無(wú)觸點(diǎn)可控硅開(kāi)關(guān)

1、等電位過(guò)零技術(shù)，實(shí)現(xiàn)電壓過(guò)零時(shí)導(dǎo)通、電流為零時(shí)切除，確保投入無(wú)沖擊涌流、切除無(wú)過(guò)電壓。

2、選用優(yōu)質(zhì)大功率、高耐壓(反向耐壓1600V)可控硅模塊，經(jīng)多年實(shí)際項(xiàng)目運(yùn)行，其工作穩(wěn)定可靠。

3、成熟穩(wěn)定的抗干擾電路設(shè)計(jì)，確保調(diào)節(jié)器長(zhǎng)期穩(wěn)定工作。

4、使用壽命達(dá)10萬(wàn)小時(shí)以上，免維護(hù)，投切時(shí)間小于20ms。

5、元件布局合理、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊;接線(xiàn)、安裝方便，調(diào)試簡(jiǎn)單。

額定電壓:低壓系統(tǒng)450V及以下

額定頻率:50Hz

控制容量:三相60Kvar及以下，單相20Kvar及以下。

安裝海拔:2000米及以下

運(yùn)行環(huán)境:溫度-25℃~+45℃，相對(duì)濕度不超過(guò)90%，周?chē)h(huán)境應(yīng)有良好的通風(fēng)條件。

控制電壓:DC +12V

控制電流:20mA

投入涌流:小于2In

投切次數(shù):大于50萬(wàn)次

可控硅無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān):由大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、光電隔離電路、觸發(fā)電路、保護(hù)電路、散熱裝置等組成。用于低壓400V系統(tǒng)容性負(fù)載的通斷控制，無(wú)沖擊涌流，無(wú)過(guò)壓，工作時(shí)無(wú)噪音，允許頻繁投切，安裝、接線(xiàn)簡(jiǎn)單方便，特別適合配套快速投切SVC低壓動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置使用。

無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)分為磁放大器式無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)，電子管、離子管式無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)和半導(dǎo)體無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。各種無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，開(kāi)關(guān)特性也有所不同，詳細(xì)了解每種類(lèi)型的內(nèi)部開(kāi)關(guān)原理以及開(kāi)關(guān)特性，有利于開(kāi)發(fā)人員根據(jù)控制系統(tǒng)的要求選擇合適的無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。磁放大器式無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)體積與重量較大且電流轉(zhuǎn)換速度慢，已較少采用；電子管、離子管式無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)由于電子管、離子管的功率不能做得很大，在實(shí)際應(yīng)用中受到了很大的限制，也已較少使用。

半導(dǎo)體無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)是借電路中半導(dǎo)體器件的可控導(dǎo)通性來(lái)實(shí)現(xiàn)電路通斷的一種開(kāi)關(guān)電器。它是20世紀(jì)50年代后發(fā)展起來(lái)的一種開(kāi)關(guān)，可用晶體管或晶閘管組成，由于晶體管受到功率的限制，大都采用晶閘管及其控制電路組成。半導(dǎo)體無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的優(yōu)點(diǎn)是：電流可以做得較大，耐反壓值高，控制門(mén)極功耗小，導(dǎo)通和關(guān)斷時(shí)間短，工作壽命長(zhǎng)，環(huán)境適應(yīng)性好，工作效率高等。 例如，對(duì)有觸點(diǎn)的接觸器，操作頻率高于36次/h以上時(shí)就很困難了，但對(duì)半導(dǎo)體式無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)則操作頻率每小時(shí)可達(dá)數(shù)萬(wàn)次至數(shù)十萬(wàn)次以上。