MCR型SVC無功補償裝置適用范圍

?本裝置廣泛適用于電力無功變化迅速，電壓、無功、諧波需要控制或綜合治理的供用電場所。我公司生產的RMCR型SVC，具有響應速度快、可靠性高、連續(xù)無級可調、占地面積小等顯著特點，是電力、冶金、煤炭、化工、電氣化鐵路等行業(yè)理想的動態(tài)無功補償裝置。

RMCR的外形結構與油浸式變壓器基本相同，主要由殼體、磁閥式鐵心、繞組和變壓器油等部分組成。殼體采用與油浸變壓器相同的設計結構，殼體內部并排安裝三相相同的單相磁閥式可控電抗器，組成三角形接線方式，其高壓進線和控制繞組進出線，由殼體頂部通過絕緣瓷瓶連接，勵磁控制箱安裝固定在殼體外部。

每個單相磁閥式可控電抗器的結構如上圖所示，采用四柱式結構，由兩個等截面的主鐵心和為使電抗器的電流正負半波對稱的兩個等截面旁軛組成，旁軛的截面等于心柱的截面。中間兩柱的每柱中間部分有一段小截面的鐵心段構成磁閥，并將兩柱分別分為上下兩段，每段上各套有一個繞組，上段的上部兩個繞組端和下段的下部兩個繞組端分別并接在一起，上段的下部兩個繞組端和下段的上部兩個繞組端則交叉串聯連接，每柱上繞組的下部和下繞組的上部均設有中間抽頭，每柱上、下兩個中間抽頭間接有一支SCR(可控硅)，且兩柱上的SCR極性相反，中間交叉連接點的兩端之間接有一支二極管。

磁控電抗器是利用直流助磁的原理，即利用附加直流勵磁，磁化電抗器鐵心，通過調節(jié)磁控電抗器鐵心的磁飽和程度，改變鐵心的磁導率，實現電抗值的連續(xù)可調。

在電抗器的整個容量調節(jié)范圍內，僅有小截面段的鐵心磁路工作在飽和區(qū)，而大截面段始終工作于未飽和線性區(qū)。左圖為鐵心磁化曲線示意圖，曲線中間部分為未飽和線性區(qū)，左、右兩邊為極限飽和線性區(qū)。若使電抗器工作在極限飽和線性區(qū)，不僅可以減小諧波含量，同時亦能大幅減低鐵心磁滯損耗，電抗器鐵損控制在理想狀態(tài)。

右圖為電抗器外加交流電壓時的兩種工作狀態(tài)。當電抗器繞組接至電源電壓時，在可控硅T1、T2兩端感應出電壓。該電壓正半周觸發(fā)導通可控硅T1，在回路中產生直流控制電流;電源電壓負半周期觸發(fā)導通可控硅T2，也在回路中形成直流控制電流，使電抗器工作鐵心飽和，輸出電流增加?？煽仉娍蛊鬏敵鲭娏鞔笮∪Q于晶閘管控制角α，α越小，產生的控制電流越強，從而電抗器工作鐵心磁飽和程度越高，輸出電流越大。因此，改變晶閘管控制角，可平滑調節(jié)電抗器容量。

說明:

電壓等級: 6、10、20、35、110kV

M:RMCR型SVC，即指磁閥式動態(tài)無功補償裝置

安裝地點:N-戶內(可省略)、W-戶外

可控硅閥結構:箱式;

控制系統(tǒng):全數字控制系統(tǒng);

控制方式:無功功率;

調節(jié)方式:分相調節(jié);

噪聲水平:<68分貝;

系統(tǒng)響應時間:20ms~60ms;

自身諧波含量小，3次諧波電流是額定基波電流的7%左右，5次諧波電流為2.5%左右;

無功調節(jié)范圍是0~100%，使用后的功率因數能達到0.92以上;

地震烈度: Ⅷ度;

使用年限:>20年。

控制系統(tǒng)采用DSP全數字處理芯片，具有高度的可靠性和穩(wěn)定性，而且運算速度快，能夠實現復雜的運算;

模塊化設計，擴展靈活;

可控硅采用高質量元件，光電觸發(fā)，BOD保護，系統(tǒng)抗干擾強，運行可靠;

監(jiān)控部分有上位監(jiān)控機，人機顯示界面及其它的相應終端器件構成，可以對系統(tǒng)的電能質量進行實時、連續(xù)的監(jiān)測;

可以直接運行于任何電壓等級電網且安裝簡單;

可實現三相同時控制，分相控制和三相平衡控制;

提供RS232、RS485以及CAN總線等通訊接口，便于實現遠程控制和無人值守;

具有硬保護和后備微機保護。