?MCT(MOS Controlled Thyristor)是將MOSFET與晶閘管組合而成的復合型器件。MCT將MOSFET的高輸入阻抗、低驅(qū)動功率、快速的開關(guān)過程和晶閘管的高電壓大電流、低導通壓降的特點結(jié)合起來,也是Bi-MOS器件的一種。一個MCT器件由數(shù)以萬計的MCT元組成,每個元的組成為:一個PNPN晶閘管,一個控制該晶閘管開通的MOSFET,和一個控制該晶閘管關(guān)斷的MOSFET。
MCT具有高電壓、大電流、高載流密度、低通態(tài)壓降的特點。其通態(tài)壓降只有GTR的1/3左右,硅片的單位面積連續(xù)電流密度在各種器件中是最高的。另外,MCT可承受極高的di/dt和du/dt,使得其保護電路可以簡化。MCT的開關(guān)速度超高GTR,開關(guān)損耗也小。
總之,MCT曾一度被認為是一種最有發(fā)展前途的電力電子器件。因此,20世紀80年代以來一度成為研究的熱點。但經(jīng)過十多年的努力,其關(guān)鍵技術(shù)問題沒有大的突破,電壓和電流容量都遠未達到預(yù)期的數(shù)值,未能投入實際應(yīng)用。而其競爭對手IGBT卻進展飛速,所以,目前從事MCT研究的人不是很多。
一、作用:可控的導電開關(guān),與二極管相比,不同之處是正向?qū)ㄊ卓刂茦O電流控制。二、什么是晶閘管:晶閘管導通條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流;其派生器件有:快速晶閘管,雙向晶閘管,逆導晶閘管,光控晶閘管...
晶閘管有四層半導體,三個極,相當于雙晶體三極管模型。因此是雙極型。
控制板價格會因為材質(zhì)、制作工藝的不同而有所不同。價格一般在80-300元之間。價格來源于網(wǎng)絡(luò)僅供參考。希望我的回答可以幫到您。
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晶閘管作為脈沖功率開關(guān)器件時,其短時導通電流往往數(shù)倍于它的通態(tài)平均電流,短時積聚的損耗會使晶閘管結(jié)區(qū)累積大量熱量,造成其結(jié)溫瞬間陡升,試驗表明極易使得晶閘管因結(jié)區(qū)過溫而擊穿。因此如何優(yōu)化設(shè)計晶閘管脈沖功率開關(guān)閥體結(jié)構(gòu)、最大限度快速散熱、降低結(jié)區(qū)溫升,具有重要意義。介紹了基于ABB的5STP 52U5200型晶閘管所構(gòu)建的脈沖功率開關(guān)閥體結(jié)構(gòu)及其柯爾熱阻抗模型,并利用Matlab的SimuLink構(gòu)建脈沖功率開關(guān)閥體的熱網(wǎng)絡(luò)仿真模型,獲取晶閘管耗散功率與其最高結(jié)溫、晶閘管耗散功率與其殼溫的可視化關(guān)系曲線,歸納了脈沖功率開關(guān)導電極的熱阻與熱容對晶閘管最高結(jié)溫的影響規(guī)律,為晶閘管脈沖功率開關(guān)閥體結(jié)構(gòu)的優(yōu)化設(shè)計提供了依據(jù),并得到了試驗驗證。
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MOS 管的構(gòu)造及 MOS 管種類和結(jié)構(gòu) 隨著社會的進步和發(fā)展, MOS 管在電子行業(yè)的應(yīng)用越來越廣泛,薩科微電子 SLKOR 作為能夠研發(fā)生產(chǎn)碳化硅 SiC 產(chǎn)品的“碳化硅專家”,必須來科普一下這方面的知 識。 MOS 即 MOSFET 的簡寫,全稱是金屬氧化物場效應(yīng)晶體管。 就是利用輸入回路的電場效 應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導體器件。 MOS 管的構(gòu)造、原理、特性、符號規(guī)則和封 裝種類等,大致如下。 1、MOS 管的構(gòu)造: MOS 管的構(gòu)造是在一塊摻雜濃度較低的 P 型半導體硅襯底上,用半導體光刻、擴散工藝 制作兩個高摻雜濃度的 N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個電極,分別作為漏極 D 和源極 S。然 后在漏極和源極之間的 P型半導體表面復蓋一層很薄的二氧化硅( Si02)絕緣層膜,在再 這個絕緣層膜上裝上一個鋁電極,作為柵極 G。這就構(gòu)成了一個 N 溝道(NPN 型)增強 型 MOS 管
MOS控制晶閘管是由MOSFET和晶閘管復合而成的一種電力電子器件,它的輸人極由MOS管控制,故屬場控器件。
MOS控制晶閘管概述
直流電樞繞組分疊繞組、波繞組和蛙繞組3種。每個線圈的兩個出線端連接到換向器的兩個換向片上,兩者在換向器圓周表面上相隔的距離稱為換向器節(jié)距,用Ys表示。不同形式的繞組具有不同的換向器節(jié)距。
有單疊繞組和復疊繞組之分。單疊繞組是將同一磁極下相鄰的線圈依次串聯(lián)起來 ,構(gòu)成一條并聯(lián)支路,所以對應(yīng)一個磁極就有一條并聯(lián)支路。單疊繞組的基本特征是并聯(lián)支路數(shù)等于磁極數(shù)。各條支路間通過電刷并聯(lián)。單疊繞組線圈的換向器節(jié)距Ys=1。Ys>1者稱復疊繞組。比較常用的是Ys=2的復疊繞組,又稱雙疊繞組。雙疊繞組在一個磁極下有兩條并聯(lián)支路。例如一臺四極直流電機,采用雙疊繞組時,共有8條并聯(lián)支路。各條支路間也是通過電刷并聯(lián)。電刷組數(shù)等于電機的極數(shù)。其中一半為正電刷組,另一半為負電刷組。疊繞組的并聯(lián)支路數(shù)較多,它等于極數(shù)或為極數(shù)的整倍數(shù),所以又叫并聯(lián)繞組。
其驅(qū)動電路比GTO的驅(qū)動電路簡單;通態(tài)壓降與SCR相當,比IGBT和GTR都低。MCT具有高電壓、大電流高輸入阻抗低驅(qū)動功率、低通態(tài)壓降、開關(guān)速度快以及開關(guān)損耗小等特點。另外,MCT承受di/dt和du/dt的能力極高,可使其保護電路得以簡化。 2100433B