LED芯片的制造工藝簡介概述

LED芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序(Wafer Fabrication)、晶圓針測工序(Wafer Probe)、構裝工序(Packaging)、測試工序(Initial Test and Final Test)等幾個步驟。其中晶圓處理工序和晶圓針測工序為前段(Front End)工序,而構裝工序、測試工序為后段(Back End)工序。 1、晶圓處理工序:本工序的主要工作是在晶圓上制作電路及電子元件(如晶體管、電容、邏輯開關等),其處理程序通常與產品種類和所使用的技術有關,但一般基本步驟是先將晶圓適當清洗,再在其表面進行氧化及化學氣相沉積,然后進行涂膜、曝光、顯影、蝕刻、離子植入、金屬濺鍍等反復步驟,最終在晶圓上完成數(shù)層電路及元件加工與制作。 2、晶圓針測工序:經過上道工序后,晶圓上就形成了一個個的小格,即晶粒,一般情況下,為便于測試,提高效率,同一片晶圓上制作同一品種、規(guī)格的產品;但也可根據(jù)需要制作幾種不同品種、規(guī)格的產品。在用針測(Probe)儀對每個晶粒檢測其電氣特性,并將不合格的晶粒標上記號后,將晶圓切開,分割成一顆顆單獨的晶粒,再按其電氣特性分類,裝入不同的托盤中,不合格的晶粒則舍棄。 3、構裝工序:就是將單個的晶粒固定在塑膠或陶瓷制的芯片基座上,并把晶粒上蝕刻出的一些引接線端與基座底部伸出的插腳連接,以作為與外界電路板連接之用,最后蓋上塑膠蓋板,用膠水封死。其目的是用以保護晶粒避免受到機械刮傷或高溫破壞。到此才算制成了一塊集成電路芯片(即我們在電腦里可以看到的那些黑色或褐色,兩邊或四邊帶有許多插腳或引線的矩形小塊)。 4、測試工序:芯片制造的最后一道工序為測試,其又可分為一般測試和特殊測試,前者是將封裝后的芯片置于各種環(huán)境下測試其電氣特性,如消耗功率、運行速度、耐壓度等。經測試后的芯片,依其電氣特性劃分為不同等級。而特殊測試則是根據(jù)客戶特殊需求的技術參數(shù),從相近參數(shù)規(guī)格、品種中拿出部分芯片,做有針對性的專門測試,看是否能滿足客戶的特殊需求,以決定是否須為客戶設計專用芯片。經一般測試合格的產品貼上規(guī)格、型號及出廠日期等標識的標簽并加以包裝后即可出廠。而未通過測試的芯片則視其達到的參數(shù)情況定作降級品或廢品。

LED芯片的制造工藝流程:

外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。

其實外延片的生產制作過程是非常復雜的,在展完外延片后,下一步就開始對LED外延片做電極(P極,N極),接著就開始用激光機切割LED外延片(以前切割LED外延片主要用鉆石刀),制造成芯片后,在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數(shù)測試.

1、 主要對電壓、波長、亮度進行測試,能符合正常出貨標準參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作,如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片,就放在一邊另外處理。

2、 晶圓切割成芯片后,100%的目檢(VI/VC),操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進行目測。

3、 接著使用全自動分類機根據(jù)不同的電壓,波長,亮度的預測參數(shù)對芯片進行全自動化挑選、測試和分類。

4、 最后對LED芯片進行檢查(VC)和貼標簽。芯片區(qū)域要在藍膜的中心,藍膜上最多有5000粒芯片,但必須保證每張藍膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒,芯片類型、批號、數(shù)量和光電測量統(tǒng)計數(shù)據(jù)記錄在標簽上,附在蠟光紙的背面。藍膜上的芯片將做最后的目檢測試與第一次目檢標準相同,確保芯片排列整齊和質量合格。這樣就制成LED芯片(目前市場上統(tǒng)稱方片)。

在LED芯片制作過程中,把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片,分撿出來,這些就是后面的散晶,此時在藍膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片或毛片等。

剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數(shù)測試,對于不符合相關要求的晶圓片作另外處理,這些晶圓片是不能直接用來做LED方片,也就不做任何分檢了,直接賣給客戶了,也就是目前市場上的LED大圓片(但是大圓片里也有好東西,如方片)。

1、 主要對電壓、波長、亮度進行測試,能符合正常出貨標準參數(shù)的晶圓片再繼續(xù)做下一步的操作,如果這九點測試不符合相關要求的晶圓片,就放在一邊另外處理。

2、 晶圓切割成芯片后,100%的目檢(VI/VC),操作者要使用放大30倍數(shù)的顯微鏡下進行目測。

3、 接著使用全自動分類機根據(jù)不同的電壓,波長,亮度的預測參數(shù)對芯片進行全自動化挑選、測試和分類。

4、 最后對LED芯片進行檢查(VC)和貼標簽。芯片區(qū)域要在藍膜的中心,藍膜上最多有5000粒芯片,但必須保證每張藍膜上芯片的數(shù)量不得少于1000粒,芯片類型、批號、數(shù)量和光電測量統(tǒng)計數(shù)據(jù)記錄在標簽上,附在蠟光紙的背面。藍膜上的芯片將做最后的目檢測試與第一次目檢標準相同,確保芯片排列整齊和質量合格。這樣就制成LED芯片(目前市場上統(tǒng)稱方片)。

在LED芯片制作過程中,把一些有缺陷的或者電極有磨損的芯片,分撿出來,這些就是后面的散晶,此時在藍膜上有一些不符合正常出貨要求的晶片,也就自然成了邊片或毛片等。

剛才談到在晶圓上的不同位置抽取九個點做參數(shù)測試,對于不符合相關要求的晶圓片作另外處理,這些晶圓片是不能直接用來做LED方片,也就不做任何分檢了,直接賣給客戶了,也就是目前市場上的LED大圓片(但是大圓片里也有好東西,如方片)。

LED芯片的制造工藝簡介造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
(除稅)
工程建議價
(除稅)
行情 品牌 單位 稅率 供應商 報價日期
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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價
含稅
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行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
(元)
供應商 報價地區(qū) 最新報價時間
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LED芯片的制造工藝簡介概述常見問題

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LED芯片的制造工藝簡介概述文獻

led芯片的制造工藝流程(1) led芯片的制造工藝流程(1)

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led芯片的制造工藝流程(1)

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LED芯片制造的工藝流程 LED芯片制造的工藝流程

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頁數(shù): 65頁

評分: 4.3

LED芯片制造的工藝流程

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該LED芯片專用計數(shù)儀通過高速的圖像獲取及視覺識別處理,準確、快速地計數(shù)LED芯片,操作簡單,使用方便。

該設備裝有新型的照明配置,因照明上的均勻一致性及應用百萬象素的CCD及鏡頭,確保了LED芯片成像的清晰度,配合高技術的計數(shù)軟件,從而保證了計數(shù)的準確度。同時軟件會將每次計數(shù)的結果儲存在數(shù)據(jù)庫中,方便打印與追溯對比分析。

好景LED芯片專用計數(shù)儀技術參數(shù):

1.成像特性

鏡頭:12mm、F1.8高保真光學鏡頭

CCD規(guī)格:300萬像素/500萬像素,真彩

圖像拍攝:手動對焦,可專業(yè)級地精細成像LED芯片

圖像調整:手動調整亮度;自動調整對比度、飽和度

2.計數(shù)特性:

快速的計算出LED芯片總數(shù),可根據(jù)需要折扣數(shù)量,并顯示和輸出計數(shù)結果

可計數(shù)≥5mil (或0.127mm) 不透明LED芯片

可計數(shù)雙電極透明的LED芯片

計數(shù)速度:2000~8000個LED芯片/s的統(tǒng)計速度,無需掃描即成像即計數(shù)

簡便易用:真正一鍵式操作,鼠標一點,結果即現(xiàn)。軟件界面美觀,操作簡便。

.可選擇有相配套的數(shù)據(jù)庫,更加方便生產過程統(tǒng)計及追溯

隨著 LED 技術的快速發(fā)展以及 LED 光效的逐步提高,LED 的應用將越來越廣泛。隨著全球性能源短缺問題的日益嚴重,人們越來越關注 LED 在照明市場的發(fā)展前景,LED 將是取代白熾燈、鎢絲燈和熒光燈的潛力光源。

LED 照明市場發(fā)展空間廣闊。LED 照明燈具應用已經從過去室外景觀照明 LED 發(fā)展向室內照明應用。據(jù)分析未來五年內 LED 室內照明的發(fā)展將有指數(shù)型增長趨勢。2011年其產值高達數(shù)百億美元。尤其是 2009 年歐盟率先實施禁用白熾燈計劃,以及節(jié)能議題備受關注,造就了 LED 室內照明巨大的市場機遇和樂觀的前景。

芯片技術提升和價格走低是促進 LED 照明應用成本下降的關鍵。隨著 LED芯片技術的提升,LED 發(fā)光效率提高后,單顆 LED 芯片所需的成本不斷下降。同時,上游投資帶動的大規(guī)模產能釋放,引發(fā)較強的市場競爭也將帶動芯片價格下降,這有效推動 LED 照明產品成本的下降。2011 年,芯片從之前的供不應求快速轉換為供過于求,芯片價格快速下降。例如,小功率的 7.5mil×7.5mil 藍光芯片和大功率的 45mil×45mil 藍光芯片 2011 年一年內價格分別下降了 55.9%和 55.0%。

無論是面向重點照明和整體照明的高功率 LED 芯片,還是用于裝飾照明和一些簡單的輔助照明的低功率 LED 芯片,技術升級的關鍵都關乎如何開發(fā)出更高效、更穩(wěn)定的 LED 芯片。在短短數(shù)年內,借助于包括新型芯片結構和多量子阱結構的新型外延機構設計在內的一系列技術改進,LED 的發(fā)光效率實現(xiàn)了巨大突破,這些技術突破都將為LED 半導體照明的普及鋪平道路。

led芯片的價格:一般情況系下方片的價格要高于圓片的價格,大功率led芯片肯定要高于小功率led芯片,進口的要高于國產的,進口的來源價格從日本、美國、臺灣依次減低。

led芯片的質量:評價led芯片的質量主要從裸晶亮度、衰減度兩個主要標準來衡量,在封裝過程中主要從led芯片封裝的成品率來計算。

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