DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM",翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM 必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次。如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,數(shù)據(jù)就會(huì)丟失。 DRAM用于通常的數(shù)據(jù)存取。我們常說內(nèi)存有多大,主要是指DRAM的容量。
| 中文名稱 | DRAM模塊 | 外文名稱 | Dynamic RAM |
|---|---|---|---|
| 別????稱 | 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 | 主要組成 | 晶體管、電容器 |
| 應(yīng)????用 | 數(shù)據(jù)存取 | 內(nèi)存刷新頻次 | 最少64ms |
所有的DRAM基本單位都是由一個(gè)晶體管和一個(gè)電容器組成。
電容器的狀態(tài)決定了這個(gè)DRAM單位的邏輯狀態(tài)是1還是0,但是電容的被利用的這個(gè)特性也是它的缺點(diǎn)。一個(gè)電容器可以存儲(chǔ)一定量的電子或者是電荷。一個(gè)充電的電容器在數(shù)字電子中被認(rèn)為是邏輯上的1,而"空"的電容器則是0。電容器不能持久的保持儲(chǔ)存的電荷,所以內(nèi)存需要不斷定時(shí)刷新,才能保持暫存的數(shù)據(jù)。電容器可以由電流來充電--當(dāng)然這個(gè)電流是有一定限制的,否則會(huì)把電容擊穿。同時(shí)電容的充放電需要一定的時(shí)間,雖然對(duì)于內(nèi)存基本單位中的電容這個(gè)時(shí)間很短,只有大約0.2-0.18微秒,但是這個(gè)期間內(nèi)存是不能執(zhí)行存取操作的。
DRAM制造商的一些資料中顯示,內(nèi)存至少要每64ms刷新一次,這也就意味著內(nèi)存有1%的時(shí)間要用來刷新。內(nèi)存的自動(dòng)刷新對(duì)于內(nèi)存廠商來說不是一個(gè)難題,而關(guān)鍵在于當(dāng)對(duì)內(nèi)存單元進(jìn)行讀取操作時(shí)保持內(nèi)存的內(nèi)容不變--所以DRAM單元每次讀取操作之后都要進(jìn)行刷新:執(zhí)行一次回寫操作,因?yàn)樽x取操作也會(huì)破壞內(nèi)存中的電荷,也就是說對(duì)于內(nèi)存中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)是具有破壞性的。所以內(nèi)存不但要每64ms刷新一次,每次讀操作之后也要刷新一次。這樣就增加了存取操作的周期,當(dāng)然潛伏期也就越長(zhǎng)。 SRAM,靜態(tài)(Static)RAM不存在刷新的問題,一個(gè)SRAM基本單元包括4個(gè)晶體管和2個(gè)電阻。它不是通過利用電容充放電的特性來存儲(chǔ)數(shù)據(jù),而是利用設(shè)置晶體管的狀態(tài)來決定邏輯狀態(tài)--同CPU中的邏輯狀態(tài)一樣。讀取操作對(duì)于SRAM不是破壞性的,所以SRAM不存在刷新的問題。
SRAM不但可以運(yùn)行在比DRAM高的時(shí)鐘頻率上,而且潛伏期比DRAM短的多。SRAM僅僅需要2到3個(gè)時(shí)鐘周期就能從CPU緩存調(diào)入需要的數(shù)據(jù),而DRAM卻需要3到9個(gè)時(shí)鐘周期(這里我們忽略了信號(hào)在CPU、芯片組和內(nèi)存控制電路之間傳輸?shù)臅r(shí)間)。
就是很多個(gè)IGBT集成在一起
輸入模塊
隔離模塊、手報(bào)模塊、電話模塊、廣播模塊、輸入輸出模塊,,大約多少錢一個(gè)
這種東西問專業(yè)做弱電或者建筑智能化的廠家最來菜,這里估計(jì)很難有人能給你準(zhǔn)確的答案。
袖珍計(jì)算機(jī)PCPB型系統(tǒng)RAM擴(kuò)展模塊常見故障與維修
格式:pdf
大?。?span id="gyeec8o" class="single-tag-height">63KB
頁數(shù): 2頁
評(píng)分: 4.8
袖珍計(jì)算機(jī)PCPB型系統(tǒng)RAM擴(kuò)展模塊常見故障與維修
倉(cāng)儲(chǔ)模塊
格式:pdf
大?。?span id="8uyiauk" class="single-tag-height">63KB
頁數(shù): 8頁
評(píng)分: 4.8
物流信息技術(shù)作業(yè) 倉(cāng)儲(chǔ)模塊的需求分析報(bào)告 : 主要內(nèi)容: 1 開發(fā)背景 6 系統(tǒng)業(yè)務(wù)流程圖 2 可行性分析 7 模塊功能詳細(xì)概述 3 系統(tǒng)功能分析 8 數(shù)據(jù)流程圖 4 系統(tǒng)功能模塊設(shè)計(jì) 9E-R 圖 5 系統(tǒng)功能結(jié)構(gòu) 10數(shù)據(jù)庫(kù)表格設(shè)計(jì) 前言 : 現(xiàn)代倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)的發(fā)展背景 : 1、倉(cāng)儲(chǔ)大,業(yè)務(wù)收入增長(zhǎng)速業(yè)務(wù)量增度較快 2、我國(guó)對(duì)倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)的固定資產(chǎn)投資額持續(xù)增長(zhǎng) 3、倉(cāng)儲(chǔ)技術(shù)獲得較快發(fā)展 4、倉(cāng)儲(chǔ)企業(yè)之間的競(jìng)爭(zhēng)加劇 我國(guó)倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)的發(fā)展趨勢(shì):倉(cāng)儲(chǔ)社會(huì)化 功能專業(yè)化 倉(cāng)儲(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)化 倉(cāng)儲(chǔ)自動(dòng)化 倉(cāng)儲(chǔ)信息化 倉(cāng)儲(chǔ)管理科學(xué)化 一、開發(fā)背景 1. 在各大生產(chǎn)企業(yè)、物流企業(yè),貨物的進(jìn)倉(cāng)、出倉(cāng)是十分基本的生產(chǎn)管理模塊。對(duì) 于一個(gè)生產(chǎn)效益好的企業(yè),貨物的進(jìn)出是十分頻繁的;或是對(duì)于小規(guī)模企業(yè),其所擁 有的倉(cāng)庫(kù)容量有限,因而倉(cāng)庫(kù)容量十分寶貴,這就對(duì)于倉(cāng)庫(kù)管理提出了嚴(yán)格要求。 2. 然而,如果通過原始的純?nèi)斯す芾矸绞?,其?
在有機(jī)處理器被展示的大會(huì)上,研究人員展示了首個(gè)印刷有機(jī)DRAM存儲(chǔ)器(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),大多數(shù)電腦都是用這種存儲(chǔ)器和處理器一起工作用于短期數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。通過噴霧器的噴嘴噴出有機(jī)“油墨”層來制作24平方微米大小的存儲(chǔ)器陣列,可以存儲(chǔ)64位的信息。
之前的印刷存儲(chǔ)器是非揮發(fā)的,也就是說,即使斷電,它也會(huì)保存數(shù)據(jù),這不適合包括了頻繁讀寫和改寫操作的短期存儲(chǔ)。明尼蘇達(dá)的研究小組能夠印刷DRAM是因?yàn)樗麄冊(cè)O(shè)計(jì)了一種印刷有機(jī)晶體管,使用離子凝膠絕緣物質(zhì)隔離電極。
內(nèi)部的離子較之傳統(tǒng)的非離子絕緣體可以使凝膠層存儲(chǔ)更多的電荷。這強(qiáng)調(diào)了限制有機(jī)存儲(chǔ)器發(fā)展的兩個(gè)問題。凝膠的電荷存儲(chǔ)能力降低了操作晶體管和由其構(gòu)成的存儲(chǔ)器所需的功率;也使得存儲(chǔ)器中用來表示1和0的電荷等級(jí)變得明顯,并可以在不需要存儲(chǔ)器刷新的情況下持續(xù)一分鐘之久。
有機(jī)印刷DRAM可用于由印刷有機(jī)LED構(gòu)成的顯示器中圖像幀的短期存儲(chǔ)。這使得更多的設(shè)備可以用印刷方法來制造,拋棄一些硅組件,并降低成本。
把有機(jī)微處理器和存儲(chǔ)器結(jié)合起來的方法可以降低成本,盡管張偉說這兩者還不能連接。但是在將來,這是可行的。
首個(gè)塑料半導(dǎo)體計(jì)算機(jī)處理器和存儲(chǔ)器芯片的誕生表明,有一天,計(jì)算機(jī)的影響將無處不在。
每個(gè)標(biāo)準(zhǔn)模塊、類模塊和窗體模塊都可包含:
聲明:可將常數(shù)、類型、變量和動(dòng)態(tài)鏈接庫(kù) (DLL) 過程的聲明放在窗體、類或標(biāo)準(zhǔn)模塊的模塊級(jí)。
過程:Sub、Function 或者 Property 過程包含可以作為單元來執(zhí)行的代碼片段。
開關(guān)模塊的基本原理是由繼電器輸出控制電源的開關(guān),從而控制光源。
輸入模塊的基本原理是接受無源接點(diǎn)信號(hào)
用于連接照度探測(cè)、存在探測(cè)、移動(dòng)探測(cè)等傳感器