中文名 | 半導(dǎo)體光檢測(cè)器 | 外文名 | semiconductor photodetector |
---|---|---|---|
應(yīng)用學(xué)科 | 光纖通信技術(shù) |
最簡(jiǎn)單的光電檢測(cè)器的結(jié)構(gòu)如圖(1-a)所示,為一P-N結(jié)。在P-N結(jié)間由于載流子的擴(kuò)散作用形成寬為W的耗盡層,并產(chǎn)生圖示方向的內(nèi)建電場(chǎng)。如將P-N結(jié)部連接,由于耗盡層內(nèi)缺乏載流子,外電路中無(wú)電流。這時(shí)用適當(dāng)波長(zhǎng)的光去照射,則在外電路中產(chǎn)生相應(yīng)的電流—光生電流。圖(1-b)表示P-N結(jié)的能帶圖,在光照射下價(jià)帶Ev中的電子吸收光子躍遷到導(dǎo)帶民,在價(jià)帶留下了空穴(這種在光作用下產(chǎn)生的載流子叫光生載流子)。它們?cè)诤谋M層內(nèi)在內(nèi)建電場(chǎng)作用下作漂移運(yùn)動(dòng);在耗盡區(qū)外先靠擴(kuò)散作用進(jìn)入耗盡層,再做漂移運(yùn)動(dòng),這樣就在外電路中形成反向電流,即光生電流。這種由于光的照射而產(chǎn)生電流的效應(yīng)叫光電效應(yīng)。另有在耗盡層中產(chǎn)生的光生載流子才能有效地形成光生電流,因而為提高光電轉(zhuǎn)換的效率,需使耗盡層加寬。光電二極管加反向偏壓工作,就是為此目的。
PIN光電二極管是在P層和N層之間加了較寬的近于本征半導(dǎo)體的輕摻雜I層,在反向偏壓作用下,其中載流子被掃清,使其耗盡層大大加寬,因而其光電轉(zhuǎn)換效率比P-N結(jié)光電二極管大為提高。
APD光電二極管,即雪崩光電二極管是有增益的光電器件,其增益由雪崩倍增效應(yīng)產(chǎn)生。APD管工作時(shí)反偏壓很高,光生載流子在耗盡層的高電場(chǎng)區(qū)獲得很大的動(dòng)能,產(chǎn)生雪崩式碰撞,使光電流獲得了雪崩倍增。
特性 ①響應(yīng)度R和量子效率η:響應(yīng)度R,表明將光功率轉(zhuǎn)換為電流的能力,是波長(zhǎng)λ的函數(shù):R(λ) ≡I/P,P為輸入的光功率,I為輸出的光電流;量子效率η的含意為平均每個(gè)光子所能激發(fā)的載流子數(shù),η(λ) ≡,式中e為電子電荷,hγ為入射光子能量。R和η之間的關(guān)系為,式中M為APD的倍增因子。對(duì)無(wú)倍增器件M=l;②光譜響應(yīng):是R(λ)隨入射光波長(zhǎng)變化的特性,R(λ)降到峰值一半對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng),長(zhǎng)波側(cè)稱長(zhǎng)波限(取決于材料的帶隙),短波側(cè)稱短波限(取決于吸收系數(shù)的陡增);③噪聲等效功率:NEP≡P/(),式中S為有用信號(hào)電流,N為噪聲電流,△f為接收機(jī)帶寬,④暗電流:無(wú)光照時(shí),器件在工作點(diǎn)的電流。它是直流噪聲的主要來(lái)源,它包括擴(kuò)散電流,耗盡層的復(fù)合電流,隧道電流及表面漏電流;⑤脈沖響應(yīng)時(shí)間:指對(duì)瞬變光信號(hào)的響應(yīng)能力,包括脈沖上升時(shí)間τr和脈沖下降時(shí)間τf。如果檢測(cè)器的響應(yīng)速度跟不上光信號(hào)的變化,輸出的光電流將隨著調(diào)制頻率的提高而減小。其它還有伏安特性、溫度特性及退化特性等。
在0.8~0.9μm波段,硅APD已具有接近理想的性能。在1.3~1.55μm波段,使用的三種光檢測(cè)器的比較見(jiàn)表所列。這些器件的性能都尚未達(dá)到完善的地步。大于1.6μm波段,可使用AlGaSb(鋁鎵銻)/GaSb(鎵銻化物),HgCdTe/CdTe的光檢測(cè)器。
1.3μm、1.55μm波段三種光纖通信用光檢測(cè)器比較表
利用半導(dǎo)體P-N結(jié)的內(nèi)光電效應(yīng)把光信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)殡娦盘?hào)的光器件。光纖通信用的半導(dǎo)體光檢測(cè)器有半導(dǎo)體光電二極管(P-N結(jié)或PIN)和半導(dǎo)體雪崩光電二極管(APD);光電子集成中也用肖特基勢(shì)壘或光晶體管。它們都具有體積小、靈敏度高、響應(yīng)速度快和噪聲較低等優(yōu)點(diǎn)。
半導(dǎo)體主要具有三大特性:1.熱敏特性半導(dǎo)體的電阻率隨溫度變化會(huì)發(fā)生明顯地改變。例如純鍺,濕度每升高10度,它的電阻率就要減小到原來(lái)的1/2。溫度的細(xì)微變化,能從半導(dǎo)體電阻率的明顯變化上反映出來(lái)。利用半...
半導(dǎo)體封裝簡(jiǎn)介:半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造、晶圓測(cè)試、芯片封裝和封裝后測(cè)試組成。半導(dǎo)體封裝是指將通過(guò)測(cè)試的晶圓按照產(chǎn)品型號(hào)及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過(guò)程。封裝過(guò)程為:來(lái)自晶圓前道工藝的晶圓通過(guò)劃片工藝...
如果是光通信的研究,一般用的多的半導(dǎo)體激光器的波長(zhǎng)是1550nm波段的,其次是1310nm,也有其他的如,850nm和980nm等等。 半導(dǎo)體激光器的常用參數(shù)可分為:波長(zhǎng)、閾值電流Ith?、工作電...
格式:pdf
大?。?span id="f77xscs" class="single-tag-height">5.4MB
頁(yè)數(shù): 55頁(yè)
評(píng)分: 4.4
半導(dǎo)體光傳感器
光檢測(cè)器包括:光電倍增管、熱電探測(cè)器、光電二極管
常見(jiàn)的半導(dǎo)體光檢測(cè)器包括:PN光電二極管、PIN光電二極管和雪崩光電二極管(APD)。
光纖通信系統(tǒng)要求光檢測(cè)器:
(1) 靈敏度高:靈敏度高表示檢測(cè)器把光功率轉(zhuǎn)變?yōu)殡娏鞯男矢摺T趯?shí)際的光接收機(jī)中,光纖傳來(lái)的信號(hào)及其微弱,有時(shí)只有1nw左右。為了得到較大的信號(hào)電流,人們希望靈敏度盡可能的高。
(2) 響應(yīng)速度快:指射入光信號(hào)后,馬上就有電信號(hào)輸出;光信號(hào)一停,電信號(hào)也停止輸出,不要延遲。這樣才能重現(xiàn)入射信號(hào)。實(shí)際上電信號(hào)完全不延遲是不可能的,但是應(yīng)該限制在一個(gè)范圍之內(nèi)。隨著光纖通信系統(tǒng)的傳輸速率的不斷提高,超高速的傳輸對(duì)光電檢測(cè)器的響應(yīng)速度的要求越來(lái)越高,對(duì)其制造技術(shù)提出了更高的要求。
(3) 噪聲小:為了提高光纖傳輸系統(tǒng)的性能,要求系統(tǒng)的各個(gè)組成部分的噪聲要求足夠小。但是對(duì)于光電檢測(cè)器要求特別嚴(yán)格,因?yàn)樗窃跇O其微弱的信號(hào)條件下工作,又處于光接收機(jī)的最前端,如果在光電變換過(guò)程中引入的噪聲過(guò)大,則會(huì)使信號(hào)噪聲比降低,影響重現(xiàn)原來(lái)的信號(hào)。
(4) 穩(wěn)定可靠:要求檢測(cè)器的主要性能盡可能不受或者少受外界溫度變化和環(huán)境變化的影響,以提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。
光檢測(cè)器是將散射光能量轉(zhuǎn)換為電信號(hào)的光電轉(zhuǎn)換器件。激光塵埃粒子計(jì)數(shù)器中最常用的光檢測(cè)器是光電倍增管和光電二極管。
光電倍增管把光電子放大幾萬(wàn)倍后轉(zhuǎn)換成幾個(gè)毫伏到幾十毫伏的電信號(hào),具有光譜線性好、響應(yīng)時(shí)間快、暗電流小的優(yōu)點(diǎn),缺點(diǎn)是體積大。光電倍增管工作時(shí)需加上幾百伏特的負(fù)高壓,儀器中有相應(yīng)的高壓產(chǎn)生電路,在對(duì)儀器進(jìn)行調(diào)試或校準(zhǔn)時(shí)應(yīng)注意安全。光電二極管是一種受到光照后能產(chǎn)生電子的半導(dǎo)體元件,具有體積小、外圍電路簡(jiǎn)單的特點(diǎn),常與檢測(cè)腔做成一體。