鎖相環(huán)與頻率合成器電路設計

第1章 鎖相環(huán)與頻率合成器電路基礎 1

1.1 頻率合成的基本方法和指標 1

1.1.1 頻率合成的基本方法 1

1.1.2 頻率合成器的主要技術指標 2

1.2 鎖相環(huán)路(PLL)電路基礎 4

1.2.1 鎖相環(huán)路的基本結構與工作原理 4

1.2.2 數(shù)字鎖相式頻率合成器的基本結構與工作原理 7

1.2.3 全數(shù)字鎖相環(huán)的基本結構與工作原理 8

1.3 直接數(shù)字式頻率合成器(DDS)基礎 14

1.3.1 DDS的結構與工作原理 14

1.3.2 DDS的技術特點 19

1.3.3 DDS的輸出信號頻譜特性 21

1.3.4 DDS的調制特性 23

1.4 頻率合成器電路結構 23

1.4.1 單環(huán)數(shù)字鎖相式頻率合成器電路 23

1.4.2 前置分頻型單環(huán)數(shù)字鎖相式頻率合成器電路 25

1.4.3 下變頻型單環(huán)數(shù)字鎖相式頻率合成器電路 26

1.4.4 變模前置分頻型數(shù)字鎖相式頻率合成器電路 26

1.4.5 小數(shù)分頻型數(shù)字鎖相式頻率合成器電路 28

1.4.6 多環(huán)數(shù)字鎖相式頻率合成器電路 29

1.4.7 環(huán)外插入混頻器的DDS+PLL頻率合成器電路 31

1.4.8 環(huán)內插入混頻器的DDS+PLL頻率合成器電路 32

1.4.9 DDS激勵PLL的頻率合成器電路 33

第2章 正弦波振蕩器電路基礎[ST][HT5"SS] 35

2.1 反饋型正弦波振蕩器的基本原理 35

2.1.1 反饋型正弦波振蕩器的組成 35

2.1.2 自激振蕩的平衡條件 36

2.1.3 自激振蕩的起振條件 36

2.1.4 振蕩器的穩(wěn)定條件 37

2.2 LC振蕩器 40

2.2.1 三點式振蕩器電路的基本結構 40

2.2.2 改進的電容三點式振蕩器電路 42

2.2.3 幾種三點式振蕩器電路的比較 44

2.3 石英晶體振蕩器電路 45

2.3.1 石英晶體諧振器 45

2.3.2 石英晶體振蕩器基本電路結構 47

2.3.3 普通晶體振蕩器 48

2.3.4 溫度補償晶體振蕩器 49

2.3.5 恒溫晶體振蕩器 51

2.4 壓控振蕩器電路 53

2.4.1 壓控振蕩器的主要技術指標 53

2.4.2 變容二極管壓控振蕩器 54

2.4.3 射極耦合多諧振蕩器構成的VCO 56

2.4.4 環(huán)形振蕩器結構的VCO 57

2.5 振蕩器頻率和振幅的穩(wěn)定 58

2.5.1 振蕩器頻率的穩(wěn)定 58

2.5.2 振蕩器振幅的穩(wěn)定 61

2.6 寄生振蕩 63

2.6.1 寄生振蕩的表現(xiàn)形式 63

2.6.2 寄生振蕩的產(chǎn)生原因及其防止或消除方法 64

第3章 PLL頻率合成器電路設計 68

3.1 ADF4106 500~600 MHz PLL頻率合成器電路 68

3.1.1 ADF4106的主要技術特性 68

3.1.2 ADF4106的芯片封裝與引腳功能 69

3.1.3 ADF4106的內部結構與工作原理 70

3.1.4 ADF4106的應用電路設計 77

3.2 ADF4110~4113 0.55~4.0 GHz PLL頻率合成器電路 79

3.2.1 ADF4110~4113的主要技術特性 79

3.2.2 ADF4110~4113芯片封裝和引腳功能 79

3.2.3 ADF4110~4113內部結構和工作原理 81

3.2.4 ADF4110~4113應用電路設計 88

3.3 ADF4116~4118 0.55~3.0 GHz PLL頻率合成器電路 92

3.3.1 ADF4116~4118主要技術特性 92

3.3.2 ADF4116~4118芯片封裝和引腳功能 92

3.3.3 ADF4116~4118內部結構和工作原理 94

3.3.4 ADF4116~4118應用電路設計 95

3.4 ADF4153 4 GHz PLL頻率合成器電路 97

3.4.1 ADF4153主要性能指標 97

3.4.2 ADF4153引腳功能與內部結構 97

3.4.3 ADF4153應用電路設計 104

3.5 ADF4154 500 MHz~4 GHz PLL頻率合成器電路 105

3.5.1 ADF4154主要性能指標 105

3.5.2 ADF4154引腳功能與內部結構 105

3.5.3 ADF4154應用電路設計 105

3.6 ADF4193 3.5 GHz PLL頻率合成器電路 106

3.6.1 ADF4193主要技術特性 106

3.6.2 ADF4193芯片封裝和引腳功能 106

3.6.3 ADF4193內部結構和工作原理 108

3.6.4 ADF4193應用電路設計 109

3.7 ADF4212L 雙頻2.4 GHz/1.0 GHz PLL頻率合成器電路 110

3.7.1 ADF4212L主要技術特性 110

3.7.2 ADF4212L芯片封裝和引腳功能 111

3.7.3 ADF4212L內部結構和工作原理 112

3.7.4 ADF4212L應用電路設計 117

3.8 ADF4217L~4219L 雙頻PLL頻率合成器電路 118

3.8.1 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L主要技術特性 118

3.8.2 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L芯片封裝和引腳功能 119

3.8.3 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L內部結構和工作原理 120

3.8.4 ADF4217L/ADF4218L/ADF4219L應用電路設計 122

3.9 CX7925 300 MHz/350 MHz鎖相環(huán)頻率合成器電路 124

3.9.1 CX7925主要技術特性 124

3.9.2 CX7925封裝形式與引腳功能 124

3.9.3 CX7925內部結構與工作原理 125

3.9.4 CX7925應用電路設計 127

3.10 CXA3106AQ LCD監(jiān)視器/放映機用PLL電路 128

3.10.1 CXA3106AQ主要技術特性 128

3.10.2 CXA3106AQ封裝形式與引腳功能 128

3.10.3 CXA3106AQ內部結構與工作原理 129

3.10.4 CXA3106AQ應用電路設計 132

3.11 CXA3266Q LCD監(jiān)視器/放映機用PLL電路 135

3.11.1 CXA3266Q主要技術特性 135

3.11.2 CXA3266Q封裝形式與引腳功能 135

3.11.3 CXA3266Q內部結構與工作原理 135

3.11.4 CXA3266Q應用電路設計 135

3.12 FS8108E 40~100 MHz PLL頻率合成器電路 140

3.12.1 FS8108E的主要技術特性 140

3.12.2 FS8108E的封裝形式與引腳功能 140

3.12.3 FS8108E的內部結構與工作原理 141

3.12.4 FS8108E的應用電路設計 144

3.13 HPLL-8001 4~160 MHz PLL頻率合成器電路 144

3.13.1 HPLL-8001的主要技術特性 145

3.13.2 HPLL-8001的芯片封裝與引腳功能 145

3.13.3 HPLL-8001的內部結構與工作原理 146

3.13.4 HPLL-8001的應用電路設計 150

3.14 LMX2306U/LMX2316U/LMX2326U 550 MHz/1.2 GHz/2.8 GHz頻率合成器電路 152

3.14.1 LMX2306U/LMX2316U/LMX2326U主要技術特性 152

3.14.2 LMX2306/16/26芯片封裝和引腳功能 152

3.14.3 LMX2306/16/26的內部結構和工作原理 153

3.14.4 LMX2306的應用電路設計 160

3.15 LMX2310/1/2/3U 2.5 GHz/2.0 GHz/1.2 GHz/600 MHz頻率合成器電路 161

3.15.1 LMX2310/1/2/3U主要技術特性 161

3.15.2 LMX2310/1/2/3U芯片封裝和引腳功能 161

3.15.3 LMX2310/1/2/3U的內部結構和工作原理 163

3.15.4 LMX2310/1/2/3U的應用電路設計 166

3.16 LMX233xU 2.5 GHz/600 MHz， 2.0 GHz/600 MHz，1.2 GHz/600 MHz雙頻頻率合成器電路 168

3.16.1 LMX233xU主要技術特性 168

3.16.2 LMX233xU芯片封裝和引腳功能 168

3.16.3 LMX233xU的內部結構和工作原理 170

3.16.4 LMX233xU的應用電路設計 171

3.17 LMX2346/LMX2347 0.2~2.5 GHz PLL電路 173

3.17.1 LMX2346/LMX2347的主要技術特性 173

3.17.2 LMX2346/LMX2347的封裝形式與引腳功能 174

3.17.3 LMX2346/LMX2347的內部結構與工作原理 175

3.17.4 LMX2346/LMX2347的應用電路設計 178

3.18 LMX2350/LMX2352 小數(shù)N分頻RF/整數(shù)N分頻IF的雙頻頻率合成器電路 183

3.18.1 LMX2350/LMX2352主要技術特性 183

3.18.2 LMX2350/LMX2352封裝形式和引腳功能 183

3.18.3 LMX2350/LMX2352的內部結構和工作原理 185

3.18.4 LMX2350/LMX2352的應用電路設計 187

3.19 LMX243x 3.0/0.8 GHz， 3.6/1.7 GHz, 5.0/2.5 GHz雙頻頻率合成器電路 187

3.19.1 LMX243x主要技術特性 187

3.19.2 LMX243x引腳封裝、 引腳功能與內部結構 188

3.19.3 LMX243x的應用電路設計 190

3.20 LMX2502/LMX2512帶有集成壓控振蕩器的頻率合成器電路 194

3.20.1 LMX2502/LMX2512主要技術特性 194

3.20.2 LMX2502/LMX2512芯片封裝和引腳功能 194

3.20.3 LMX2502/LMX2512的內部結構和工作原理 195

3.20.4 LMX2502/LMX2512應用電路設計 197

3.21 LMX2525帶有集成壓控振蕩器的雙頻頻率合成器電路 201

3.21.1 LMX2525主要技術特性 201

3.21.2 LMX2525封裝形式與引腳功能 201

3.21.3 LMX2525的內部結構和工作原理 202

3.21.4 LMX2525的應用電路設計 204

3.22 LMX2542 帶有VCO的蜂窩電話和GPS的頻率合成器電路 208

3.22.1 LMX2542主要技術特性 208

3.22.2 LMX2542的芯片封裝及引腳功能 208

3.22.3 LMX2542的內部結構及工作原理 210

3.22.4 LMX2542的應用電路設計 210

3.23 MB1504 串行輸入PLL頻率合成器電路 214

3.23.1 MB1504封裝形式與引腳功能 214

3.23.2 MB1504 內部結構與工作原理 215

3.23.3 MB1504應用電路設計 218

3.24 MC145106 4~12 MHz PLL頻率合成器電路 218

3.24.1 MC145106主要技術特點 218

3.24.2 MC145106封裝形式與引腳功能 218

3.24.3 MC145106的內部結構和工作原理 220

3.24.4 MC145106的應用電路設計 221

3.25 MC145170-2 使用串行接口的PLL頻率合成器電路 223

3.25.1 MC145170-2主要技術特性 223

3.25.2 MC145170-2的芯片封裝和引腳功能 223

3.25.3 MC145170-2芯片內部結構和工作原理 223

3.25.4 MC145170-2的應用電路設計 224

3.26 PE3291 1200 MHz/550 MHz雙頻PLL頻率合成器電路 228

3.26.1 PE3291主要技術特性 228

3.26.2 PE3291的封裝形式與引腳功能 228

3.26.3 PE3291的內部結構及工作原理 230

3.26.4 PE3291的應用電路設計 233

3.27 PE3342 0.3~2.7 GHz帶EEPROM的PLL電路 235

3.27.1 PE3342主要技術特性 235

3.27.2 PE3342的芯片封裝與引腳功能 235

3.27.3 PE3342的內部結構與工作原理 237

3.27.4 PE3342的應用電路設計 242

3.28 PMB2347 2.8 GHz/500 MHz雙頻PLL頻率合成器電路 242

3.28.1 PMB2347主要技術特性 243

3.28.2 PMB2347的封裝形式與引腳功能 243

3.28.3 PMB2347的內部結構和工作原理 244

3.28.4 PMB2347應用電路設計 248

3.29 SA8026 350~2500 MHz PLL頻率合成器電路 253

3.29.1 SA8026的主要技術特性 254

3.29.2 SA8026封裝形式與引腳功能 254

3.29.3 SA8026內部結構與工作原理 255

3.29.4 SA8026的應用電路設計 260

3.30 SA8027 0.5~2.5 GHz小數(shù)N分頻頻率合成器電路 262

3.30.1 SA8027主要技術特性 262

3.30.2 SA8027引腳功能與內部結構 263

3.30.3 SA8027應用電路設計 264

3.31 SP5748 80 MHz~2.4 GHz PLL頻率合成器電路 267

3.31.1 SP5748的主要技術性能與特點 267

3.31.2 SP5748封裝形式與引腳功能 267

3.31.3 SP5748內部結構與工作原理 268

3.31.4 SP5748的應用電路設計 270

3.32 SP5769 3 GHz I2C總線頻率合成器電路 274

3.32.1 SP5769的主要技術特性 274

3.32.2 SP5769芯片封裝與引腳功能 275

3.32.3 SP5769內部結構與工作原理 275

3.32.4 SP5769的應用電路設計 279

3.33 SP8853A/B 1.3 GHz PLL頻率合成器電路 283

3.33.1 SP8853A/B的主要技術特性 283

3.33.2 SP8853A/B芯片封裝與引腳功能 283

3.33.3 SP8853A/B內部結構與工作原理 284

3.33.4 SP8853A/B的應用電路設計 288

3.34 SP8854E 2.7 GHz PLL頻率合成器電路 294

3.34.1 SP8854E的主要技術性能與特點 294

3.34.2 SP8854E芯片封裝與引腳功能 295

3.34.3 SP8854E內部結構與工作原理 296

3.34.4 SP8854E的應用電路設計 298

3.35 STW81100 0.82~4.4 GHz多頻帶PLL頻率合成器電路 303

3.35.1 STW81100 主要技術特性 303

3.35.2 STW81100 的芯片封裝與引腳功能 303

3.35.3 STW81100內部結構與工作原理 304

3.35.4 STW81100的應用電路設計 312

3.36 STW81101 0.82~4.4 GHz多頻帶PLL頻率合成器電路 314

3.36.1 STW81101 主要技術特性 314

3.36.2 STW81101 的芯片封裝與引腳功能 314

3.36.3 STW81101內部結構與工作原理 316

3.36.4 STW81101的應用電路設計 318

3.37 STW81102 0.75~4.6 GHz多頻帶頻率合成器電路 319

3.37.1 STW81102 主要技術特性 319

3.37.2 STW81102 引腳功能、 內部結構與工作原理 320

3.37.3 STW81102的應用電路設計 320

3.38 TRF1112/TRF1212 用于IF下變頻器的雙VCO/PLL合成器電路 320

3.38.1 TRF1112/TRF1212主要技術特性 320

3.38.2 TRF1112/TRF1212引腳功能與內部結構 321

3.38.3 TRF1112/TRF1212應用電路設計 324

3.39 TRF1121/TRF1221 用于IF上變頻器的雙VCO/PLL合成器電路 326

3.39.1 TRF1121/TRF1221主要技術特性 326

3.39.2 TRF1121/TRF1221引腳功能與內部結構 326

3.39.3 TRF1121/TRF1221應用電路設計 328

3.40 U2786B 800~1000 MHz PLL頻率合成器電路 330

3.40.1 U2786B的主要技術特性 330

3.40.2 U2786B封裝形式與引腳功能 330

3.40.3 U2786B內部結構與工作原理 331

3.40.4 U2786B的應用電路設計 333

3.41 UMA1014 50~1100 MHz低功耗PLL頻率合成器電路 334

3.41.1 UMA1014的主要技術特性 334

3.41.2 UMA1014封裝形式與引腳功能 334

3.41.3 UMA1014內部結構與工作原理 335

3.41.4 UMA1014的應用電路設計 339

[WTHZ]第4章 壓控振蕩器(VCO)電路設計 347

4.1 ISL3183 748 MHz VCO電路 347

4.1.1 ISL3183的主要技術特性 347

4.1.2 ISL3183引腳功能與內部結構 347

4.1.3 ISL3183應用電路設計 348

4.2 MAX2605~MAX2609 45~650 MHz差分輸出IF壓控振蕩器電路 350

4.2.1 MAX2605~MAX2609主要技術特性 350

4.2.2 MAX2605~MAX2609引腳功能與內部結構 350

4.2.3 MAX2605~MAX2609系列芯片應用電路設計 351

4.3 MAX2620 10~1050 MHz RF振蕩器電路 353

4.3.1 MAX2620主要技術特性 353

4.3.2 MAX2620引腳功能與內部結構 353

4.4 MAX2622/MAX2623/MAX2624 855~998 MHz VCO電路 356

4.4.1 MAX2622/MAX2623/MAX2624主要技術性能 356

4.4.2 MAX2622/MAX2623/MAX2624 芯片封裝與引腳功能 356

4.4.3 MAX2622/MAX2623/MAX2624應用電路設計 357

4.5 MAX2750/MAX2751/MAX2752 2.4 GHz VCO電路 358

4.5.1 MAX2750/MAX2751/MAX2752主要技術性特性 358

4.5.2 MAX2750/MAX2751/MAX2752封裝形式與引腳功能 359

4.5.3 MAX2750/MAX2751/MAX2752芯片應用電路設計 359

4.6 MAX2753 2.4GHz VCO電路 360

4.6.1 MAX2753的主要技術特性 360

4.6.2 MAX2753封裝形式與引腳功能 361

4.6.3 MAX2753的應用電路設計 361

4.7 MAX2754 1.2 GHz VCO電路 363

4.7.1 MAX2754的主要技術特性 363

4.7.2 MAX2754引腳功能與內部結構 363

4.7.3 MAX2754的應用電路設計 365

4.8 MC1648 225 MHz VCO電路 366

4.8.1 MC1648主要技術特性 366

4.8.2 MC1648引腳功能與內部結構 366

4.8.3 MC1648的應用電路設計 367

4.9 MC12148 1100 MHz低功耗VCO電路 369

4.9.1 MC12148芯片主要技術性能 369

4.9.2 MC12148引腳功能與內部結構 369

4.9.3 MC12148芯片應用電路設計 369

4.10 Si550 10 MHz~1.4 GHz VCXO電路 370

4.10.1 Si550 主要技術特性 370

4.10.2 Si550引腳功能與內部結構 370

4.10.3 Si550應用電路設計 371

4.11 VTO-8000系列600 MHz~10.85 GHz VCO電路 371

4.11.1 VTO-8000系列VCO主要技術特性 371

4.11.2 VTO-8000系列VCO的封裝形式與引腳功能 372

4.11.3 VTO-8000系列VCO的內部結構 372

4.11.4 VTO-8000系列VCO的應用電路設計 373

4.12 VTO-9000系列 320 MHz~2.3 GHz VCO電路 373

4.12.1 VTO-9000系列VCO主要技術特性 373

4.12.2 VTO-9000系列VCO引腳功能與內部結構 374

4.12.3 VTO-9000系列VCO應用電路設計 374

4.13 Si530/531 10 MHz~1.4 GHz晶體振蕩器 374

4.13.1 Si530/531主要技術特性 374

4.13.2 Si530/531引腳功能與內部結構 374

4.13.3 Si530/531的應用電路設計 375

4.14 MAX2472/MAX2473 0.5~2.5 GHz VCO緩沖放大器電路 376

4.14.1 MAX2472/MAX2473主要技術特性 376

4.14.2 MAX2472/MAX2473封裝形式與引腳結構 377

4.14.3 MAX2472/MAX2473內部結構 377

4.14.4 MAX2472/MAX2473應用電路設計 378

4.15 MAX2470/MAX2471 10~500 MHz VCO輸出緩沖電路 380

4.15.1 MAX2470/MAX2471的主要技術特性 380

4.15.2 MAX2470/MAX2471引腳功能與內部結構 381

4.15.3 MAX2470/MAX2471的應用電路設計 382

4.16 MAX9987/MAX9988 LO緩沖器/功率分配器電路 384

4.16.1 MAX9987/MAX9988主要技術特性 384

4.16.2 MAX9987/MAX9988引腳功能與內部結構 384

4.16.3 MAX9987/MAX9988應用電路設計 385

4.17 MAX9989/MAX9990 LO 緩沖器/功率分配器電路 387

4.17.1 MAX9989/MAX9990主要技術特性 387

4.17.2 MAX9989/MAX9990引腳功能與內部結構 387

4.17.3 MAX9989/MAX9990應用電路設計 387

4.18 RF2301 300~2500 MHz高隔離的緩沖放大器 389

4.18.1 RF2301的主要技術特性 389

4.18.2 RF2301引腳功能與內部結構 389

4.18.3 RF2301的應用電路設計 390

4.19 μPG2304TK 720 MHz/1320 MHz VCO緩沖器電路 391

4.19.1 μPG2304TK主要技術特性 391

4.19.2 μPG2304TK引腳功能與內部結構 391

4.19.3 μPG2304TK應用電路設計 392

第5章 前置分頻器電路設計[ST][HT5"SS] 393

5.1 PE3501/PE83501 0.4~3.5 GHz 2分頻前置分頻器電路 393

5.1.1 PE3501/PE83501主要技術特性 393

5.1.2 PE3501/PE83501引腳功能與內部結構 393

5.1.3 PE3501/PE83501芯片應用電路設計 394

5.2 PE3502/PE83502 1.5~3.5 GHz 4分頻前置分頻器電路 396

5.2.1 PE3502/PE83502主要技術特性 396

5.2.2 PE3502/PE83502引腳功能與內部結構 396

5.2.3 PE3502/PE83502芯片應用電路設計 396

5.3 PE3503/PE83503 1.5~3.5 GHz 8分頻前置分頻器電路 396

5.3.1 PE3503/PE83503主要技術特性 396

5.3.2 PE3503/PE83503引腳功能與內部結構 396

5.3.3 PE3503/PE83503芯片應用電路設計 397

5.4 PE3511 DC~1500 MHz 2分頻前置分頻器電路 397

5.4.1 PE3511主要技術特性 397

5.4.2 PE3511引腳功能與內部結構 397

5.4.3 PE3511芯片應用電路設計 398

5.5 PE3512 DC~1500 MHz 4分頻前置分頻器電路 399

5.5.1 PE3512主要技術特性 399

5.5.2 PE3512引腳功能與內部結構 399

5.5.3 PE3512芯片應用電路設計 400

5.6 PE3513 DC~1500 MHz 8分頻前置分頻器電路 400

5.6.1 PE3513主要技術特性 400

5.6.2 PE3513引腳功能與內部結構 400

5.6.3 PE3513芯片應用電路設計 400

5.7 PE83511 DC~1500 MHz 2分頻前置分頻器電路 401

5.7.1 PE83511主要技術特性 401

5.7.2 PE83511引腳功能與內部結構 401

5.7.3 PE83511芯片應用電路設計 402

5.8 PE83512 DC~1500 MHz 4分頻前置分頻器電路 402

5.8.1 PE83512主要技術特性 402

5.8.2 PE83512引腳功能與內部結構 402

5.8.3 PE83512芯片應用電路設計 403

5.9 PE83513 DC~1500 MHz 8分頻前置分頻器電路 403

5.9.1 PE83513主要技術特性 403

5.9.2 PE83513引腳功能與內部結構 403

5.9.3 PE83513芯片應用電路設計 404

5.10 PMB2313/PMB2314 1.1/2.1 GHz前置分頻器電路 404

5.10.1 PMB2313/PMB2314 主要技術特性 404

5.10.2 PMB2313/PMB2314引腳功能與內部結構 404

5.10.3 PMB2313/PMB2314應用電路設計 405

5.11 μPB1509GV 1 GHz前置分頻器電路 407

5.11.1 μPB1509GV的主要技術特性 407

5.11.2 μPB1509GV引腳功能與內部結構 407

5.11.3 μPB1509GV的應用電路設計 408

第6章 DDS(直接數(shù)字頻率合成器)電路設計 410

6.1 DDS系列芯片簡介 410

6.2 AD9830 50 MHz CMOS DDS電路 412

6.2.1 AD9830主要技術特性 412

6.2.2 AD9830引腳功能與內部結構 412

6.2.3 AD9830的應用電路 414

6.3 AD9831 25 MHz CMOS DDS電路 416

6.3.1 AD9831主要技術特性 416

6.3.2 AD9831引腳功能與內部結構 416

6.3.3 AD9831的應用電路 419

6.4 AD9832 25 MHz CMOS DDS電路 421

6.4.1 AD9832主要技術特性 421

6.4.2 AD9832引腳功能與內部結構 422

6.4.3 AD9832的應用電路 423

6.5 AD9833 0~12.5 MHz可編程波形發(fā)生器電路 426

6.5.1 AD9833主要技術特性 426

6.5.2 AD9833引腳功能與內部結構 426

6.5.3 AD9833的應用電路 427

6.6 AD9834 50 MHz DDS 電路 429

6.6.1 AD9834的主要技術特性 429

6.6.2 AD9834引腳功能、 內部結構與工作原理 429

6.6.3 AD9834的應用電路 440

6.7 AD9835 50 MHz CMOS DDS電路 442

6.7.1 AD9835主要技術特性 442

6.7.2 AD9835引腳功能與內部結構 442

6.7.3 AD9835的應用電路 443

6.8 AD9850 125 MHz CMOS DDS電路 445

6.8.1 AD9850主要技術特性 445

6.8.2 AD9850引腳功能與內部結構 446

6.8.3 AD9850應用電路 447

6.9 AD9851 180 MHz CMOS DDS/DAC電路 450

6.9.1 AD9851主要技術特性 450

6.9.2 AD9851引腳功能與內部結構 450

6.9.3 AD9851應用電路 450

6.10 AD9852 300 MSPS CMOS DDS電路 456

6.10.1 AD9852的主要技術特性 456

6.10.2 AD9852引腳功能與內部結構 456

6.10.3 AD9852的應用電路 468

6.11 AD9854 300 MSPS CMOS正交DDS電路 472

6.11.1 AD9854主要技術特性 472

6.11.2 AD9854引腳功能與內部結構 473

6.11.3 AD9854應用電路 473

6.12 AD9858 1GSPS DDS電路 477

6.12.1 AD9858的主要技術特性 477

6.12.2 AD9858引腳功能與內部結構 478

6.12.3 AD9858的應用電路 494

6.13 AD9859 400MSPS 1.8 V CMOS DDS電路 498

6.13.1 AD9859主要技術特性 498

6.13.2 AD9859引腳功能與內部結構 498

6.13.3 AD9859應用電路 501

6.14 AD9910 1GSPS 3.3 V 14位DDS電路 501

6.14.1 AD9910主要技術特性 501

6.14.2 AD9910引腳功能與內部結構 502

6.14.3 AD9910 應用電路 505

6.15 AD9912 1GSPS 3.3 V 14位 DDS電路 508

6.15.1 AD9912主要技術特性 508

6.15.2 AD9912引腳功能與內部結構 508

6.15.3 AD9912 應用電路 510

6.16 AD9951 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS電路 515

6.16.1 AD9951主要技術特性 515

6.16.2 AD9951引腳功能與內部結構 515

6.16.3 AD9951應用電路 515

6.17 AD9952 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS電路 515

6.17.1 AD9952主要技術特性 515

6.17.2 AD9952引腳功能與內部結構 516

6.17.3 AD9952應用電路 518

6.18 AD9953 400MSPS 1.8 V 14位CMOS DDS電路 519

6.18.1 AD9953主要技術特性 519

6.18.2 AD9953引腳功能與內部結構 519

6.18.3 AD9953應用電路 522

6.19 AD9954 400MSPS 1.8V CMOS DDS電路 522

6.19.1 AD9954主要技術特性 522

6.19.2 AD9954引腳功能與內部結構 523

6.19.3 AD9954應用電路 525

6.20 AD9956 基于2.7 GHz DDS的 AgileRFTM 合成器電路 528

6.20.1 AD9956主要技術特性 528

6.20.2 AD9956內部結構、 芯片封裝與功能引腳 528

6.20.3 AD9956 應用電路 530

6.21 AD9958 雙通道 500 MSPS DDS電路 535

6.21.1 AD9958主要技術特性 535

6.21.2 AD9958引腳功能與內部結構 535

6.21.3 AD9958 的應用電路 538

6.22 AD9959 500MSPS 4通道DDS電路 539

6.22.1 AD9959主要技術特性 539

6.22.2 AD9959引腳功能與內部結構 540

6.22.3 AD9959應用電路 543

6.23 ISL5314 125MSPS 14位DDS電路 548

6.23.1 ISL5314的主要技術特性 548

6.23.2 ISL5314引腳功能與內部結構 548

6.23.3 ISL5314的應用電路 555

6.24 Xilinx DDS v5.0 558

6.24.1 DDS v5.0主要技術特性 558

6.24.2 DDS引腳端符號與定義 558

6.24.3 DDS基本結構與工作原理 559

6.24.4 DDS參數(shù)設置 561

第7章 時鐘發(fā)生器電路設計 564

7.1 AD9510 1.2 GHz PLL內核8輸出的時鐘發(fā)生器電路 564

7.1.1 AD9510主要技術特性 564

7.1.2 AD9510 引腳功能與內部結構 564

7.1.3 AD9510的應用電路設計 567

7.2 AD9511 1.2 GHz PLL內核5輸出的時鐘發(fā)生器電路 567

7.2.1 AD9511主要技術特性 567

7.2.2 AD9511 引腳功能與內部結構 567

7.2.3 AD9511的應用電路設計 569

7.3 AD9512 1.6 GHz輸入/1.2 GHz 5輸出的時鐘發(fā)生器電路 570

7.3.1 AD9512主要技術特性 570

7.3.2 AD9512引腳功能與內部結構 570

7.3.3 AD9512的應用電路設計 574

7.4 AD9540 655 MHz低抖動時鐘發(fā)生器電路 576

7.4.1 AD9540主要技術特性 576

7.4.2 AD9540 引腳功能與內部結構 576

7.4.3 AD9540的應用電路設計 579

7.5 ADF4001 200 MHz鎖相環(huán)時鐘發(fā)生器電路 580

7.5.1 ADF4001主要技術特性 580

7.5.2 ADF4001的引腳功能與內部結構 580

7.5.3 ADF4001的應用電路設計 581

7.6 MC12439 50~800 MHz PLL時鐘發(fā)生器電路 584

7.6.1 MC12439主要技術特性 584

7.6.2 MC12439的封裝形式與引腳功能 584

7.6.3 MC12439的應用電路設計 587

7.7 MPC9229 400 MHz低電壓時鐘發(fā)生器電路 588

7.7.1 MPC9229芯片主要技術特性 588

7.7.2 MPC9229引腳功能與內部結構 589

7.7.3 MPC9229應用電路設計 592

7.8 MPC9992 400 MHz PLL時鐘發(fā)生器電路 594

7.8.1 MPC9992主要技術特性 594

7.8.2 MPC9992引腳功能與內部結構 595

7.8.3 MPC9992應用電路 596

參考文獻 598

本書共7章，介紹了鎖相環(huán)與頻率合成器電路的分析方法、電路結構、工作原理等相關知識，以及采用鎖相環(huán)與頻率合成器集成電路構成的鎖相環(huán)(PLL)、壓控振蕩器(VCO)、前置分頻器、直接數(shù)字頻率合成器(DDS)和時鐘發(fā)生器電路實例的主要技術性能、引腳端封裝形式、內部結構、工作原理、電原理圖、印制電路板圖和元器件參數(shù)等內容，頻率范圍從零至幾吉赫茲，其電原理圖、印制電路板圖和元器件參數(shù)等可以直接在工程設計中應用。

本書突出了"先進性、工程性、實用性"的特點，可以作為從事無線通信、移動通信、無線數(shù)據(jù)采集與傳輸系統(tǒng)、無線遙控和遙測系統(tǒng)、無線網(wǎng)絡、無線安全防范系統(tǒng)等應用研究的工程技術人員的參考書或工具書，也可以作為高等院校通信、電子等相關專業(yè)本科生和研究生的專業(yè)教材或教學參考書。

鎖相環(huán)設計是現(xiàn)代集成電路設計中的一個重要課題，在射頻無線通信、高速有線通信、光纖通信以及高性能數(shù)字電路等領域中都占有重要的地位。而且，鎖相環(huán)作為電路設計理論中最重要的混合信號負反饋系統(tǒng)之一，是一個合格的射頻及混合信號集成電路設計師必須了解和掌握的一項電路設計專業(yè)知識。頻率合成器是鎖相環(huán)在通信電路中最重要的應用，在任何一個無線接收發(fā)射器中都可以找到多個頻率合成器。了解和掌握頻率合成器性能指標、系統(tǒng)和電路單元設計，是一名通信集成電路設計師必備的專業(yè)素養(yǎng)。鎖相環(huán)的另一個重要應用是時鐘和數(shù)據(jù)恢復，主要應用于高速有線通信，包括光纖通信和金屬導線通信。

近20年以來，隨著無線通信設備、無線智能終端的普及和高速互聯(lián)網(wǎng)絡的發(fā)展，包括頻率合成器和時鐘恢復電路在內的通信電路設計技術都取得了長足的進步，尤其是基于大規(guī)模量產(chǎn)和較低成本CMOS工藝的射頻集成電路設計已經(jīng)成為工業(yè)界的主流。任何實用的射頻電路設計的知識，都應該是基于CMOS工藝和器件的實現(xiàn)。

隨著中國30多年飛速的發(fā)展，國內已經(jīng)形成了對無線通信設備和終端具有巨大需求的市場。相應地，在國內出現(xiàn)了許多本土和來自海外的射頻集成電路設計和生產(chǎn)廠商，射頻集成電路設計的水準和對這方面人才的需求也大幅上升。但是在此方面的教學和專業(yè)培訓卻相對滯后，尤其是大學教科書，還是停留在翻譯國外教材或沿用老化的教材，和其他相關領域如計算機教材形成很大的反差。隨著中國集成電路設計產(chǎn)業(yè)的發(fā)展壯大，據(jù)筆者了解，廣大的設計人員苦于沒有一本跟上學科前沿、選材契合設計實踐的中文參考書。

即便在國外已有的參考書中，大部分已出版多年，雖然會在再版時更新和補充一些新的內容，但仍無法跟上技術的進步。比如很多關于鎖相環(huán)的參考書是基于反饋控制理論來講述的，包含了大量的控制理論，卻沒有結合集成電路設計。還有很多鎖相環(huán)的參考書選材過于龐雜，涵蓋了大量的控制理論和通信信號處理，等等，和鎖相環(huán)集成電路的設計基本沒有任何直接的聯(lián)系。另外一類鎖相環(huán)參考書則選題非常狹窄和專業(yè)，比如只講述全數(shù)字鎖相環(huán)等非常專門的知識，這類參考書通常是由某博士論文直接改編或一組專業(yè)論文編纂而來的，很難針對廣大的集成電路設計人員和院校中的研究人員。CMOS集成鎖相環(huán)電路設計前言[1][2][2]本書以鎖相環(huán)及鎖相環(huán)在射頻頻率合成器和時鐘恢復中的應用為主題，以集成CMOS為電路實現(xiàn)方法，詳細討論從基礎原理、系統(tǒng)考量和晶體管級電路設計細節(jié)到實際設計生產(chǎn)中遇到的實際問題，盡力給廣大工業(yè)界集成電路設計人員和院校研究機構研究人員和研究生提供一本原理清晰透徹、設計講解詳細豐富、內容前沿實用的集成電路設計參考書。

從選材來看，從鎖相環(huán)負反饋原理出發(fā)，先介紹鎖相環(huán)及頻率合成器在通信電路中的應用和性能，然后由鎖相環(huán)基本結構、主要模塊電路設計細節(jié)逐漸深入到基于差分積分調制器的分數(shù)型鎖相環(huán)設計，包括其核心的差分積分調制器設計，接著擴展到最前沿的全數(shù)字鎖相環(huán)設計和基于鎖相環(huán)的相位調制。在鎖相環(huán)設計之外，專門介紹壓控振蕩器的設計，包括電容電感振蕩器和環(huán)振蕩器設計;此外介紹了基于延遲鎖定環(huán)的頻率合成器，最后指出在實際鎖相環(huán)設計生產(chǎn)中的問題。由于時鐘和數(shù)據(jù)恢復電路設計較為獨立，自成一體，在第14章中單獨進行介紹。從其在高速有線通信中的應用背景出發(fā)，先介紹其主要設計指標、基本環(huán)路結構，然后講解基本子電路模塊，包括全速率和半速率線性和二進制鑒相器、鑒頻器和電荷泵等，最后以基于相位內插值的數(shù)字時鐘恢復電路結束。