中文名 | 有載品質(zhì)因數(shù) | 外文名 | loaded quality factor |
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所屬學(xué)科 | 電子學(xué) | 公布時間 | 1993年 |
《電子學(xué)名詞》第一版。 2100433B
1993年,經(jīng)全國科學(xué)技術(shù)名詞審定委員會審定發(fā)布。
數(shù)字電橋里什么是品質(zhì)因數(shù)Q和損耗值D
Q-D雙臂電橋用來測量低電阻,因電橋已將電表內(nèi)阻對電路影響消除,而在測低阻值電阻時要將導(dǎo)線電阻與接觸電阻對電路影響減小,因而對電橋改進成開爾文雙臂電橋。因為沒圖實在沒辦法說明原理,僅能對你的問題作定性...
電腦功率的大概的計算方法大家都有自己的電腦,可是少有網(wǎng)友對自己的電腦功率一清二楚,尤其是對于自組裝電腦的電源選擇,一般都是根據(jù)商家的建議,選個350W或400W的電源規(guī)格,或者更大,都清楚大了沒問題,...
功率因數(shù)是電力系統(tǒng)的一個重要的技術(shù)數(shù)據(jù)。功率因數(shù)是衡量電氣設(shè)備效率高低的一個系數(shù)。功率因數(shù)低,說明電路用于交變磁場轉(zhuǎn)換的無功功率大, 從而降低了設(shè)備的利用率,增加了線路供電損失。在交流電路中,電壓與電...
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評分: 4.4
以環(huán)氧樹脂為基體,以經(jīng)退火的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9非晶粉體為增強材料,制備了樹脂基磁性復(fù)合材料,并研究了磁粉種類、非晶粉體粒徑、非晶粉體退火條件、納米晶粉體含量及復(fù)合材料退火條件對復(fù)合材料的品質(zhì)因數(shù)的影響。結(jié)果表明,以經(jīng)550℃×0.5h退火的Fe73.5Cu1Nb3Si13.5B9納米晶粉體為組元的品質(zhì)因數(shù)最小;隨著納米晶粉體含量的增加,復(fù)合材料的品質(zhì)因數(shù)減小;對復(fù)合材料進行退火處理可以使其品質(zhì)因數(shù)減小。
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評分: 4.7
三相交流電源供電的較大功率變頻空調(diào)日益得到廣泛應(yīng)用,帶來了三相整流器的功率校F問題。在簡要分析三相單開關(guān)部分有源PFC的基礎(chǔ)上,根據(jù)三相三線制、三相四線制供電方式的不同,提出了兩種結(jié)合有源PFC技術(shù)和無源PFC技術(shù)的Buck型混合三相有源部分PFC方案,在對其工作原理進行簡要分析和仿真分析的基礎(chǔ)上,進行了實驗研究,所得結(jié)果驗證了所提出的三相部分PFC具有電壓與電流應(yīng)力小、效率高、功率因數(shù)高、直流平均電壓較高的特點,各種負載下交流輸入側(cè)的各次諧波電流均滿足IEC61000-3-2標(biāo)準(zhǔn),中等負載以上時輸入功率因數(shù)高達0.98。
定義介紹
電學(xué)品質(zhì)因數(shù)electrical quality factor任何電介質(zhì),包括 壓電陶瓷在內(nèi),當(dāng)它處在電場中,尤共是交變電場中長期工 作,都或多或少地有發(fā)熱現(xiàn)象產(chǎn)生.這說明介質(zhì)內(nèi)部發(fā)生了 某種能量的耗散,這就是介質(zhì)損耗。換言之,介質(zhì)損耗越少, 材料的電學(xué)品質(zhì)因數(shù)(Q〔、)就越ni囚此電學(xué)品質(zhì)因數(shù)和介 質(zhì)}f i耗角正切使一樣是表征介質(zhì)品質(zhì)的一個重要指標(biāo),旦兩 者互成倒數(shù)。 2100433B
品質(zhì)因數(shù)基本簡介
品質(zhì)因數(shù)(Q因數(shù))
quality factor
電學(xué)和磁學(xué)的量。表征一個儲能器件(如電感線圈、電容等)、諧振電路中所儲能量同每周期損耗能量之比的一種質(zhì)量指標(biāo);電抗元件的Q值等于它的電抗與其等效串聯(lián)電阻的比值;元件的Q值愈大,用該元件組成的電路或網(wǎng)絡(luò)的選擇性愈佳。
定義解釋
Qm 產(chǎn)生的本質(zhì)與表征:
機械品質(zhì)因數(shù) Qm 值表征壓電體在諧振時因克服內(nèi)摩擦而消耗的能量,它定義為:
Qm = 2 π(諧振時振子儲存的機械能量/諧振每周振子機械損耗的能量)
由此可知 ,機械品質(zhì)因數(shù) Qm 值反映壓電材料的機械損耗的大小 , 機械損耗越小 , Qm 值越大。
在實際計算材料的 Qm 值時 ,對于壓電振子的等效電路圖 ,采用下面近似公式:
Qm = 1/ 4 π( C0 C1) R1 Δf
式中 C0 為壓電振子的靜態(tài)電容 , R1 為振子諧振時的等效電阻 , C1 為振子的動態(tài)電容 , Δf 是振子的諧振
頻率 f r 與反諧振頻率 f a 之差. 一般采用傳輸線路法 , 測得Δf 、 R1等 , 然后計算 Qm 值。
理論上從材料配比與摻雜改性進行研究 ,實踐上從工藝方面進行改進 ,是能夠調(diào)整壓電陶瓷材料的
Qm 值 ,改善其溫度穩(wěn)定性 ,從而使壓電陶瓷材料獲得更為廣泛的應(yīng)用的有效方法。