頻率溫度特性幾乎完全由石英晶體振子的頻率溫度特性所決定。在0～70℃范圍內(nèi)，SPXO的頻率穩(wěn)定度通常為20～1000ppm，SPXO可以用作鐘頻振蕩器。

石英晶振溫度補償設(shè)備

TCXO是通過附加的溫度補償電路使由周圍溫度變化產(chǎn)生的振蕩頻率變化量削減的一種石英晶體振蕩器。

1TCXO的溫度補償方式

CXO，對石英晶體振子頻率溫度漂移的補償方法主要有直接補償和間接補償兩種類型：

（1）直接補償型

直接補償型TCXO是由熱敏電阻和阻容元件組成的溫度補償電路，在振蕩器中與石英晶體振子串聯(lián)而成的。在溫度變化時，熱敏電阻的阻值和晶體等效串聯(lián)電容容值相應(yīng)變化，從而抵消或削減振蕩頻率的溫度漂移。該補償方式電路簡單，成本較低，節(jié)省印制電路板（PCB）尺寸和空間，適用于小型和低壓小電流場合。但當(dāng)要求晶體振蕩器精度小于±1pmm時，直接補償方式并不適宜。

（2）間接補償型

間接補償型又分模擬式和數(shù)字式兩種類型。模擬式間接溫度補償是利用熱敏電阻等溫度傳感元件組成溫度－電壓變換電路，并將該電壓施加到一支與晶體振子相串接的變?nèi)荻O管上，通過晶體振子串聯(lián)電容量的變化，對晶體振子的非線性頻率漂移進(jìn)行補償。該補償方式能實現(xiàn)±0.5ppm的高精度，但在3V以下的低電壓情況下受到限制。數(shù)字化間接溫度補償是在模擬式補償電路中的溫度—電壓變換電路之后再加一級模/數(shù)（A/D）變換器，將模擬量轉(zhuǎn)換成數(shù)字量。該法可實現(xiàn)自動溫度補償，使晶體振蕩器頻率穩(wěn)定度非常高，但具體的補償電路比較復(fù)雜，成本也較高，只適用于基地站和廣播電臺等要求高精度化的情況。

2.TCXO發(fā)展現(xiàn)狀

TCXO在近十幾年中得到長足發(fā)展，其中在精密TCXO的研究開發(fā)與生產(chǎn)方面，日本居領(lǐng)先和主宰地位。在70年代末汽車電話用TCXO的體積達(dá)20"_blank" href="/item/TCXO/5219870" data-lemmaid="5219870">TCXO的頻率覆蓋范圍為0.2～90MHz，頻率穩(wěn)定度為±0.1ppm（－30℃～ 85℃）。日本東澤通信機生產(chǎn)的TCO－935/937型片式直接溫補型TCXO，頻率溫度特性（點頻15.36MHz）為±1ppm/－20～ 70℃，在5V±5%的電源電壓下的頻率電壓特性為±0.3ppm，輸出正弦波波形（幅值為1VPP），電流損耗不足2mA，體積1"_blank" href="/item/TCXO/5219870" data-lemmaid="5219870">TCXO（32～40MHz）在室溫下精度優(yōu)于±1ppm，第一年的頻率老化率為±1ppm，頻率（機械）微調(diào)≥±3ppm，電源功耗≤120mw。前高穩(wěn)定度的TCXO器件，精度可達(dá)±0.05ppm。

高精度、低功耗和小型化，仍然是TCXO的研究課題。在小型化與片式化方面，面臨不少困難，其中主要的有兩點：一是小型化會使石英晶體振子的頻率可變幅度變小，溫度補償更加困難；二是片式封裝后在其回流焊接作業(yè)中，由于焊接溫度遠(yuǎn)高于TCXO的最大允許溫度，會使晶體振子的頻率發(fā)生變化，若不采限局部散熱降溫措施，難以將TCXO的頻率變化量控制在±0.5×10－6以下。但是，TCXO的技術(shù)水平的提高并沒進(jìn)入到極限，創(chuàng)新的內(nèi)容和潛力仍較大。

3.TCXO的應(yīng)用

石英晶體振蕩器的發(fā)展及其在無線系統(tǒng)中的應(yīng)用

（a）

(b)

圖2移動通信機電路框圖及其TCXO外觀

由于TCXO具有較高的頻率穩(wěn)定度，而且體積小，在小電流下能夠快速啟動，其應(yīng)用領(lǐng)域重點擴(kuò)展到移動通信系統(tǒng)。

圖2（a）為移動通信機射頻（RF）電路框圖。TCXO作為基準(zhǔn)振蕩器為發(fā)送信道提供頻率基準(zhǔn)，同時作為接收通道的第一級本機振蕩器；另一只TCXO作為第2級本機振蕩器，將其振蕩信號輸入到第2變頻器。移動電話要求的頻率穩(wěn)定度為0.1～2.5ppm（－30～ 75℃），但出于成本上的考慮，通常選用的規(guī)格為1.5～2.5ppm。移動電話用12～20MHz的TCXO代表性產(chǎn)品之一是VC－TCXO－201C1，采用直接補償方式，外觀如圖2（b）所示，由日本金石（KSS）公司生產(chǎn)。

石英晶振電壓控制設(shè)備

電壓控制晶體振蕩器（VCXO），是通過施加外部

控制電壓使振蕩頻率可變或是可以調(diào)制的石英晶體振蕩器。在典型的VCXO中，通常是通過調(diào)諧電壓改變變?nèi)荻O管的電容量來“牽引”石英晶體振子頻率的。VCXO允許頻率控制范圍比較寬，實際的牽引度范圍約為±200ppm甚至更大。

如果要求VCXO的輸出頻率比石英晶體振子所能實現(xiàn)的頻率還要高，可采用倍頻方案。擴(kuò)展調(diào)諧范圍的另一個方法是將晶體振蕩器的輸出信號與VCXO的輸出信號混頻。與單一的振蕩器相比，這種外差式的兩個振蕩器信號調(diào)諧范圍有明顯擴(kuò)展。

在移動通信基地站中作為高精度基準(zhǔn)信號源使用的VCXO代表性產(chǎn)品是日本精工·愛普生公司生產(chǎn)的VG－2320SC。這種采用與IC同樣塑封的4引腳器件，內(nèi)裝單獨開發(fā)的專用IC，器件尺寸為12.6mm×7.6mm×1.9mm，體積為0.19"_blank" href="/item/標(biāo)準(zhǔn)頻率/12726252" data-lemmaid="12726252">標(biāo)準(zhǔn)頻率為12～20MHz，電源電壓為3.0±0.3V，工作電流不大于2mA，在－20～ 75℃范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定度≤±1.5ppm，頻率可變范圍是±20～±35ppm，啟動振蕩時間小于4ms。金石集團(tuán)生產(chǎn)的VCXO，頻率覆蓋范圍為10～360MHz，頻率牽引度從±60ppm到±100ppm。VCXO封裝發(fā)展趨勢是朝SMD方向發(fā)展，并且在電源電壓方面盡可能采用3.3V。日本東洋通信機生產(chǎn)的TCO－947系列片式VCXO，早在90年代中期前就應(yīng)用于汽車電話系統(tǒng)。該系列VCXO的工作頻率點是12.8MHz、13MHz、14.5MHz和15.36MHz，頻率溫度特性±2.5ppm/－30～ 75℃，頻率電壓特性±0.3ppm/5V±5%，老化特性±1ppm/年，內(nèi)部采用SMD/SMC，并采用激光束和汽相點焊方式封裝，高度為4mm。日本富士電氣化學(xué)公司開發(fā)的個人手持電話系統(tǒng)（PHS）等移動通信用VCXO，共有兩大類六個系列，為適應(yīng)SMT要求，全部采用SMD封裝。Saronix的S1318型、Vectron國際公司的J型、Champion技術(shù)公司的K1526型和Fordahi公司的DFVS1－KH/LH等VCXO，均是表面貼裝器件，電源電壓為3.3V或5V，可覆蓋的頻率范圍或最高頻率分別為32～120MHz、155MHz、2～40MHz和1－50MHz，牽引度從±25ppm到±150ppm不等。MF電子公司生產(chǎn)的T－VCXO系列產(chǎn)品尺寸為5mm×7mm，曾被業(yè)內(nèi)認(rèn)為是外形尺寸最小的產(chǎn)品，但這個小型化的記錄很快被打破。新推出的雙頻終端機用VCXO尺寸僅為5.8mm×4.8mm，并且有的內(nèi)裝2只VCXO。Raltron電子公司生產(chǎn)的VX－8000系

圖3壓控SAW振蕩器內(nèi)部結(jié)構(gòu)

圖4OCXO內(nèi)部結(jié)構(gòu)示圖

列表面貼裝VCXO，采用引線封裝時高度為0.185英寸，采用扁平封裝時僅為0.15英寸，工作頻率可在1～160MHz內(nèi)選擇，標(biāo)準(zhǔn)頻率調(diào)整范圍為±100ppm，線性度優(yōu)于±10%，穩(wěn)定度優(yōu)于±25ppm/0～70℃，老化率為±2ppm/年，輸出負(fù)載達(dá)10個LSTTL（單價達(dá)10美元以上）。

于1998年7月上市的單價2000日元的UCV4系列壓控振蕩器（VCO），面向全球移動通信系統(tǒng)（GSM）和個人數(shù)字蜂窩電話（PDC），可用頻率范圍為650～1700MHz，電源電壓為2.2～3.3V，尺寸僅為4.8mm×5.5mm×1.9mm，體積為0.05"para" label-module="para">

日本精工·愛普生公司利用ST切型晶片制作的聲表面波（SAW）諧振器（Q≌2000），型號為FS－555，用4.8mm×5.2mm×1.5mm陶瓷容器包封，振蕩頻率范圍達(dá)250～500MHz，頻率初始偏差為±25～100ppm，在－20～60℃范圍內(nèi)的頻率穩(wěn)定度是±27ppm，老化率為±10ppm/年。利用FS－555組成的壓控SAW振蕩器內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖3所示。欲擴(kuò)大頻率調(diào)節(jié)范圍，可加大串聯(lián)電感Lo的電感量。由于SAW諧振器的頻率可達(dá)2GHz以上，為壓控SAW振蕩器（VCSO）的高頻化提供了一條重要途徑。

石英晶振恒溫控制設(shè)備

CXO是利用恒溫槽使晶體振蕩器或石英晶體振子的溫度保持恒定，將由周圍溫度變化引起的振蕩器輸出頻率變化量削減到最小的晶體振蕩器，其內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖4所示。在OCXO中，有的只將石英晶體振子置于恒溫槽中，有的是將石英晶體振子和有關(guān)重要元器件置于恒溫槽中，還有的將石英晶體振子置于內(nèi)部的恒溫槽中，而將振蕩電路置于外部的恒溫槽中進(jìn)行溫度補償，實行雙重恒溫槽控制法。利用比例控制的恒溫槽能把晶體的溫度穩(wěn)定度提高到5000倍以上，使振蕩器頻率穩(wěn)定度至少保持在1×10－9。OCXO主要用于移動通信基地站、國防、導(dǎo)航、頻率計數(shù)器、頻譜和網(wǎng)絡(luò)分析儀等設(shè)備、儀表中。

OCXO是由恒溫槽控制電路和振蕩器電路構(gòu)成的。通常人們是利用熱敏電阻“電橋”構(gòu)成的差動串聯(lián)放大器，來實現(xiàn)溫度控制的。具有自動增益控制（AGC）的（C1app）振蕩電路，獲得振蕩頻率高穩(wěn)定度的比較理想的技術(shù)方案。

OCXO的技術(shù)水平有了很大的提高。日本電波工業(yè)公司開發(fā)的新器件功耗僅為老產(chǎn)品的1/10。在克服OCXO功耗較大這一缺點方面取得了重大突破。該公司使用應(yīng)力補償切割（SCCut）石英晶體振子制作的OCXO，與使用AT切形石英晶體振子的OCXO比較，具有高得多的頻率穩(wěn)定度和非常低的相位噪聲。相位噪聲是指信號功率與噪聲功率的比率（C/N），是表征頻率顫抖的技術(shù)指標(biāo)。在對預(yù)期信號既定補償處，以1Hz帶寬為單位來測量相位噪聲。Bliley公司用AT切形晶體制作的NV45A在補償點10Hz、100Hz、1kHz和10kHz處的相位噪聲分別為100、135、140和145dBc/Hz，而用SC切割晶體制成的同樣OCXO，則在所有補償點上的噪聲性能都優(yōu)于5dBc/Hz。

金石集團(tuán)生產(chǎn)的OCXO，頻率范圍為5～120MHz，在－10～ 60℃的溫度范圍內(nèi)，頻率穩(wěn)定度有±0.02、±0.03和±0.05ppm，老化指標(biāo)為±0.02ppm/年和±0.05ppm/年。Oak頻率控制公司的4895型4.096～45MHz雙恒溫箱控制OCXO，溫度穩(wěn)定度僅為0.002ppm（2×10－10）/0～75℃；4895型OCXO的尺寸是50.8mm×50.8mm×38.3mm，老化率為±0.03ppm/年。如果體積縮小一點，在性能指標(biāo)上則會有所犧牲。Oak公司生產(chǎn)的10～25MHz表面貼裝OCXO，頻率穩(wěn)定度為±0.05ppm/0～70℃。PiezoCrystal的275型用于全球定位系統(tǒng)（GPS）的OCXO采用SC切形石英晶體振子，在0～75℃范圍內(nèi)總頻偏小于±0.005ppm，最大老化率為±0.005ppm/年。Vectron國際公司的CO－760型OCXO，尺寸為25.4mm見方，高12.7mm，在OCXO產(chǎn)品中，體積算是較小的。隨著移動通信產(chǎn)品的迅猛增長，對OCXO的市場需求量會逐年增加。OCXO的發(fā)展方向是順應(yīng)高頻化、高頻率穩(wěn)定度和低相位噪聲的要求，但在尺寸上的縮小余地非常有限。

日本金石、始建于1948年的NibonDempaKogyo公司和美國摩托羅位、韓國的Sunny－Emi等公司，都是生產(chǎn)石英晶體器件較大的廠商。國內(nèi)生產(chǎn)石英晶體振蕩器等元器件的單位有原電子工業(yè)部第十研究所、北京707廠、國營第875廠和一些合資企業(yè)等。我國對人造石英晶體及其元器件的研究開發(fā)起步較早，生產(chǎn)能力也較大。就石英晶體振蕩器而言，與國外水平比較，主要是在片式化、小型化、高頻化和頻率溫度特性等方面還存在差距。盡快縮小這些差距，進(jìn)一步擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，提高產(chǎn)品性價比，是提高在國際市場上競爭力的必由之路。與此同時，還要跟蹤該器件發(fā)展的新動向，如，視頻發(fā)生器等振蕩器的研究與應(yīng)用。

石英晶振，有源晶振，時鐘晶振，溫補晶振，聲表諧振器，聲表濾波器，陶瓷諧振器等

貼片鉭電容；nichicon

鋁電解電容器；貼片電容；電感；貼片高容高壓；陶瓷濾波器；石英晶振；

電阻主營行業(yè)：電容器；諧振器；其他陶瓷電容；濾波器、陷波器

經(jīng)營模式：生產(chǎn)加工是否提供加工/定制：否