AlSic主要應(yīng)用

大功率率IGBT 散熱基板；LED封裝照明；航空航天；微電子；殼體封裝；民用飛機(jī)、高鐵等領(lǐng)域

■ 可以使集成電路的封裝性能大幅提高，使用鋁碳化硅材料進(jìn)行電子封裝，使封裝體與芯片的受熱膨脹相一致，并起到良好的導(dǎo)熱功能，解決了電路的熱失效問題；

■ 批量使用AlSiC材料，可以降低封裝成本，比目前使用W-Cu、Mo等貴金屬材料價格要便宜得多；

■ 有效改良我國航天、軍事、微波和其他功率微電子領(lǐng)域封裝技術(shù)水平，提高功能，降低成本，加快我國航天和軍工產(chǎn)品的先進(jìn)化。例如，過去以可伐（Kovar） 材料作為器件封裝外殼的地方，如果換作鋁碳化硅外殼，重量就可減少為原來的三分之一，而導(dǎo)熱性能則增加為原來的十倍。

■ AlSiC封裝材料的開發(fā)成功，標(biāo)志著中國企業(yè)不再是在封裝領(lǐng)域內(nèi)一個單純的藍(lán)領(lǐng)和加工者的角色，而是已經(jīng)有了自己的具備獨(dú)立技術(shù)內(nèi)核的封裝領(lǐng)先產(chǎn)品，填 補(bǔ)了國內(nèi)空白，在封裝領(lǐng)域內(nèi)是一項(xiàng)巨大的技術(shù)進(jìn)步；使用西安明科微電子材料有限公司生產(chǎn)的AlSiC,就是支持民族工業(yè)，為相關(guān)領(lǐng)域的國產(chǎn)化做貢獻(xiàn)。

■ 優(yōu)越的性能使AlSiC比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現(xiàn)用封裝材料具有更廣闊的越的性能使AlSiC比W-Cu、Mo、BeO、Kovar、Mo-Cu、AlN、AlSi、Al2O3等現(xiàn)用封裝材料具有更廣闊的使用空間

■ AlSiC具有高導(dǎo)熱率（180～240W/mK）和可調(diào)的熱膨脹系數(shù)（6.5～9.5×10-6/K），因此一方面AlSiC的熱膨脹系數(shù)與半導(dǎo)體芯片和陶瓷基片實(shí)現(xiàn)良好的匹配，能夠防止疲勞失效的產(chǎn)生，甚至可以將功率芯片直接安裝到AlSiC基板上；另一方面AlSiC的熱導(dǎo)率是可伐合金的十倍，芯片產(chǎn)生的熱量可以及時散發(fā)。這樣，整個元器件的可靠性和穩(wěn)定性大大提高。

■ AlSiC是復(fù)合材料，其熱膨脹系數(shù)等性能可通過改變其組成而加以調(diào)整，因此產(chǎn)品可按用戶的具體要求而靈活地設(shè)計，能夠真正地做到量體裁衣，這是傳統(tǒng)的金屬材料或陶瓷材料無法做到的。

■ AlSiC的密度與鋁相當(dāng)，比銅和Kovar輕得多，還不到Cu/W的五分之一，特別適合于便攜式器件、航空航天和其他對重量敏感領(lǐng)域的應(yīng)用。

■ AlSiC的比剛度（剛度除以密度）是所有電子材料中最高的：是鋁的3倍，是W-Cu和Kovar的5倍，是銅的25倍，另外AlSiC的抗震性比陶瓷 好，因此是惡劣環(huán)境（震動較大，如航天、汽車等領(lǐng)域）下的首選材料。

■ AlSiC可以大批量加工，但加工的工藝取決于碳化硅的含量，可以用電火花、金剛石、激光等加工。

■ AlSiC可以鍍鎳、金、錫等，表面也可以進(jìn)行陽極氧化處理。

■ 金屬化的陶瓷基片可以釬焊到鍍好的AlSiC基板上，用粘結(jié)劑、樹脂可以將印制電路板芯與AlSiC粘合。

■ AlSiC本身具有較好的氣密性。但是，與金屬或陶瓷封裝后的氣密性取決于合適的鍍層和焊接。

■ AlSiC的物理性能及力學(xué)性能都是各向同性的。

鋁碳化硅（AlSiC）是鋁和碳化硅復(fù)合而成的金屬基熱管理復(fù)合材料，是電子元器件專用封裝材料，主要是指將鋁與高體積分?jǐn)?shù)的碳化硅復(fù)合成為低密度、高導(dǎo)熱率和低膨脹系數(shù)的封裝材料，以解決電子電路的熱失效問題。在中國，西安明科微電子材料有限公司與西北工業(yè)大學(xué)是最早合作開發(fā)這種材料的。

AlSiC研發(fā)較早，理論描述較為完善，有品種率先實(shí)現(xiàn)電子封裝材料的規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，滿足半導(dǎo)體芯片集成度沿摩爾定律提高導(dǎo)致芯片發(fā)熱量急劇升高、使用壽命下降以及電子封裝的"輕薄微小"的發(fā)展需求。尤其在航空航天、微波集成電路、功率模塊、軍用射頻系統(tǒng)芯片等封裝分析作用極為凸現(xiàn)，成為封裝材料應(yīng)用開發(fā)的重要趨勢?！》庋b金屬基復(fù)合材料的增強(qiáng)體有數(shù)種，SiC是其中應(yīng)用最為廣泛的一種，這是因?yàn)樗哂袃?yōu)良的熱性能，用作顆粒磨料技術(shù)成熟，價格相對較低；另一方面，顆粒增強(qiáng)體材料具有各向同性，最有利于實(shí)現(xiàn)凈成形。AlSiC特性主要取決于SiC的體積分?jǐn)?shù)（含量）及分布和粒度大小，以及Al合金成份。依據(jù)兩相比例或復(fù)合材料的熱處理狀態(tài)，可對材料熱物理與力學(xué)性能進(jìn)行設(shè)計，從而滿足芯片封裝多方面的性能要求。其中，SiC體積分?jǐn)?shù)尤為重要，實(shí)際應(yīng)用時，AlSiC與芯片或陶瓷基體直接接觸，要求CTE盡可能匹配，為此SiC體積百分?jǐn)?shù)vol通常為50%-75%?！〈送猓珹lSiC可將多種電子封裝材料并存集成，用作封裝整體化，發(fā)展其他功能及用途。研制成功將高性能、散熱快的Cu基封裝材料塊（Cu-金剛石、Cu-石墨、Cu-BeO等）嵌入SiC預(yù)制件中，通過金屬Al熔滲制作并存集成的封裝基片。在AlSiC并存集成過程中，可在最需要的部位設(shè)置這些昂貴的快速散熱材料，降低成本，擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模，嵌有快速散熱材料的AlSiC倒裝片系統(tǒng)正在接受測試和評估。另外，還可并存集成48號合金、Kovar和不銹鋼等材料，此類材料或插件、引線、密封環(huán)、基片等，在熔滲之前插入SiC預(yù)成型件內(nèi)，在AlSiC復(fù)合成形過程中，經(jīng)濟(jì)地完成并存集成，方便光電器件封裝的激光連接?！〔捎脟娚涑练e技術(shù)，制備了內(nèi)部組織均勻、性能優(yōu)良、Si含量高達(dá)70wt%（重量百分率）的高硅鋁合金SiAl封裝材料，高硅鋁合金的CTE與Si、GaAs相匹配，也可用于射頻、微波電路的封裝及航空航天電子系統(tǒng)中，發(fā)展為一種輕質(zhì)金屬封裝材料。

以上信息來源http://www.cecbn.com/infou/htms/article/2007/08/25/200708254125234255967.html

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