多晶硅太陽能電池板規(guī)格及電性能參數(shù)表

多晶硅太陽能電池板規(guī)格及電性能參數(shù)表 型號 最大功 率 wp(w) 最佳工作 電壓 vm(v) 最佳工作 電流 im(a) 開路電壓 voc(v) 短路電流 isc(a) 硅片尺寸 (mm) 硅片 排列(zhòng)n玻璃尺寸 w*l*h(mm) 組件尺寸 w*l*h(mm) 安裝孔縱 向間距a 安裝孔 橫向間 距b 安裝孔 大小n 裝箱數(shù) (pcs) 裝箱尺寸(mm) 重量 (kg) sun-5d5170.2921.50.3278*143*12321*178*3327*184*281261424-φ6.410370*228*3101.0 sun-10d10170.5921.50.6578*27.54*9350*295*3356*301*281503204-φ6.48426*390*3201.4

太陽能電池光電轉(zhuǎn)換原理主要是利用太陽光射入太陽能電池后產(chǎn)生電子電洞對，利用 p-n接面的電場將電子電洞對分離,利用上下電極將這些電子電洞引出，從而產(chǎn)生電流。整個 生產(chǎn)流程以多晶硅切片為原料，制成多晶硅太陽能電池芯片。處理工藝主要有多晶硅切片清 洗、磷擴散、氧化層去除、抗反射膜沉積、電極網(wǎng)印、燒結(jié)、鐳射切割、測試分類包裝等。 生產(chǎn)工藝主要分為以下過程： ⑴表面處理（多晶硅片清洗、制絨） 與單晶硅絨面制備采用堿液和異丙醇腐蝕工藝不同，多晶硅絨面制備采用氫氟酸和硝 酸配成的腐蝕液對多晶硅體表面進行腐蝕。一定濃度的強酸液對硅表面進行晶體的各相異性 腐蝕，使得硅表面成為無數(shù)個小“金字塔”組成的凹凸表面，也就是所謂的“絨面”，以增 加了光的反射吸收，提高電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。從電鏡的檢測結(jié)果看，小“金字塔” 的底邊平均約為10um。主要反應式為： 32234hno4no

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多晶硅太陽能電池研究進展

利用最先進的光譜分析技術,并結(jié)合現(xiàn)有的高效太陽能電池,美國德拉瓦大學研制成功新型多晶硅太陽能電池,其光電轉(zhuǎn)化效率是目前最先進光伏太陽能電池的兩倍,美國政府正積極推進這項新技術的產(chǎn)業(yè)化。

多晶硅太陽能電池制作工藝概述 多晶硅太陽能制作工藝概述 摘要大規(guī)模開發(fā)和利用光伏太陽能發(fā)電,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和降低生產(chǎn)成本是其核心 所 在，由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產(chǎn)工藝的改進、ic技術的滲入和新電 池 結(jié)構(gòu)的出現(xiàn)，電池的轉(zhuǎn)換效率得到較大的提高，大規(guī)模生產(chǎn)上，多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率已接近單 晶 硅電池，在非晶硅電池穩(wěn)定性問題未取得較大進展時，多晶硅電池受到人們的關注，其世界產(chǎn)量 已 接近單晶硅，本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發(fā)展分別從實驗室工藝和規(guī)模化生產(chǎn)兩個方面作 了 比較系統(tǒng)的描述。 1緒論 眾所周知，利用太陽能有許多優(yōu)點，光伏發(fā)電將為人類提供主要的能源，但目前來講，要使太陽 能 發(fā)電具有較大的市場，被廣大的消費者接受，提高太陽電池的光電轉(zhuǎn)換效率，降低生產(chǎn)成本應該 是 我們追求的最大目標，從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、

大規(guī)模開發(fā)和利用光伏太陽能發(fā)電,提高電池的光電轉(zhuǎn)換效率和降低生產(chǎn)成本是其核心所在,由于近十年人們對太陽電池理論認識的進一步深入、生產(chǎn)工藝的改進、ic技術的滲入和新電池結(jié)構(gòu)的出現(xiàn),電池的轉(zhuǎn)換效率得到較大的提高,大規(guī)模生產(chǎn)上,多晶硅電池的轉(zhuǎn)換效率已接近單晶硅電池,在非晶硅電池穩(wěn)定性問題未取得較大進展時,多晶硅電池受到人們的關注,其世界產(chǎn)量已接近單晶硅,本文對目前多晶硅太陽電池的工藝發(fā)展分別從實驗室工藝和規(guī)?；a(chǎn)兩個方面作了比較系統(tǒng)的描述。

太陽能電池板規(guī)格表

深圳聚光能科技有限公司 tel:0755-29919483fax；0755-29923175手機:13760148649qq：1309685626涂生 網(wǎng)址:http://www.***.*** 地址：深圳市寶安區(qū)福永街道永和路雙金惠工業(yè)區(qū)b棟4樓 model number 尺寸：l*w*h (mm) 重量 (kg) 功率（wp)峰值電壓 vm(v) 峰值電流 im(a) 開路電壓 voc(v) 短路電流 isc(a) j-sm-01100*55*3.20.030.540.12550.137 j-sm001110*80*3.20.05160.1667.20.183 j-sm002135*135*3.20.1290.22110.24 j-sm003250*180*250.63180.1

單晶硅太陽能電池與多晶硅太陽能電池區(qū)別和共同點 單晶硅和多晶硅的區(qū)別是，當熔融的單質(zhì)硅凝固時,硅原子以金剛石晶格排列成 許多晶核，如果這些晶核長成晶面取向相同的晶粒，則形成單晶硅。如果這些晶 核長成晶面取向不同的晶粒，則形成多晶硅。多晶硅與單晶硅的差異主要表現(xiàn)在 物理性質(zhì)方面。例如在力學性質(zhì)、電學性質(zhì)等方面，多晶硅均不如單晶硅。多晶 硅可作為拉制單晶硅的原料。單晶硅可算得上是世界上最純凈的物質(zhì)了，一般的 半導體器件要求硅的純度六個9以上。大規(guī)模集成電路的要求更高，硅的純度必 須達到九個9。目前，人們已經(jīng)能制造出純度為十二個9的單晶硅。單晶硅是電 子計算機、自動控制系統(tǒng)等現(xiàn)代科學技術中不可缺少的基本材料。 多晶硅是制造單晶硅的原料。 單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)化的效率更高些！ 單晶硅與多晶硅的區(qū)別在于它們的原子結(jié)構(gòu)排列單晶是有序排列多晶是 無序排列主要是有它們的

太陽能電池板電性能參數(shù) 鏈接：www.***.***/tech/7060.html 太陽能電池板電性能參數(shù) 電氣特性: 短路電流溫度系數(shù)：±0.05%℃ 開路電壓溫度系數(shù)：-0.33%℃ 功率溫度系數(shù)：-0.23%℃ 工作電流溫度系數(shù)：+0.08%℃ 工作電壓溫度系數(shù)：-0.33%℃ 環(huán)境溫度：±45℃ 最大系統(tǒng)電壓：1000v 絕緣系數(shù)：≥100mohm 擊穿電壓：ac2000v，dc3000v 抗風力系數(shù)：60m/s(200kg/sq.m) 耐沖擊冰雹撞擊系數(shù)：能承受227g鋼球從1m高掉下的撞擊 原文地址：http://www.***.***/tech/7060.html 頁面1

單晶硅太陽能電池板規(guī)格表 specificationsformono-crystallinesiliconsolarpanels 型號 modelno. 峰值功率pm maximum power(wp) 開路電壓voc opencircuit voltage(v) 短路電流isc shortcircuit current(a) 峰值電壓vmp maximum operating voltage(v) 峰值電流imp maximum operating current(a) 組件尺寸 長×寬×高 moduledimension h×w×d(mm) bl305m-243051956*992*50 bl300m-243001956*992*50 bl295m-242951956*992*50 bl290m-242

光伏組件（太陽能電池板）規(guī)格表 型號材料 峰值 功率 pm (watt) 峰值 電壓 vmp (v) 峰值 電流 imp (a) 開路 電壓 voc (v) 短路 電流 isc (a) 尺寸 (mm) apm18m5w27x27單晶硅58.750.5710.50.66265*265*25 apm36m5w27x27單晶硅517.50.2921.50.32265*265*25 apm18p5w27x27多晶硅58.750.5710.50.66265*265*25 apm36p5w27x27多晶硅517.50.2921.50.32265*265*25 apm36m8w36x30單晶硅817.50.4621.50.52301*356*25 apm36p8w36x30多晶硅817.50.

-1- 多晶硅太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率仿真研究 徐耀敏 武漢理工大學信息工程學院，湖北武漢（430070） e-mail：yaominxu@sina.com 摘要：本文結(jié)合多晶硅太陽能電池這一具有廣泛應用前景的太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的影 響因素，在分析各因素對太陽能電池效率影響的基礎上，利用澳大利亞新南威爾士大學光伏 研究中心開發(fā)一維半導體仿真軟件pc-1d作為仿真模擬平臺，從仿真角度分析如何提高現(xiàn)有(zhòng)n多晶硅太陽電池的轉(zhuǎn)換效率，分析了設計太陽能電池的理論方法，為實際工業(yè)生產(chǎn)提供了可 靠的理論基礎，為進一步提高太陽能電池換轉(zhuǎn)效率，降低生產(chǎn)成本提供理論支持。 關鍵詞：多晶硅太陽能電池；pc-1d；轉(zhuǎn)換效率；影響因素；仿真 中圖分類號：tn304.1 1.引言 自1954年第一片太陽能電池問世以來，作為清潔能源的太陽能電池技術突飛猛進，太

精品文檔 精品文檔 光伏組件（太陽能電池板）規(guī)格表 型號 材料 峰值 功率 pm (watt) 峰值 電壓 vmp (v) 峰值 電流 imp (a) 開路 電壓 voc (v) 短路 電流 isc (a) 尺寸 (mm) apm18m5w27x27單晶硅58.750.5710.50.66265*265*25 apm36m5w27x27單晶硅517.50.2921.50.32265*265*25 apm18p5w27x27多晶硅58.750.5710.50.66265*265*25 apm36p5w27x27多晶硅517.50.2921.50.32265*265*25 apm36m8w36x30單晶硅817.50.4621.50.52301*356*25 apm36p8w36x30多晶硅

擴散方阻對多晶硅太陽能電池效率的影響

多晶硅太陽能電池畢業(yè)論文文獻翻譯中英文對照

夏普將上市模塊轉(zhuǎn)換效率達14．4％，用于日本國內(nèi)住宅的多晶硅太陽能電池模塊“nd-191av”。在提高轉(zhuǎn)換效率的同時，還擴大了可在屋頂設置的范圍，與以前產(chǎn)品相比，屋頂可設置容量平均達1．5倍。高效率的實現(xiàn)，得益于表面電極結(jié)構(gòu)的變更。太陽能電池的電極由較租的busbar電極和較細的finger電極構(gòu)成。此次，將busbar電極從原來的2條增加到3條，同時還減小了所有電極的寬度。

用化學腐蝕方法織構(gòu)多晶硅片表面,通過調(diào)整制程參數(shù)獲得腐蝕溫度分別為12℃、17℃、22℃、29℃的4組樣品,利用掃描電子顯微鏡(sem)分析化學腐蝕后多晶硅片表面狀態(tài),通過反射譜的測試,分析了多晶硅片表面陷光效果,研究腐蝕溫度與后續(xù)各制程參數(shù)的關系。結(jié)果表明:隨著腐蝕溫度的升高,絨面反射率、鍍膜膜厚逐漸升高,開路電壓、填充因子逐漸增大,短路電流逐漸減小,最終確定了最佳的腐蝕溫度。

多晶硅太陽能電池的生產(chǎn)工藝流程

麻省理工學院（mit）科學家最近發(fā)明了可大幅提高多晶硅太陽能電池效率，同時維持低成本的方法。他們同時成立了一家名為1366的技術公司以將這項技術商業(yè)化。

<正>無錫尚德太陽能電力有限公司3年就使多晶硅太陽能生產(chǎn)能力達到50兆瓦,并實現(xiàn)了大規(guī)模多晶硅太陽能電池產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率最高達到16％的目標。這一跨越,將我國與世界的差距縮短了15年,生產(chǎn)總量世界排名第8位。