暗縫機(jī)blindstitchsewingmachine又稱繰邊機(jī)。在縫料正而形成不明顯線跡的專用縫紉機(jī)。專為西服納駁頭、衣領(lǐng)、袖口、下擺、村里、褲腳口等繰邊用。按線跡型式可分為單線鏈?zhǔn)骄€跡、雙線鏈?zhǔn)骄€跡和雙線鎖式線跡等暗縫機(jī)。
暗縫的操作方法 ??? 1、面料反面向上折一條邊.留出0.4——0.7cm的裕量。 ??? 1)面料反面 ??? 2)0.4-0...
最佳答案 膩?zhàn)?填泥)是平整墻體表面的一種裝飾型材料,是一種厚漿狀涂料,是涂料粉刷前必不可少的一種產(chǎn)品。涂施于底漆上或直接涂施于物體上,用以清除被涂物表面上高低不平的缺陷。 采用少量漆基、助劑、大量填...
1、用一些材料覆蓋在壞瓦片的上面比如塑料一類的。 2、直接把壞道的瓦片換掉。 3、去掉壞掉的瓦片,然后把上下的瓦片往中間移動(dòng)靠攏一點(diǎn)。這樣就能填補(bǔ)那個(gè)空隙達(dá)到不漏水的效果。 4、用瀝青、水泥漿或者其他...
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評(píng)分: 4.5
為了改善暗縫式改性瀝青伸縮縫的使用性能,文章簡要介紹了暗縫式橋梁伸縮縫的構(gòu)造,并通過模擬美佳伸縮縫,用不同厚度的鋼板做實(shí)驗(yàn),對(duì)伸縮縫裝置的彎曲變形進(jìn)行分析研究。文章的研究成果表明:鋼板在不同厚度的情況下,暗縫式改性瀝青伸縮縫的彎曲變形有極大的不同,可供橋梁設(shè)計(jì)及養(yǎng)護(hù)工程師參考。
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頁數(shù): 8頁
評(píng)分: 4.3
1 范圍 本工藝標(biāo)準(zhǔn)適用于一般民用建筑內(nèi)電氣照明暗管配線工程, 不得在高溫場所、 易受機(jī)械損傷的場所及頂棚內(nèi)敷設(shè)。 2 施工準(zhǔn)備 2.1 材料要求: 2.1.1 半硬質(zhì)塑料管及其配件必須由阻燃處理的材料制成。 塑料管外壁應(yīng)有間 距不大于 1m的連續(xù)阻燃標(biāo)記和制造廠標(biāo),并有產(chǎn)品合格證。管壁厚度均勻,無 裂縫、孔洞、氣泡及管身變形等現(xiàn)象。 半硬塑料管不得在高溫及露天場所堆垛存 放。 2.1.2 配電箱:應(yīng)為兩部認(rèn)證合格廠家的產(chǎn)品、產(chǎn)品應(yīng)有合格證。 2.1.3 開關(guān)盒、插座盒、燈頭盒、接線盒等塑料盒均應(yīng)外觀整齊, 敲落孔齊全, 無劈裂等現(xiàn)象。 2.1.4 鍍鋅材料:扁鋼、圓鋼、木螺絲、機(jī)螺絲、鉛絲等。 2.1.5 輔助材料:防腐漆、膠粘劑、水泥、砂子等。 2.2 主要機(jī)具: 2.2.1 鉛筆、卷尺、水平尺、線墜、水桶、灰桶、灰鏟。 2.2.2 手錘、塹子、鋼鋸、鋸條、刀鋸、
就是有原地表覆蓋層的。
其實(shí)簡單點(diǎn)就是隧道進(jìn)洞的時(shí)候是否露天,參考圖紙刷的仰坡里程一般在明暗交接處,施工進(jìn)洞時(shí)露天段是明洞,接著明洞開挖的為暗洞。明暗洞支護(hù)參數(shù)也不一樣,一般隧道以套拱進(jìn)洞,明洞不設(shè)初期支護(hù)2100433B
暗開盤,為了躲避新政調(diào)控期的低迷樓市,開發(fā)商最近頻繁上演“暗開盤”。所謂“暗開盤”就是樓盤開賣時(shí)只是打電話通知預(yù)約客戶,低調(diào)得連個(gè)簡單儀式都沒有。業(yè)內(nèi)人士透露,“暗開盤”銷售策略,為的是“拴”住更多買家,緩解銷售壓力。
鐿摻雜的鋁硅酸鹽中的氧缺陷(ODCs)色心是導(dǎo)致短波長能量吸收,從而引起紫外與紅外波長的誘導(dǎo)損耗。當(dāng)鐿離子數(shù)超過石英基中空穴數(shù)時(shí),Yb-Al或Yb-Yb陽離子間的價(jià)鍵遭到破壞的幾率增大。釋放的自由電子被GeO4四面體俘獲,形成Ge(1)色心,其吸收峰位于280 nm。Yb-ODCs,通過雙光子吸收釋放的自由電子被Al或Yb俘獲,形成色心導(dǎo)致光暗化。二價(jià)的鐿離子Yb2+的特征吸收峰位于220 nm。但是,其吸收曲線并不符合典型的二價(jià)鐿離子吸收曲線。石英玻璃中的典型ODC濃度為~,光暗化與材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)、周圍的原子種類、鐿離子的共價(jià)鍵等多種因素密切相關(guān)。
低能級(jí)電荷的轉(zhuǎn)移,鐿離子的三價(jià)態(tài)向低價(jià)態(tài)轉(zhuǎn)換,導(dǎo)致Yb2+的形成,當(dāng)穩(wěn)定的Yb2+形成后,自由空穴產(chǎn)生,并激勵(lì)到較高的能級(jí)CT態(tài),這就導(dǎo)致了色心的形成,從而引起在紫外和紅外波長的誘導(dǎo)損耗。230 nm的吸收不是由于Yb-ODC缺陷中心造成的,該強(qiáng)烈的吸收帶是氧配位體(Ligands)附近的一個(gè)電子向鐿離子的電荷轉(zhuǎn)移帶吸收造成的,而不是ODC造成的。
光暗化發(fā)生的根源在于”非橋鍵氧“的存在,”非橋鍵氧“俘獲電子/空穴形成具備特定能量的色心,色心吸收一定能量的光子造成能量的損耗與光功率衰退。