中文名 | 半導(dǎo)體激光快速成型設(shè)備 | 產(chǎn)????地 | 德國 |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 機械工程 | 啟用日期 | 2014年10月1日 |
所屬類別 | 工藝試驗儀器 > 電子工藝實驗設(shè)備 |
能夠根據(jù)設(shè)計的圖紙快速制造東西。 2100433B
Outputpower:3000-4000WCWWavelength:940nm-980nm -10nm@25oCSpectralWidth:5nm(FWHM)Stability(24h,coolingwater△T≤±1K:±2)WorkingLifetime:>10000hrsIncludingpowersupplyandcoolingsystemOpticsTubeBeamSize:3mm×3mmWorkdistence:35。
半導(dǎo)體激光器工作原理:半導(dǎo)體激光器工作原理是激勵方式,利用半導(dǎo)體物質(zhì)(既利用電子)在能帶間躍遷發(fā)光,用半導(dǎo)體晶體的解理面形成兩個平行反射鏡面作為反射鏡,組成諧振腔,使光振蕩、反饋、產(chǎn)生光的輻射放大,輸...
半導(dǎo)體激光器通過一定的激勵方式,在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶(導(dǎo)帶與價帶)之間,或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)(受主或施主)能級之間,實現(xiàn)非平衡載流子的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時便產(chǎn)生受...
如果是光通信的研究,一般用的多的半導(dǎo)體激光器的波長是1550nm波段的,其次是1310nm,也有其他的如,850nm和980nm等等。 半導(dǎo)體激光器的常用參數(shù)可分為:波長、閾值電流Ith?、工作電...
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應(yīng)用ZEMAX光學(xué)設(shè)計軟件模擬了一種多芯片半導(dǎo)體激光器光纖耦合模塊,將12支808nm單芯片半導(dǎo)體激光器輸出光束耦合進(jìn)數(shù)值孔徑0.22、纖芯直徑105μm的光纖中,每支半導(dǎo)體激光器功率10 W,光纖輸出端面功率達(dá)到116.84W,光纖耦合效率達(dá)到97.36%,亮度達(dá)到8.88MW/(cm2·sr)。通過ZEMAX和ORIGIN軟件分析了光纖對接出現(xiàn)誤差以及單芯片半導(dǎo)體激光器安裝出現(xiàn)誤差時對光纖耦合效率的影響,得出誤差對光纖耦合效率影響的嚴(yán)重程度從大到小分別為垂軸誤差、軸向誤差、角向誤差。
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半導(dǎo)體激光器輸出特性的影響因素 半導(dǎo)體激光器是一類非常重要的激光器,在光通信、光存儲等很多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng) 用。下面我將探討半導(dǎo)體激光器的波長、光譜、光功率、激光束的空間分布等四個方面的 輸出特性,并分析影響這些輸出特性的主要因素。 1. 波長 半導(dǎo)體激光器的發(fā)射波長是由導(dǎo)帶的電子躍遷到價帶時所釋放出的能量決定的, 這個能 量近似等于禁帶寬度 Eg(eV)。 hf = Eg f (Hz) 和λ(μm)分別為發(fā)射光的頻率和波長 且c=3×108m/s, h=6.628 ×10- 34 J ·s, leV=1.60 × 10- 19 J 得 決定半導(dǎo)體激光器輸出光波長的主要因素是 半導(dǎo)體材料 和溫度 。 不同半導(dǎo)體材料有不同的禁帶寬度 Eg,因而有不同的發(fā)射波長 λ:GaAlAs-GaAs 材料 適用于 0.85 μm波段, InGaAsP-InP材料適用于 1.3~1.55 μm波段。
內(nèi)容簡介
《沖壓注塑成型設(shè)備》共分六個項目,內(nèi)容包括:曲柄壓力機、常見類型沖壓設(shè)備、液壓機、塑料注射機、塑料擠出成型設(shè)備和其他成型設(shè)備,集冷沖壓塑料成型和金屬壓鑄三種機械設(shè)備于一書,重點介紹設(shè)備的工作原理、結(jié)構(gòu)、特點和應(yīng)用,同時對擠出理論也作了簡要介紹?!稕_壓注塑成型設(shè)備》力求突出實用性,重在培養(yǎng)學(xué)生的應(yīng)用和設(shè)計能力。《沖壓注塑成型設(shè)備》可作為高等院校模具專業(yè)的專業(yè)課教材,也可作為職業(yè)大學(xué)、電大、職業(yè)中專、職業(yè)高中用教材,并可供從事金屬和塑料成型的技術(shù)人員參考。
半導(dǎo)體激光器是成熟較早、進(jìn)展較快的一類激光器,由于它的波長范圍寬,制作簡單、成本低、易于大量生產(chǎn),并且由于體積小、重量輕、壽命長,因此,品種發(fā)展快,應(yīng)用范圍廣,已超過300種,半導(dǎo)體激光器的最主要應(yīng)用領(lǐng)域是Gb局域網(wǎng),850nm波長的半導(dǎo)體激光器適用于Gh局域網(wǎng),1300nm -1550nm波長的半導(dǎo)體激光器適用于1OGb局域網(wǎng)系統(tǒng)。半導(dǎo)體激光器的應(yīng)用范圍覆蓋了整個光電子學(xué)領(lǐng)域,已成為當(dāng)今光電子科學(xué)的核心技術(shù)。半導(dǎo)體激光器在激光測距、激光雷達(dá)、激光通信、激光模擬武器、激光警戒、激光制導(dǎo)跟蹤、引燃引爆、自動控制、檢測儀器等方面獲得了廣泛的應(yīng)用,形成了廣闊的市場。1978年,半導(dǎo)體激光器開始應(yīng)用于光纖通信系統(tǒng),半導(dǎo)體激光器可以作為光纖通信的光源和指示器以及通過大規(guī)模集成電路平面工藝組成光電子系統(tǒng)。由于半導(dǎo)體激光器有著超小型、高效率和高速工作的優(yōu)異特點,所以這類器件的發(fā)展,一開始就和光通信技術(shù)緊密結(jié)合在一起,它在光通信、光變換、光互連、并行光波系統(tǒng)、光信息處理和光存貯、光計算機外部設(shè)備的光禍合等方面有重要用途。半導(dǎo)體激光器的問世極大地推動了信息光電子技術(shù)的發(fā)展,到如今,它是當(dāng)前光通信領(lǐng)域中發(fā)展最快、最為重要的激光光纖通信的重要光源。半導(dǎo)體激光器再加上低損耗光纖,對光纖通信產(chǎn)生了重大影響,并加速了它的發(fā)展。因此可以說,沒有半導(dǎo)體激光器的出現(xiàn),就沒有當(dāng)今的光通信。雙異質(zhì)結(jié)激光器是光纖通信和大氣通信的重要光源,如今,凡是長距離、大容量的光信息傳輸系統(tǒng)無不都采用分布反饋式半導(dǎo)體激光器(DFB一LD),半導(dǎo)體激光器也廣泛地應(yīng)用于光盤技術(shù)中,光盤技術(shù)是集計算技術(shù)、激光技術(shù)和數(shù)字通信技術(shù)于一體的綜合性技術(shù)。
半導(dǎo)體激光器在基本構(gòu)造上,它屬于半導(dǎo)體的P-N接面,但激光二極管是以金屬包層從兩邊夾住發(fā)光層(有源層),是“雙異質(zhì)結(jié)接合構(gòu)造”。而且在激光二極管中,將界面作為發(fā)射鏡(諧振腔)使用。在使用材料方面,有鎵(Ga)、砷(As)、銦(In)、磷(P)等。此外在多量子阱型中,也使用Ga·Al·As等。
由于具有條狀結(jié)構(gòu),即使是微小電流也會增加活性區(qū)域的電子數(shù)反轉(zhuǎn)密度,
優(yōu)點是激發(fā)容易呈現(xiàn)單一形式,而且,其壽命可達(dá)10~100萬小時。
半導(dǎo)體激光器是一種相干輻射光源,要使它能產(chǎn)生激光,必須具備三個基本條件:
增益條件:建立起激射媒質(zhì)(有源區(qū))內(nèi)載流子的反轉(zhuǎn)分布。在半導(dǎo)體中代表電子能量的是由一系列接近于連續(xù)的能級所組成的能帶,因此在半導(dǎo)體中要實現(xiàn)粒子數(shù)反轉(zhuǎn),必須在兩個能帶區(qū)域之間,處在高能態(tài)導(dǎo)帶底的電子數(shù)比處在低能態(tài)價帶頂?shù)目昭〝?shù)大很多,這靠給同質(zhì)結(jié)或異質(zhì)結(jié)加正向偏壓,向有源層內(nèi)注人必要的載流子來實現(xiàn),將電子從能量較低的價帶激發(fā)到能量較高的導(dǎo)帶中去。當(dāng)處于粒子數(shù)反轉(zhuǎn)狀態(tài)的大量電子與空穴復(fù)合時,便產(chǎn)生受激發(fā)射作用。
要實際獲得相干受激輻射,必須使受激輻射在光學(xué)諧振腔內(nèi)得到多次反饋而形成激光振蕩,激光器的諧振腔是由半導(dǎo)體晶體的自然解理面作為反射鏡形成的,通常在不出光的那一端鍍上高反多層介質(zhì)膜,而出光面鍍上減反膜。對F-p腔(法布里一拍羅腔)半導(dǎo)體激光器可以很方便地利用晶體的與P一n結(jié)平面相垂直的自然解理面構(gòu)成F一P腔。
為了形成穩(wěn)定振蕩,激光媒質(zhì)必須能提供足夠大的增益,以彌補諧振腔引起的光損耗及從腔面的激光輸出等引起的損耗,不斷增加腔內(nèi)的光場。這就必須要有足夠強的電流注入,即有足夠的粒子數(shù)反轉(zhuǎn),粒子數(shù)反轉(zhuǎn)程度越高,得到的增益就越大,即要求必須滿足一定的電流閥值條件。當(dāng)激光器達(dá)到閥值,具有特定波長的光就能在腔內(nèi)諧振并被放大,最后形成激光而連續(xù)地輸出??梢娫诎雽?dǎo)體激光器中,電子和空穴的偶極子躍遷是基本的光發(fā)射和光放大過程對于新型半導(dǎo)體激光器而言,人們公認(rèn)量子阱是半導(dǎo)體激光器發(fā)展的根本動力。量子線和量子點能否充分利用量子效應(yīng)的課題已延至本世紀(jì),科學(xué)家們已嘗試用自組織結(jié)構(gòu)在各種材料中制作量子點,而GaInN量子點已用于半導(dǎo)體激光器。另外,科學(xué)家也已經(jīng)做出了另一類受激輻射過程的量子級聯(lián)激光器,這種受激輻射基于從半導(dǎo)體導(dǎo)帶的一個次能級到同一能帶更低一級狀態(tài)的躍遷,由于只有導(dǎo)帶中的電子參與這種過程,因此它是單極性器件。