（2006年清華大學出版社出版的圖書）

《固態(tài)電子學基礎》一書曾在Florida大學用了6個學期,這也作為向電子工程三年級約300名學生講授固態(tài)器件核心課程的教科書。物理、科學及其他工程系的大學生及研究生也參加了這門課程的學習。本書分三部分:(1)3章電子材料物理及4章器件(MOSC,p/n-m/s-歐姆二極管,MOST-FETs,BJT-HBJTs及SCRs),每章包含:(2)歷史、制作、物理特性及電路模型,以及(3)基本模塊電路。其中每章第二部分中的擴展內(nèi)容可選作第二門課程,并可在材料及器件物理基礎、器件模型及復雜集成電路的基本模塊電路(B3C)方面作為做實際工作的工程師及管理人員的參考書。例如:先進的器件物理(消離化及重摻雜效應、亞閾值電流、高場遷移率、MOSC、p/n和m/s結(jié)的反向電容及電流瞬變、歐姆接觸……)、最新的(1990-1991)器件概念(異質(zhì)結(jié)MOSFET及異質(zhì)結(jié)BJT……)、可靠性機制(溝道熱電子注入、Fowler-Mordheim隧穿、帶間熱空穴產(chǎn)生和注入、p型硅柵1.2eV比n型硅柵的欠可靠……),以及B3C(BiC-MOS,CBiCMOS,DRAM,SRAM,UV-EPROM,flash-EEPROM及FRAM)。本書從大一學生的化學及大二學生的物理基礎(Newtom,Coulomb,Planck及de Broglie定律)出發(fā)給出了器件物理所需的基本概念(電子及空穴、價鍵及能帶模型、平衡及非平衡態(tài)、統(tǒng)計分布、漂移與擴散、產(chǎn)生-復合-俘獲及隧穿)。本書還給出了如亞微米硅MOSFET及硅BJTs等最先進的器件的物理意義及數(shù)值說明。近100種經(jīng)精選及評論的中高等水平的參考書以及約500道習題均可用以擴展本書范圍外的學習。

本書是《模擬電子學基礎》一書的教學參考書，基本章節(jié)完全按照《模擬電子學基礎》一書安排。每章基本分為三個部分:第一部分是本章內(nèi)容的重點和難點，并以例題講解和問題回答的方式對重點和難點進行講解;第二部分是《模擬電子學基礎》一書中習題與思考題的詳細解答;第三部分則介紹了一些在《模擬電子學基礎》一書中沒有涉及的一些擴充內(nèi)容。

本書適用于高等學校的電氣、電子類和其他相關專業(yè)，可以作為學生的輔導資料，也可以作為教師的教學參考，還可以供相關領域工程技術(shù)人員參考。

微電子學與固體電子學

“微電子學與固態(tài)電子學”是現(xiàn)代信息技術(shù)的內(nèi)核與支柱。本學科主要研究內(nèi)容：（1）信息光電子學和光通訊。（2）超高速微電子學和高速通訊技術(shù)。（3）功率半導體器件和功率集成電路。（4）半導體器件可靠性物理。（5）現(xiàn)代集成模塊與系統(tǒng)集成技術(shù)。