指內(nèi)含集成電路的硅片,體積很小,常常是計(jì)算機(jī)或其他電子設(shè)備的一部分。
中文名稱 | 芯片 | 英文名稱 | coreplate |
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1. LED的封裝的任務(wù) 是將外引線連接到LED芯片的電極上,同時(shí)保護(hù)好LED芯片,并且起到提高光取出效率的作用。關(guān)鍵工序有裝架、壓焊、封裝。2. LED封裝形式 LED封裝形式可以說(shuō)是五花八門,主要...
芯片一個(gè)一個(gè)貼,先用熱風(fēng)槍融錫
DSP芯片可以按照下列三種方式進(jìn)行分類。1.按基礎(chǔ)特性分這是根據(jù)DSP芯片的工作時(shí)鐘和指令類型來(lái)分類的。如果在某時(shí)鐘頻率范圍內(nèi)的任何時(shí)鐘頻率上,DSP芯片都能正常工作,除計(jì)算速度有變化外,沒(méi)有性能的下...
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關(guān)于幾種常用芯片的比較 3528 芯片:?jiǎn)晤w 0.06W,單顆流明 7-9LM 3528 技術(shù)穩(wěn)定成熟, 發(fā)熱量極低, 光衰小, 光色一致性好, 并廣泛應(yīng)用于 LED 電腦顯示器, LED 電視機(jī)背光照明使用。 3528 芯片因?yàn)榱炼雀?,光線柔和,單顆功率低,發(fā)熱量低等特點(diǎn),完全符合 LED 吸頂燈全 面板光源需求, 全面板光源的應(yīng)用完全彌補(bǔ)了環(huán)形燈管光線不均勻, 中間以及外圍有暗區(qū)的 缺陷,真正實(shí)現(xiàn)了無(wú)暗區(qū)。 5630/6040 芯片:?jiǎn)晤w功率 0.5-0.6W,單顆流明 30-50W 新近出現(xiàn)的封裝模式, 發(fā)光強(qiáng)度及發(fā)熱量介于中功率和大功率之間, 產(chǎn)量低, 光色一致性較 差,主要用于燈泡,射燈,筒燈,天花燈等高密度燈具,光強(qiáng)很強(qiáng),炫光感強(qiáng),很刺眼,必 須配獨(dú)立的全鋁散熱器,否則在很短時(shí)間內(nèi)會(huì)出現(xiàn)嚴(yán)重光衰,嚴(yán)重影響燈具壽命。 大功率 1W 芯片:?jiǎn)晤w功率為 1W,單顆流明 80-90
芯片組SIS芯片
SiS 620芯片組
SiS 620是SiS家族最早推出的整合型芯片組,該芯片組支持P6總線協(xié)議,支持Celeron/PentiumⅡ/PentiumⅢ,北橋芯片上集成了獨(dú)立的64位2D/3D圖形處理器--SiS 6326,可選擇外接2MB,4MB或8MB同步顯存,支持230MHz RAMDAC。通過(guò)UMA(統(tǒng)一存儲(chǔ)結(jié)構(gòu))可以把主內(nèi)存作為幀緩沖使用,它還支持液晶顯示器輸出,2D性能較佳,但3D性能較弱,所以未能得到個(gè)人用戶的支持,但在商用領(lǐng)域卻使用得較為廣泛。
SiS 630芯片組
SiS 630芯片組繼SiS620之后,SiS又推出了高整合,高性能的SiS630系列(包括630、630E、630S)。SiS630系列芯片組整合程度相當(dāng)高,它將南,北橋芯片合二為一,并且整合了3D圖形芯片SiS300/301.SiS 300/301是一款真正128位的3D圖形加速引擎,支持許多3D特效,據(jù)稱它比SiS 6326快5倍,性能大概與NⅥDIA的TNT2顯卡相當(dāng)。另外,SiS 301還可以接駁第二臺(tái)CRT顯示器或電視機(jī),可以滿足用戶的不同需要。
SiS650芯片組
SiS650芯片組主要由北橋芯片SiS650和南橋芯片SiS961組成,支持DDR333,DDR266和PC133內(nèi)存,最高可達(dá)3GB內(nèi)存容量,支持新一代的Pentium4,并且采用矽統(tǒng)獨(dú)創(chuàng)的MuTIOL技術(shù),提供高達(dá)533M/s的超高帶寬與南橋SiS961相連。而且內(nèi)部集成了矽統(tǒng)自行研發(fā)的256位 2D\3D繪圖芯片SiS315,并擁有高達(dá)2GB/s的顯示內(nèi)存數(shù)據(jù)寬帶。而且南橋SiS961芯片具備強(qiáng)大的功能,支持AC'97聲卡,10 /100M自適應(yīng)以太網(wǎng)卡,V.90Modem,6組PCI插槽以及6個(gè)USB接口等等,在功能上強(qiáng)過(guò)它以往推出的整合芯片組。
SiS 730S芯片組
SiS 730S是業(yè)界第一顆支持AMD Athlon處理器平臺(tái)的整合單芯片。與SiS 630相比,除了處理器接口協(xié)議不同以外,其余沒(méi)有任何改變。SiS 730S將一塊BGA(672根針腳)封裝的北橋邏輯芯片、SiS 960超級(jí)南橋芯片及128位的SiS 300圖形芯片整合為單芯片??芍С?D立體眼鏡、DVD硬件加速與雙重顯示輸出,以及內(nèi)建3D立體音效、56kbps Modem、100Mbps以太網(wǎng)卡(Fast Ethernet)、1/10Mbps家庭網(wǎng)絡(luò)(Home PNA)、ATA/100接口、ACR接口,另外,最多支持6USB設(shè)備接入的2個(gè)USB控制器。該芯片特別設(shè)計(jì)可供升級(jí)的AGP 4X接口,以滿足消費(fèi)者額外的需求。而共享式顯存設(shè)計(jì)最大可以由主內(nèi)存中分配64MB內(nèi)存作為SiS 300的顯示緩存使用(可以在4/8/16/32/64MB之間選擇共享容量)。支持3GB內(nèi)存的SiS 730S最多可以使用3條DIMM插槽接入,最大支持單條512MB SDRAM。
芯片解密訊:如果說(shuō),芯片的定義就是存儲(chǔ),那么AI芯片就像是“智能大腦”,它不僅僅可以進(jìn)行數(shù)據(jù)的存儲(chǔ),還可讓AI芯片產(chǎn)物對(duì)實(shí)時(shí)概況自行做出選擇;無(wú)論是智能手機(jī),無(wú)人駕駛還是機(jī)器人等的發(fā)展都需要依托于AI芯片。
而對(duì)于目前發(fā)展火熱的無(wú)人駕駛來(lái)講,AI充當(dāng)著大腦,在遇到異常情況時(shí),可為車輛提供出足夠的信息供車輛進(jìn)行自主判斷。未來(lái)的智能產(chǎn)物將更加的“人性化”,智能數(shù)字技術(shù)的發(fā)展,讓智能產(chǎn)物具備了某種思考與學(xué)習(xí)的能力,而在未來(lái),人們將賦予芯片更多的功能。
據(jù)芯片解密小編了解,更具“人性化”的機(jī)器人看起來(lái)能夠像人類一樣具備思考,學(xué)習(xí),操作等能力,實(shí)則是通過(guò)芯片進(jìn)行海量的信息收集、整理、運(yùn)算,然后做出反應(yīng),甚至應(yīng)對(duì)不確定的任務(wù)。
而AI芯片的興起無(wú)疑是一場(chǎng)“芯”戰(zhàn)場(chǎng),在這場(chǎng)戰(zhàn)役中,國(guó)產(chǎn)芯走在了國(guó)際的最前列;我國(guó)華為率先研發(fā)成功的人工智能AI手機(jī)芯片成為了各國(guó)爭(zhēng)相模仿的對(duì)象;面向技術(shù)成熟,智能芯片仍有許多坎需要跨越。
首先是研發(fā)成本高,需要大量的資金作為技術(shù)支持,且回報(bào)周期長(zhǎng);其次是應(yīng)用難,從研究到創(chuàng)造到應(yīng)用,需要經(jīng)過(guò)嚴(yán)控的把關(guān)與測(cè)試,因此芯片解密認(rèn)為,AI芯片的研發(fā)門檻很高。
在芯片解密小編看來(lái),盡管AI芯片的發(fā)展面臨著很多的困境,但作為新興產(chǎn)業(yè)技術(shù),為許多創(chuàng)業(yè)型、傳統(tǒng)型廠商帶來(lái)了發(fā)展的新機(jī)遇,而對(duì)于國(guó)產(chǎn)芯片技術(shù)來(lái)講,也是一次全新的開(kāi)始,在未來(lái),AI芯片行業(yè)的發(fā)展將會(huì)愈演愈烈。
LED芯片分類
定義:MB 芯片﹕Metal Bonding (金屬粘著)芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品
特點(diǎn):1、 采用高散熱系數(shù)的材料---Si 作為襯底﹐散熱容易.
Thermal Conductivity
GaAs: 46 W/m-K
GaP: 77 W/m-K
Si: 125 ~ 150 W/m-K
Cupper:300~400 W/m-k
SiC: 490 W/m-K
2、通過(guò)金屬層來(lái)接合(wafer bonding)磊晶層和襯底,同時(shí)反射光子,避免襯底的吸收.
3、導(dǎo)電的Si 襯底取代GaAs 襯底,具備良好的熱傳導(dǎo)能力(導(dǎo)熱系數(shù)相差3~4 倍),更適應(yīng)于高驅(qū)動(dòng)電流領(lǐng)域。4、底部金屬反射層﹐有利于光度的提升及散熱
5、尺寸可加大﹐應(yīng)用于High power 領(lǐng)域﹐eg : 42mil MB
定義:GB 芯片﹕Glue Bonding (粘著結(jié)合)芯片﹔該芯片屬于UEC 的專利產(chǎn)品
特點(diǎn): 1﹕透明的藍(lán)寶石襯底取代吸光的GaAs襯底﹐其出光功率是傳統(tǒng)AS (Absorbable structure)芯片的2倍以上﹐藍(lán)寶石襯底類似TS芯片的GaP襯底.
2﹕芯片四面發(fā)光﹐具有出色的Pattern圖
3﹕亮度方面﹐其整體亮度已超過(guò)TS芯片的水平(8.6mil)
4﹕雙電極結(jié)構(gòu)﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極TS芯片定義和特點(diǎn)
TS芯片
定義:TS 芯片﹕ transparent structure(透明襯底)芯片﹐該芯片屬于HP 的專利產(chǎn)品。
特點(diǎn):1.芯片工藝制作復(fù)雜﹐遠(yuǎn)高于AS LED
2. 信賴性卓越
3.透明的GaP襯底﹐不吸收光﹐亮度高
4.應(yīng)用廣泛
AS芯片
定義:AS 芯片﹕Absorbable structure (吸收襯底)芯片﹔經(jīng)過(guò)近四十年的發(fā)展努力﹐臺(tái)灣LED光電業(yè)界對(duì)于該類型芯片的研發(fā)﹑生產(chǎn)﹑銷售處于成熟的階段﹐各大公司在此方面的研發(fā)水平基本處于同一水平﹐差距不大. 大陸芯片制造業(yè)起步較晚﹐其亮度及可靠度與臺(tái)灣業(yè)界還有一定的差距﹐在這里我們所談的AS芯片﹐特指UEC的AS芯片﹐eg: 712SOL-VR, 709SOL-VR, 712SYM-VR,709SYM-VR 等
特點(diǎn): 1. 四元芯片﹐采用 MOVPE工藝制備﹐亮度相對(duì)于常規(guī)芯片要亮
2. 信賴性優(yōu)良
3. 應(yīng)用廣泛
1、LPE:Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2、VPE:Vapor Phase Epitaxy(氣相磊晶法) GaAsP/GaAs
3、MOVPE:Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有機(jī)金屬氣相磊晶法) AlGaInP、GaN
4、SH:GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(單異型結(jié)構(gòu))GaAlAs/GaAs
5、DH:GaAlAs/GaAs Double Heterostructure, (雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAs
6、 DDH:GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure, (雙異型結(jié)構(gòu)) GaAlAs/GaAlAs