定義:應(yīng)用PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和三極(陰極,陽極,門極)實(shí)現(xiàn)可控整流功能。
晶閘管T在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,組成晶閘管的主電路,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路。
KP型晶閘管又叫普通晶閘管,最基本的用途就是可控整流。不具備其他快速關(guān)斷,雙向等特點(diǎn)。
額定電流是指晶閘管流過的平均電流, 是電流峰值除以π: Imax / 3.14
一、作用:可控的導(dǎo)電開關(guān),與二極管相比,不同之處是正向?qū)ㄊ卓刂茦O電流控制。二、什么是晶閘管:晶閘管導(dǎo)通條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導(dǎo)晶閘管,光控晶閘管...
表示 普通可控硅的意思 艾維電氣
KP型晶閘管分類
特點(diǎn):全擴(kuò)散工藝
平板陶瓷封裝
中心放大門極結(jié)構(gòu)
雙面冷卻
特點(diǎn):
1:全封閉陶瓷-金屬螺柱型結(jié)構(gòu)
2:全封閉玻璃-金屬螺柱柱形結(jié)構(gòu)
符號(hào)JB/T8949.2-1999標(biāo)準(zhǔn)
1. 晶閘管承受反向陽極電壓時(shí),不管門極承受和種電壓,晶閘管都處于關(guān)短狀態(tài)。
2. 晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),僅在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通。
3. 晶閘管在導(dǎo)通情況下,只要有一定的正向陽極電壓,不論門極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,即晶閘管導(dǎo)通后,門極失去作用。
4. 晶閘管在導(dǎo)通情況下,當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時(shí),晶閘管關(guān)斷。
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管件的基本定義 我們平時(shí)接觸最多的就是管件, 但是對(duì)于管件的真正定義肯定不是所有人都知道 的。所謂管件,就是將管子聯(lián)接成管路的零件。 根據(jù)聯(lián)接方法可分為承插式管件、 螺紋管件、法蘭管件和焊接管件四類。多用與管子相同的材料制成。有彎頭 (肘 管 )、法蘭、三通管、四通管 (十字頭 )和異徑管 (大小頭 )等。彎頭用于管摟轉(zhuǎn)彎的 地方;法蘭用于使管子與管子相互連接的零件, 連接于管端, 三通管用于三根管 子匯集的地方;四通管用于四根管子匯集的地方; 異徑管用于不同管徑的兩根管 子相聯(lián)接的地方。 管件產(chǎn)品常識(shí) 提起管件我們大家都不陌生, 在日常生活中經(jīng)常能夠接觸到, 管件的用途范圍非 常大,但在我國體現(xiàn)的差一些, 在日本,無論是樣品或資料介紹, 管件種類很多, 各式各樣。如果要給管件下一個(gè)定義, 我認(rèn)為凡是管材經(jīng)過深加工生產(chǎn)的產(chǎn)品都 應(yīng)該屬于管件的范疇。 日本確實(shí)如此。那么管件既然是管子做原料通
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深基坑 基坑工程簡(jiǎn)介: 基坑工程主要包括基坑支護(hù)體系設(shè)計(jì)與施工和土方開挖,是一項(xiàng)綜合 性很強(qiáng)的系統(tǒng)工程。它要求巖土工程和結(jié)構(gòu)工程技術(shù)人員密切配合?;?支護(hù)體系是臨時(shí)結(jié)構(gòu),在地下工程施工完成后就不再需要。 基坑工程具有以下特點(diǎn): 1)基坑支護(hù)體系是臨時(shí)結(jié)構(gòu),安全儲(chǔ)備較小,具有較大的風(fēng)險(xiǎn)性?;?坑工程施工過程中應(yīng)進(jìn)行監(jiān)測(cè),并應(yīng)有應(yīng)急措施。在施工過程中一旦出現(xiàn) 險(xiǎn)情,需要及時(shí)搶救。 2)基坑工程具有很強(qiáng)的區(qū)域性。如軟粘土地基、黃土地基等工程地質(zhì) 和水文地質(zhì)條件不同的地基中基坑工程差異性很大。同一城市不同區(qū)域也 有差異?;庸こ痰闹ёo(hù)體系設(shè)計(jì)與施工和土方開挖都要因地制宜,根據(jù) 本地情況進(jìn)行,外地的經(jīng)驗(yàn)可以借鑒,但不能簡(jiǎn)單搬用。 3)基坑工程具有很強(qiáng)的個(gè)性。基坑工程的支護(hù)體系設(shè)計(jì)與施工和土方 開挖不僅與工程地質(zhì)水文地質(zhì)條件有關(guān),還與基坑相鄰建(構(gòu))筑物和地 下管線的位置、抵御變形的能力、重要性,以
?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復(fù)合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動(dòng)功率、快速的開關(guān)過程和晶閘管的高電壓大電流、低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn)結(jié)合起來,也是Bi-MOS器件的一種。一個(gè)MCT器件由數(shù)以萬計(jì)的MCT元組成,每個(gè)元的組成為:一個(gè)PNPN晶閘管,一個(gè)控制該晶閘管開通的MOSFET,和一個(gè)控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。
MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點(diǎn)。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右,硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外,MCT可承受極高的di/dt和du/dt,使得其保護(hù)電路可以簡(jiǎn)化。MCT的開關(guān)速度超高GTR,開關(guān)損耗也小。
總之,MCT曾一度被認(rèn)為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此,20世紀(jì)80年代以來一度成為研究的熱點(diǎn)。但經(jīng)過十多年的努力,其關(guān)鍵技術(shù)問題沒有大的突破,電壓和電流容量都遠(yuǎn)未達(dá)到預(yù)期的數(shù)值,未能投入實(shí)際應(yīng)用。而其競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手IGBT卻進(jìn)展飛速,所以,目前從事MCT研究的人不是很多。
《新型晶閘管數(shù)據(jù)手冊(cè)》是“速查速用半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)”叢書之一,《新型晶閘管數(shù)據(jù)手冊(cè)》匯編了新型、常用晶閘管[包括普通型反向阻斷晶閘管(SCR)、快速晶閘管、高頻晶閘管、雙向晶閘管(TRIAC)、門極關(guān)斷晶閘管(GT0)]的型號(hào)、封裝形式、廠商和主要電氣參數(shù)(包括VGT、VDRM、VRRM、VT、VTM、VRGM、IDRM、JRRM、IGT、IT、T)。書后附有索引,便于讀者速查速用。
《新型晶閘管數(shù)據(jù)手冊(cè)》資料豐富,內(nèi)容新穎,實(shí)用性強(qiáng),可供廣大電子技術(shù)從業(yè)人員、電子元器件生產(chǎn)和銷售人員、電子產(chǎn)品維修人員和電子愛好者閱讀參考。
普通型反向阻斷晶閘管(SCR)
快速晶閘管
高頻晶閘管
雙向晶閘管(TRIAC)
門極關(guān)斷晶閘管(GTO)
附錄A 晶閘管廠商名稱對(duì)照表
附錄B 晶閘管封裝外形尺寸
索引