共漏極雙功率MOSFET封裝

為了進(jìn)一步降低溝槽柵功率mos器件的導(dǎo)通電阻,提出了一種改進(jìn)的trenchmosfet結(jié)構(gòu).借助成熟的器件仿真方法,詳細(xì)分析了外延層雜質(zhì)摻雜對器件導(dǎo)通電阻和擊穿電壓的影響,通過對常規(guī)trenchmosfet和這種改進(jìn)的結(jié)構(gòu)進(jìn)行仿真和比較,得出了擊穿電壓和導(dǎo)通電阻折中效果較好的一組器件參數(shù).模擬結(jié)果表明,在擊穿電壓基本相當(dāng)?shù)那闆r下,新結(jié)構(gòu)的導(dǎo)通電阻較之于常規(guī)結(jié)構(gòu)降低了18.8%.

由于銅絲鍵合可以替代金鍵合,價格又便宜,正在被越來越多地應(yīng)用到微電子元器件當(dāng)中。目前的情況表明銅是可行的替代品,但是證明其可靠性還需要采用針對銅絲鍵合工藝的新型失效分析(fa)技術(shù)。在本文中,我們將討論一些專門為使用銅絲技術(shù)的元器件而開發(fā)的新型失效分析技術(shù)和工序。我們會將解釋為什么銅絲的處理方式和金絲不一樣,并且以功率mosfet器件為例,循序漸進(jìn)地了解失效分析的過程,保存對失效器件進(jìn)行有效分析所需要的所有證據(jù)。

利用工藝和器件模擬軟件tsuprem-4和medici,研究了工藝參數(shù)對dc-dc轉(zhuǎn)換器中的功率溝槽mosfet的通態(tài)電阻ron、柵-漏電容cgd的影響以及柵-漏電荷qgd在開關(guān)過程中的變化,指出了在設(shè)計和工藝上減小通態(tài)電阻ron和柵-漏電容cgd,提高器件綜合性能的途徑。

通過對硅膜中最低電位點(diǎn)電位的修正,得到復(fù)合型柵氧化層薄膜雙柵mosfet亞閾值電流模型以及閾值電壓模型。利用medici軟件,針對薄膜雙柵mosfet,對四種復(fù)合型柵氧化層結(jié)構(gòu)didgmosfet(dualinsulatordoublegatemosfet)進(jìn)行了仿真。通過仿真可知:在復(fù)合型結(jié)構(gòu)中,隨著介電常數(shù)差值的增大,薄膜雙柵器件的短溝道效應(yīng)和熱載流子效應(yīng)得到更有效的抑制,同時擊穿特性也得到改善。此外在亞閾值區(qū)中,亞閾值斜率也可以通過柵氧化層設(shè)計進(jìn)行優(yōu)化,復(fù)合型結(jié)構(gòu)器件的亞閾值斜率更小,性能更優(yōu)越。

安森美半導(dǎo)體推出帶開關(guān)控制器的電流鏡cat2300,將這器件與安森美半導(dǎo)體的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件結(jié)合使用,能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級電源管理,用于便攜計算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等應(yīng)用。精確控制及匹配sensefet的sense輸出與cat2300的kelvin電壓引腳,確保sensefet完整工作范圍內(nèi)的精確電流監(jiān)

如何得到更高的系統(tǒng)效率和功率密度,是現(xiàn)代數(shù)據(jù)和電信電源系統(tǒng)的關(guān)鍵,因?yàn)橐粋€小雨高效率的電源系統(tǒng),可以有效節(jié)省空間與能源費(fèi)用。從拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的角度來看,變壓器將交流電轉(zhuǎn)換成直流電的同步整流,是許多應(yīng)用中開關(guān)電源二次側(cè)的主要模塊架構(gòu),此能改善能源轉(zhuǎn)換中的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗。從元件的角度來看,功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(mosfet)在過去十年有長足的進(jìn)步,也因而衍生出新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和高功率密度電源。

隨著微電子行業(yè)的發(fā)展,微處理器正在代代更新,其性能更是迅速提高(如工作頻率越來越高等),這就要求其電流不斷增大。同時,為了降低功耗,電源電壓必須不斷降低。下一代處理器的供電電壓將會降到1.1v～1.8v,電流處理能力將達(dá)到

本文研究了開關(guān)電源中mosfet漏源極電壓電磁干擾的頻譜特性,通過提取mosfet漏源極時域電壓信號的特征參數(shù),對其波形進(jìn)行了仿真,分析了該信號電磁干擾的頻譜特點(diǎn),并分別研究了信號中各參數(shù)對頻譜的影響,matlab仿真表明,該研究結(jié)果對解決電磁干擾問題具有很好的參考和利用價值。

電源系統(tǒng)開關(guān)控制器的mosfet選擇 dc/dc開關(guān)控制器的mosfet選擇是一個復(fù)雜的過程。僅僅考慮mosfet的額定電壓 和電流并不足以選擇到合適的mosfet。要想讓mosfet維持在規(guī)定范圍以內(nèi)，必須在低 柵極電荷和低導(dǎo)通電阻之間取得平衡。在多負(fù)載電源系統(tǒng)中，這種情況會變得更加復(fù)雜。如 德州儀器(ti)的webench?電源設(shè)計師等在線設(shè)計工具可以簡化這一過程，讓用戶能夠根 據(jù)效率、體積和成本做出正確的選擇，從而達(dá)到理想的mosfet控制器設(shè)計目標(biāo)。 圖1—降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器原理圖 dc/dc開關(guān)電源因其高效率而廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代許多電子系統(tǒng)中。例如，同時擁有一個 高側(cè)fet和低側(cè)fet的降壓同步開關(guān)穩(wěn)壓器，如圖1所示。這兩個fet會根據(jù)控制器設(shè) 置的占空比進(jìn)行開關(guān)操作，旨在達(dá)到理想的輸出電壓。降壓穩(wěn)壓器的占空比方程式如下：

**資訊http://www.***.*** **資訊http://www.***.*** **資訊http://www.***.*** **資訊http://www.***.***

電力電子器件是半導(dǎo)體功率器件的總稱,是構(gòu)成電力電子設(shè)備的基礎(chǔ),是從事電力電子器件設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)、營銷和應(yīng)用人員以及電源技術(shù)工作者應(yīng)該熟悉的內(nèi)容。本刊從去年4月份開始以"電力電子器件知識"為題開展講座,以滿足廣大讀者增長知識和用好這些器件的需求。歡迎廠家及用戶的工程師們撰稿,并望提出寶貴意見。

電力電子器件是半導(dǎo)體功率器件的總稱,是構(gòu)成電力電子設(shè)備的基礎(chǔ),是從事電力電子器件設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)、營銷和應(yīng)用人員以及電源技術(shù)工作者應(yīng)該熟悉的內(nèi)容。本刊從去年4月份開始以＂電力電子器件知識＂為題開展講座,以滿足廣大讀者增長知識和用好這些器件的需求。歡迎廠家及用戶的工程師們撰稿,并望提出寶貴意見。

十二種新型的littlefootmosfet系列產(chǎn)品據(jù)稱是業(yè)界首批工作電壓低到1.8v的功率mosfet。由于解決了在低電壓下負(fù)載切換的問題,這種p通道晶體管顯然掃除了移動通信和計算應(yīng)用中低系統(tǒng)電壓的開發(fā)過程中所遇到的障礙。根據(jù)生產(chǎn)廠家的介紹,這些器件還提供了在1.8、2.5和4.5v柵極電壓下業(yè)界極低的接通電阻。例如si4465dy,4.5v時r_(ds(on))=9mω,2.5v時為11mω,1.8v時為16mω。這些值比現(xiàn)有的器件提高了35％。mosfet有單管和雙管兩種,其漏源電壓的額定值為8v或12v。器件有8引

隨著消費(fèi)者對延長電池使用壽命和強(qiáng)大處理能力的期望愈來愈高,智能手機(jī)與平板電腦對充電和電池保護(hù)功率金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(mosfet)的需求也同時與日俱增。其中,電池組保護(hù)電路模塊(pcm)中的共享泄極(common-drain)背對背(back-to-back)功率mosfet能夠?qū)Τ潆?放電進(jìn)行控制,并且可在發(fā)生短路、過電壓、欠電壓以及發(fā)生會損壞電器的

vishay宣布發(fā)布其新型p通道trenchfet第三代技術(shù)的首款器件——si7137dp,該20vp通道m(xù)osfet采用so-8封裝,具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。

新型mosfet滿足高速開關(guān)等三大關(guān)鍵性能 現(xiàn)在人們關(guān)注“平板電視”和“太陽能電池”，這兩個領(lǐng)域都注重環(huán)保理念， 需要進(jìn)行低損耗、高效率的產(chǎn)品開發(fā)。在lcd-tv領(lǐng)域，為了減小電壓轉(zhuǎn)換 時的電力損耗和顯示屏電力損耗，已經(jīng)采用了“直流變頻方式”這種新的電源方 式。這是一種將通常進(jìn)行ac/dc轉(zhuǎn)換降壓后聯(lián)接變頻電路的地方從pfc直接 輸入電壓通過高耐壓mosfet使其進(jìn)行變頻動作的電路方式。在太陽能電池 的領(lǐng)域里，將太陽光的能量轉(zhuǎn)變成dc電壓之后，在轉(zhuǎn)換到商業(yè)用ac線路時 的變頻電路中使用了高耐壓設(shè)備以減小電能損耗。在這兩個領(lǐng)域中，對高耐 壓mosfet有更新的性能要求：低導(dǎo)通電阻，給高速開關(guān)配置高速trr(反向恢 復(fù)時間)。用于平板電視的直流變頻方式的mosfet，由于開關(guān)頻率約為 60khz，與電機(jī)等相比較快，所以開關(guān)時的電能損耗受

意法半導(dǎo)體(st)推出一款用usb及高側(cè)負(fù)載開關(guān)應(yīng)用的低壓p溝道m(xù)osfet電源開關(guān)st890。其工作電壓范圍在2.7到5.5v之間,內(nèi)置具有過載保護(hù)功能的可編程限流電路,以及限制功耗和結(jié)溫的熱負(fù)載保護(hù)電路。應(yīng)用于pcmcia和其它接入總線的插槽內(nèi),比如,在便攜設(shè)備中,在不斷電的情況下自由插拔的插接卡的卡槽。最大電流為1.2

supermesh3功率mosfet主要用于鎮(zhèn)流器的功率因數(shù)校正器和半橋電路以及開關(guān)電源內(nèi)。620v的stx6n62k3是supermesh3系列的首款產(chǎn)品，后續(xù)產(chǎn)品有620v的stx3n62k3和525v的stx7n52k3和stx6n52k3。supermesh3技術(shù)可以降低導(dǎo)通電阻，在620v電壓下，dpak封裝的std6n62k3把導(dǎo)通電阻降低到1．28ω；在525v電壓下，std7n52k3把導(dǎo)通電阻降低到0．98ω，從而提高節(jié)能燈鎮(zhèn)流器等照明應(yīng)用的工作能效。

本文通過講述uis的測試原理,得出雪崩計算公式,著重對目前兩種不同模式的測試方法,從測試原理上進(jìn)行比對,總結(jié)兩種模式下的特點(diǎn)。

rohm最新發(fā)表了他們首次采用溝槽式結(jié)構(gòu)研制并大批量生產(chǎn)了碳化硅mosfet。與傳統(tǒng)平面式碳化硅mosfet相比,同樣芯片尺寸條件下,導(dǎo)通電阻降低了50%,極有可能也能大幅降低許多設(shè)備的功率損耗,如工業(yè)用轉(zhuǎn)換器和電源,電源和太陽能電力系統(tǒng)的電力調(diào)制器,太陽能功率系統(tǒng)調(diào)制器。近些年,世界范圍內(nèi)越來越多的研究開始關(guān)注電力供應(yīng)的解決方案,其中主要研究電源供應(yīng)的轉(zhuǎn)換和已產(chǎn)生電力的高效輸運(yùn)。碳化硅功率器件因?yàn)槟?/p>

集成低電流IC和P溝道MOSFET的電源開關(guān)芯片

vishay宣布發(fā)布其新型p通道trenchfet第三代技術(shù)的首款器件——si7137dp，該20vp通道m(xù)osfet采用so-8封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。