場效應管與晶體管的比較

(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。

(2)場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電。被稱之為雙極型器件。

(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。

(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用 為了防止場效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán) 等;當然,如果能采用先進的氣熱型電烙鐵,焊接場效應管是比較方便的,并且確保安全;在未關(guān)斷電源時,絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。

因為流通截面積增大,所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。2100433B

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(1)場效應管是電壓控制元件,而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下,應選用場效應管;而在信號電壓較低,又允許從信號源取較多電流的條件下,應選用晶體管。

(2)場效應管是利用多數(shù)載流子導電,所以稱之為單極型器件,而晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù)載流子導電。被稱之為雙極型器件。

(3)有些場效應管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負,靈活性比晶體管好。

(4)場效應管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場效應管集成在一塊硅片上,因此場效應管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應用 為了防止場效應管柵極感應擊穿,要求一切測試儀器、工作臺、電烙鐵、線路本身都必須有良好的接地;管腳在焊接時,先焊源極;在連入電路之前,管的全部引線端保持互相短接狀態(tài),焊接完后才把短接材料去掉;從元器件架上取下管時,應以適當?shù)姆绞酱_保人體接地如采用接地環(huán) 等;當然,如果能采用先進的氣熱型電烙鐵,焊接場效應管是比較方便的,并且確保安全;在未關(guān)斷電源時,絕對不可以把管插人電路或從電路中拔出。以上安全措施在使用場效應管時必須注意。

因為流通截面積增大,所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。

(1)判定柵極G

將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其它兩腳的電阻均呈無窮大,并且交換表筆后仍為無窮大,則證明此腳為G極,因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

(2)判定源極S、漏極D

在源-漏之間有一個PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極。

(3)測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)

將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應為幾歐至十幾歐。

由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。

(4)檢查跨導

將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應有明顯偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)愈大,管子的跨導愈高。

vmos管相似產(chǎn)品比較常見問題

  • 哪個是比較相似的項了?

    找個施工工藝相近的定額項套用好了; 我沒有山西定額啊;

  • 匹配相似工程

    新建一個4.0文件 然后導入excel清單 導入清單的界面就有一個匹配歷史工程

  • 相似的概念辨析

    1:柱子的高度是基礎(chǔ)頂平到首層樓板上平。層間柱高下層地面樓板上平到上層樓板上平。 2:柱子凈高下層樓板上平到上層樓板下平。 3:結(jié)構(gòu)標高是下層樓板上平到上層樓板上平。

(1)VMOS管亦分N溝道管與P溝道管,但絕大多數(shù)產(chǎn)品屬于N溝道管。對于P溝道管,測量時應交換表筆的位置。

(2)有少數(shù)VMOS管在G-S之間并有保護二極管,本檢測方法中的1、2項不再適用。

(3)目前市場上還有一種VMOS管功率模塊,專供交流電機調(diào)速器、逆變器使用。例如美國IR公司生產(chǎn)的IRFT001型模塊,內(nèi)部有N溝道、P溝道管各三只,構(gòu)成三相橋式結(jié)構(gòu)。

(4)現(xiàn)在市售VNF系列(N溝道)產(chǎn)品,是美國Supertex公司生產(chǎn)的超高頻功率場效應管,其最高工作頻率fp=120MHz,IDSM=1A,PDM=30W,共源小信號低頻跨導gm=2000μS。適用于高速開關(guān)電路和廣播、通信設備中。

(5)使用VMOS管時必須加合適的散熱器后。以VNF306為例,該管子加裝140×140×4(mm)的散熱器后,最大功率才能達到30W。

VMOS場效應管(VMOSFET)簡稱VMOS管或功率場效應管,其全稱為V型槽MOS場效應 管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動電流?。ㄗ笥?.1μA左右), 還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于 它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應用。

眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,其兩大結(jié)構(gòu)特點:第一,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);第二,具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,而是自重摻雜N 區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),最后垂直向下到達漏極D。因為流通截面積增大,所以能通過大電流。由于在柵極與芯片之間有二氧化硅絕緣層,因此它仍屬于絕緣柵型MOS場效應管。

(1)判定柵極G

將萬用表撥至R×1k檔分別測量三個管腳之間的電阻。若發(fā)現(xiàn)某腳與其它兩腳的電阻均呈無窮大,并且交換表筆后仍為無窮大,則證明此腳為G極,因為它和另外兩個管腳是絕緣的。

(2)判定源極S、漏極D

在源-漏之間有一個PN結(jié),因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異,可識別S極與D極。用交換表筆法測兩次電阻,其中電阻值較低(一般為幾千歐至十幾千歐)的一次為正向電阻,此時黑表筆的是S極,紅表筆接D極。

(3)測量漏-源通態(tài)電阻RDS(on)

將G-S極短路,選擇萬用表的R×1檔,黑表筆接S極,紅表筆接D極,阻值應為幾歐至十幾歐。

由于測試條件不同,測出的RDS(on)值比手冊中給出的典型值要高一些。例如用500型萬用表R×1檔實測一只IRFPC50型VMOS管,RDS(on)=3.2W,大于0.58W(典型值)。

(4)檢查跨導

將萬用表置于R×1k(或R×100)檔,紅表筆接S極,黑表筆接D極,手持螺絲刀去碰觸柵極,表針應有明顯偏轉(zhuǎn),偏轉(zhuǎn)愈大,管子的跨導愈高。

眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,其兩大結(jié)構(gòu)特點:

第一,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);

第二,具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,而是自重摻雜N 區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),最后垂直向下到達漏極D。

它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動電流?。ㄗ笥?.1μA左右), 還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于 它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應用。

它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的。它不僅繼承了MOS場效應管輸入阻抗高(≥108W)、驅(qū)動電流小(左右0.1μA左右), 還具有耐壓高(最高可耐壓1200V)、工作電流大(1.5A~100A)、輸出功率高(1~250W)、跨導的線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)良特性。正是由于 它將電子管與功率晶體管之優(yōu)點集于一身,因此在電壓放大器(電壓放大倍數(shù)可達數(shù)千倍)、功率放大器、開關(guān)電源和逆變器中正獲得廣泛應用。

眾所周知,傳統(tǒng)的MOS場效應管的柵極、源極和漏極大致處于同一水平面的芯片上,其工作電流基本上是沿水平方向流動。VMOS管則不同,其兩大結(jié)構(gòu)特點:

第一,金屬柵極采用V型槽結(jié)構(gòu);

第二,具有垂直導電性。由于漏極是從芯片的背面引出,所以ID不是沿芯片水平流動,而是自重摻雜N+ 區(qū)(源極S)出發(fā),經(jīng)過P溝道流入輕摻雜N-漂移區(qū),最后垂直向下到達漏極D。

vmos管相似產(chǎn)品比較文獻

面向多品種引信類產(chǎn)品的相似制造工程 面向多品種引信類產(chǎn)品的相似制造工程

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大?。?span id="a1wivyf" class="single-tag-height">388KB

頁數(shù): 3頁

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詳細論述了相似制造工程的含義,并指出了進行多品種引信類產(chǎn)品相似制造工程的重要性和必要性;在分析相似制造工程國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上,提出了多品種引信類產(chǎn)品相似制造工程的主要內(nèi)容及其實現(xiàn)技術(shù),給出了基于PDM的集成框架體系;對相似制造工程理論進行了初步探索,為相似制造工程的應用起到了一定的借鑒作用.

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頁數(shù): 3頁

評分: 4.5

詳細論述了相似制造工程的含義 ,并指出了進行多品種引信類產(chǎn)品相似制造工程的重要性和必要性 ;在分析相似制造工程國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀的基礎(chǔ)上 ,提出了多品種引信類產(chǎn)品相似制造工程的主要內(nèi)容及其實現(xiàn)技術(shù) ,給出了基于PDM的集成框架體系 ;對相似制造工程理論進行了初步探索 ,為相似制造工程的應用提供一定的借鑒作用。

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功率場效應管(VMOS)是單極型電壓控制器件。具有驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等顯著特點,還具有電流負溫度系數(shù)、良好的電流自動調(diào)節(jié)能力、良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力等優(yōu)點。其缺點是通態(tài)電阻大、導通壓降高、耐壓和電流容量較難提高等。

一、結(jié)構(gòu)特性

1、結(jié)構(gòu)原理

場效應管有垂直導電與橫向?qū)щ妰煞N結(jié)構(gòu),根據(jù)載流子的性質(zhì),又可分為N溝道和P溝道兩種類型v功率場效應管幾乎都是由垂直導電結(jié)構(gòu)組成的,這種結(jié)構(gòu)的場效應管稱為Venical-MOSFET,簡稱VMOS。其典型結(jié)構(gòu)、等效電路及電路符號如圖1所示,它是一種垂直導電的雙擴散MOS結(jié)構(gòu),在源極與漏極之間有一層0.1μm左右的氧化膜形成的柵極。這種結(jié)構(gòu)可降低漏源阻值,提高電流容量,高電阻率的漂移區(qū)用于提高耐壓容量,降低結(jié)電容并使溝道長度穩(wěn)定。實際器件是由許多與此典型結(jié)構(gòu)完全相同的元胞器件集成在一起的。

(a)VMOS的結(jié)構(gòu);(b)等效電路;(c)符號

若在柵源之間施加足夠大的正電壓,則會在柵極下P區(qū)感應出電子形成N型溝道(反型層),把基底N-區(qū)與源極N+區(qū)勾通起來。這時,若在漏源之間施加電壓,則主電流便會從漏極經(jīng)過漏區(qū)、溝道和源區(qū)流入源極。如柵源之間加負電壓,則柵極下P區(qū)呈現(xiàn)空穴堆積狀態(tài),不可能出現(xiàn)反型層,無法勾通源區(qū)與漏區(qū);即使柵源電壓為正但數(shù)值不夠大時,柵極下的P區(qū)呈耗盡狀態(tài)也不會出現(xiàn)反型層,同樣無法勾通源區(qū)與漏區(qū)。這兩種情況下,VMOS都處于截止狀態(tài),即使施加漏極電壓也沒有漏極電流??梢?,柵極電壓可控制溝道電阻,從而可控制漏極電流的大小。

由圖還可看出,VMOS中還分別存在一個寄塵的三極管和一個反并聯(lián)二極管。這使VMOS的反向特性像--個PN結(jié)整流二極管。某些電路需要一個快速二極管與開關(guān)器件反向并聯(lián)時,此寄生二極管可供利用。

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這是一份來自兒女對父母的無限關(guān)愛,研發(fā)者是新一代的年輕人,在他們?yōu)閴粝攵^斗時,他們卻放慢腳步,將目光留給自己的家人。

如今,隨著生活節(jié)奏的加快,年輕人皆在外為生活奔波,以往陪伴父母的身影在無聲無息中淡卻。時間慢慢沉淀,年輕人離目標越來越近,而疼愛孩子的父母卻輸給了時間,做家務弓起腰身你,纏繞著兒女的心。

這便是dymosen誕生的初衷,VMOS智能擦窗機器人是其應運而生的產(chǎn)物,只想讓老一輩父母別再為擦窗煩惱,只管享受生活的美好。

凈享科技,見即傾心,從此,父母的視界更明亮。

1.超強真空大吸力、科技與藝術(shù)的交融

2800Pa強大吸力自動探測補償吸附力,實時監(jiān)測氣壓狀況;仿人工智能,媲美人工擦拭,高轉(zhuǎn)速、強扭力,突破傳統(tǒng)擦窗方式,智能反復清潔,讓父母擺脫擦窗煩惱。

2.智能覆蓋,省心省力

N、Z兩種模式自行選擇,智能反復擦拭,路徑記憶智能省心。

3.無刷電機、強勁吸附

無刷電機保證穩(wěn)健運行,動力持久,高轉(zhuǎn)速,運行順暢無摩擦,超低噪音,使用壽命長,強勁吸附,多界適用。

4.360°轉(zhuǎn)向靈巧避障、凈無止“靜”

感知周圍環(huán)境,自由轉(zhuǎn)向,擦窗機底部的萬向輪,會根據(jù)窗戶的大小、結(jié)構(gòu)不同,靈活反應,轉(zhuǎn)變方向。 無刷電機技術(shù)使得擦窗機在操作過程中噪音很低,只有60dB,如微風拂過窗簾,讓您的家人睡眠無憂!

5.智能人性化設計、遙控一鍵操縱

擦窗機擦完1平方米的玻璃,僅需2分鐘,智能操作開關(guān),只需輕輕一按即可進行擦窗工作。遙控一鍵式啟動,可執(zhí)行:暫停、開啟和關(guān)閉任務。

生活中,智能產(chǎn)品的廣泛應用早已不是一種奢侈感,而是當代人的生活模式,VMOS智能擦窗機器人的出現(xiàn),更是一種創(chuàng)新。

爸媽年紀大了,做家務有些吃力,給他們買一個VMOS,擦窗戶省事兒多了!

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寶媽們每天做家務太辛苦了,有VMOS在,就可以放松享受生活了!

美好生活,只需一個小小的改變就能實現(xiàn)。

功率場效應晶體管及其特性

一、 功率場效應晶體管是電壓控制器件,在功率場效應晶體管中較多采用的是V溝槽工藝,這種工藝生產(chǎn)地管稱為VMOS場效應晶體管,它的柵極做成V型,有溝道短、耐壓能力強、跨導線性好、開關(guān)速度快等優(yōu)點,故在功率應用領(lǐng)域有著廣泛的應用,出現(xiàn)一種更好的叫TMOS管,它是在VMOS管基礎(chǔ)上改進而成的,沒有V形槽,只形成了很短的導通溝槽。

二、 功率場效應晶體管的基本參數(shù)及符號

1.極限參數(shù)和符號

(1) 漏源極間短路時,柵漏極間的耐壓VGDS

(2) 漏源極間開路時,柵漏極間的耐壓VGSO

(3) 柵源極在規(guī)定的偏壓下,漏源極間耐壓VDSX

(4) 擊穿電壓BVDS

(5) 柵極電流IG

(6) 最大漏電極耗散功率PD

(7) 溝道溫度TGH,存儲溫度TSTG

2.電氣特性參數(shù)和符號

(1) 柵極漏電電流IGSS

(2) 漏極電流IDSS

(3) 夾斷電壓VP

(4) 柵源極門檻極電壓VGS(th)

(5) 導通時的漏極電流ID(on)

(6) 輸入電容Ciss

(7) 反向傳輸電容Crss

(8) 導通時的漏源極間電阻RDS(on)

(9) 導通延時時間td(on)

(10)上升時間tr

(11)截止延時時間td(off)

(12)下降時間tf

這些參數(shù)反映了功率場效應晶體管在開關(guān)工作狀態(tài)下的瞬間響應特性,在功率場效應晶體管用于電機控制等用途時特別有用。

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