無觸點可控硅開關技術參數(shù)

額定電壓:低壓系統(tǒng)450V及以下

額定頻率:50Hz

控制容量:三相60Kvar及以下，單相20Kvar及以下。

安裝海拔:2000米及以下

運行環(huán)境:溫度-25℃~+45℃，相對濕度不超過90%，周圍環(huán)境應有良好的通風條件。

控制電壓:DC +12V

控制電流:20mA

投入涌流:小于2In

投切次數(shù):大于50萬次

1、等電位過零技術，實現(xiàn)電壓過零時導通、電流為零時切除，確保投入無沖擊涌流、切除無過電壓。

2、選用優(yōu)質(zhì)大功率、高耐壓(反向耐壓1600V)可控硅模塊，經(jīng)多年實際項目運行，其工作穩(wěn)定可靠。

3、成熟穩(wěn)定的抗干擾電路設計，確保調(diào)節(jié)器長期穩(wěn)定工作。

4、使用壽命達10萬小時以上，免維護，投切時間小于20ms。

5、元件布局合理、結構設計緊湊;接線、安裝方便，調(diào)試簡單。

可控硅無觸點開關:由大功率反并聯(lián)晶閘管模塊、光電隔離電路、觸發(fā)電路、保護電路、散熱裝置等組成。用于低壓400V系統(tǒng)容性負載的通斷控制，無沖擊涌流，無過壓，工作時無噪音，允許頻繁投切，安裝、接線簡單方便，特別適合配套快速投切SVC低壓動態(tài)無功補償裝置使用。

無觸點開關分為磁放大器式無觸點開關，電子管、離子管式無觸點開關和半導體無觸點開關。各種無觸點開關的內(nèi)部結構不同，開關特性也有所不同，詳細了解每種類型的內(nèi)部開關原理以及開關特性，有利于開發(fā)人員根據(jù)控制系統(tǒng)的要求選擇合適的無觸點開關。磁放大器式無觸點開關體積與重量較大且電流轉(zhuǎn)換速度慢，已較少采用；電子管、離子管式無觸點開關由于電子管、離子管的功率不能做得很大，在實際應用中受到了很大的限制，也已較少使用。

半導體無觸點開關是借電路中半導體器件的可控導通性來實現(xiàn)電路通斷的一種開關電器。它是20世紀50年代后發(fā)展起來的一種開關，可用晶體管或晶閘管組成，由于晶體管受到功率的限制，大都采用晶閘管及其控制電路組成。半導體無觸點開關的優(yōu)點是：電流可以做得較大，耐反壓值高，控制門極功耗小，導通和關斷時間短，工作壽命長，環(huán)境適應性好，工作效率高等。 例如，對有觸點的接觸器，操作頻率高于36次/h以上時就很困難了，但對半導體式無觸點開關則操作頻率每小時可達數(shù)萬次至數(shù)十萬次以上。