半導體照明技術（第二版）內(nèi)容簡介

本書在介紹半導體照明器件———發(fā)光二極管的材料、機理及其制造技術的同時，詳細講解了器件的光 電參數(shù)測試方法，器件的可靠性分析、驅(qū)動和控制方法，以及各種半導體照明的應用技術。本書內(nèi)容系統(tǒng)、 全面，通過理論聯(lián)系實際，重點突出了 “半導體照明”主題，反映了國內(nèi)外最新的應用技術。

第1章光視覺顏色

1.1光

1.1.1光的本質(zhì)

1.1.2光的產(chǎn)生和傳播

1.1.3人眼的光譜靈敏度

1.1.4光度學及其測量

1.2視覺

1.2.1作為光學系統(tǒng)的人眼

1.2.2視覺的特征與功能

1.3顏色

1.3.1顏色的性質(zhì)

1.3.2國際照明委員會色度學系統(tǒng)

1.3.3色度學及其測量

第2章光源

2.1自然光源

2.1.1太陽

2.1.2月亮和行星

2.2人工光源

2.2.1人工光源的發(fā)明與發(fā)展

2.2.2白熾燈

2.2.3鹵鎢燈

2.2.4熒光燈

2.2.5低壓鈉燈

2.2.6高壓放電燈

2.2.7無電極放電燈

2.2.8發(fā)光二極管

2.2.9照明的經(jīng)濟核算

第3章半導體發(fā)光材料晶體導論

3.1晶體結(jié)構(gòu)

3.1.1空間點陣

3.1.2晶面與晶向

3.1.3閃鋅礦結(jié)構(gòu)、金剛石結(jié)構(gòu)和纖鋅礦結(jié)構(gòu)

3.1.4缺陷及其對發(fā)光的影響

3.2能帶結(jié)構(gòu)

3.3半導體晶體材料的電學性質(zhì)

3.3.1費米能級和載流子

3.3.2載流子的漂移和遷移率

3.3.3電阻率和載流子濃度

3.3.4壽命

3.4半導體發(fā)光材料的條件

3.4.1帶隙寬度合適

3.4.2可獲得電導率高的p型和n型晶體

3.4.3可獲得完整性好的優(yōu)質(zhì)晶體

3.4.4發(fā)光復合概率大

第4章半導體的激發(fā)與發(fā)光

4.1pn結(jié)及其特性

4.1.1理想的pn結(jié)

4.1.2實際的pn結(jié)

4.2注入載流子的復合

4.2.1復合的種類

4.2.2輻射型復合

4.2.3非輻射型復合

4.3輻射與非輻射復合之間的競爭

4.4異質(zhì)結(jié)構(gòu)和量子阱

4.4.1異質(zhì)結(jié)構(gòu)

4.4.2量子阱

第5章半導體發(fā)光材料體系

5.1砷化鎵

5.2磷化鎵

5.3磷砷化鎵

5.3.1GaAs0.60P0.40/GaAs

5.3.2晶體中的雜質(zhì)和缺陷對發(fā)光效率的影響

5.4鎵鋁砷

5.5鋁鎵銦磷

5.6銦鎵氮

第6章半導體照明光源的發(fā)展和特征參量

6.1發(fā)光二極管的發(fā)展

6.2發(fā)光二極管材料生長方法

6.3高亮度發(fā)光二極管芯片結(jié)構(gòu)

6.3.1單量子阱（SQW）結(jié)構(gòu)

6.3.2多量子阱（MQW）結(jié)構(gòu)

6.3.3分布布拉格反射（DBR）結(jié)構(gòu)

6.3.4透明襯底技術（Transparent Substrate，TS）

6.3.5鏡面襯底（Mirror Substrate，MS）

6.3.6透明膠質(zhì)黏結(jié)型

6.3.7表面紋理結(jié)構(gòu)

6.4照明用LED的特征參數(shù)和要求

6.4.1光通量

6.4.2發(fā)光效率

6.4.3顯色指數(shù)

6.4.4色溫

6.4.5壽命

6.4.6穩(wěn)定性

6.4.7熱阻

6.4.8抗靜電性能

第7章磷砷化鎵、磷化鎵、鎵鋁砷材料生長

7.1磷砷化鎵氫化物氣相外延生長（HVPE）

7.2氫化物外延體系的熱力學分析

7.3液相外延原理

7.4磷化鎵的液相外延

7.4.1磷化鎵綠色發(fā)光材料外延生長

7.4.2磷化鎵紅色發(fā)光材料外延生長

7.5鎵鋁砷的液相外延

第8章鋁鎵銦磷發(fā)光二極管

8.1AlGaInP金屬有機物化學氣相沉積通論

8.1.1源材料

8.1.2生長條件

8.1.3器件生長

8.2外延材料的規(guī)模生產(chǎn)問題

8.2.1反應器問題:輸送和排空處理

8.2.2均勻性的重要性

8.2.3源的質(zhì)量問題

8.2.4顏色控制問題

8.2.5生產(chǎn)損耗問題

8.3電流擴展

8.3.1歐姆接觸的改進

8.3.2p型襯底上生長

8.3.3電流擴展窗層

8.3.4氧化銦錫（ITO）

8.4電流阻擋結(jié)構(gòu)

8.5光的取出

8.5.1上窗設計

8.5.2襯底吸收

8.5.3分布布拉格反射LED

8.5.4GaP晶片黏結(jié)透明襯底LED

8.5.5膠質(zhì)黏著（藍寶石晶片黏結(jié)）

8.5.6紋理表面結(jié)構(gòu)

8.6芯片制造技術

8.7器件特性

第9章銦鎵氮發(fā)光二極管

9.1GaN生長

9.1.1未摻雜GaN

9.1.2n型GaN

9.1.3p型GaN

9.1.4GaN pn結(jié)LED

9.2InGaN生長

9.2.1未摻InGaN

9.2.2摻雜InGaN

9.3InGaN LED

9.3.1InGaN/GaN雙異質(zhì)結(jié)LED

9.3.2InGaN/AlGaN雙異質(zhì)結(jié)LED

9.3.3InGaN單量子阱（SQW）結(jié)構(gòu)LED

9.3.4高亮度綠色和藍色LED

9.3.5InGaN多量子阱（MQW）結(jié)構(gòu)LED

9.3.6紫外LED

9.3.7AlGaN深紫外LED

9.3.8硅襯底GaN藍光LED

9.4提高質(zhì)量和降低成本的幾個重要技術問題

9.4.1襯底

9.4.2緩沖層

9.4.3激光剝離（LLO）

9.4.4氧化銦錫（ITO）

9.4.5表面紋理結(jié)構(gòu)

9.4.6圖形襯底技術（PSS）

9.4.7微矩陣發(fā)光二極管（MALED）

9.4.8光子晶體（Photonic Crystal，PC）LED

9.4.9金屬垂直光子LED（MVP LED）

第10章LED芯片制造技術

10.1光刻技術

10.2氮化硅生長

10.3擴散

10.4歐姆接觸電極

10.5ITO透明電極

10.6表面粗化

10.7光子晶體

10.8激光剝離（Laser Liftoff，LLO）

10.9倒裝芯片技術

10.10垂直結(jié)構(gòu)芯片技術

10.11芯片的切割

10.12LED芯片結(jié)構(gòu)的發(fā)展

第11章白光發(fā)光二極管

11.1新世紀光源的研制目標

11.2人造白光的最佳化

11.2.1發(fā)光效率和顯色性的折中

11.2.2二基色體系

11.2.3多基色體系

11.3熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED

11.3.1二基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED

11.3.2多基色熒光粉轉(zhuǎn)換白光LED

11.3.3紫外LED激發(fā)多基色熒光粉

11.4多芯片白光LED

11.4.1二基色多芯片白光LED

11.4.2多基色多芯片白光LED

第12章LED封裝技術

12.1LED器件的設計

12.1.1設計原則

12.1.2電學設計

12.1.3熱學設計

12.1.4光學設計

12.1.5視覺因素

12.2LED封裝技術

12.2.1小功率LED封裝

12.2.2SMD LED的封裝

12.2.3芯片級封裝（CSP）

12.2.4大電流LED的封裝

12.2.5功率LED的封裝

12.2.6功率LED組件

12.2.7銦鎵氮類LED的防靜電措施

第13章發(fā)光二極管的測試

13.1發(fā)光器件的效率

13.1.1發(fā)光效率

13.1.2功率效率

13.1.3量子效率

13.2電學參數(shù)

13.2.1伏安特性

13.2.2總電容

13.3光電特性參數(shù)——光電響應特性

13.4光度學參數(shù)

13.4.1法向光強I0的測定

13.4.2發(fā)光強度角分布（半強度角和偏差角）

13.4.3總光通量的測量

13.4.4量值傳遞

13.5色度學參數(shù)

13.5.1光譜分布曲線

13.5.2光電積分法測量色度坐標

13.6熱學參數(shù)（結(jié)溫、熱阻）

13.7靜電耐受性

第14章發(fā)光二極管的可靠性

14.1LED可靠性概念

14.1.1可靠性的含義

14.1.2可靠度的定義

14.1.3LED可靠性的相關概念

14.2LED的失效分析

14.2.1芯片的退化

14.2.2環(huán)氧系塑料的壽命分析

14.2.3管芯的壽命分析

14.2.4熒光粉的退化

14.3可靠性試驗

14.3.1小功率LED環(huán)境試驗

14.3.2功率LED環(huán)境試驗

14.4壽命試驗

14.4.1磷化鎵發(fā)光器件的壽命試驗

14.4.2功率LED（白光）長期工作壽命試驗

14.4.3加速壽命試驗

14.5可靠性篩選

14.5.1功率老化

14.5.2高溫老化

14.5.3濕度試驗

14.5.4高低溫循環(huán)

14.5.5其他項目的選用

14.6例行試驗和鑒定驗收試驗

14.6.1例行試驗

14.6.2鑒定驗收試驗

第15章有機發(fā)光二極管

15.1有機發(fā)光二極管材料

15.1.1小分子有機物

15.1.2高分子聚合物

15.1.3鑭系金屬有機化合物

15.2有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)和原理

15.3OLED實現(xiàn)白光的途徑

15.3.1波長轉(zhuǎn)換

15.3.2顏色混合

15.4有機發(fā)光二極管的驅(qū)動

15.5有機發(fā)光二極管研發(fā)現(xiàn)狀

第16章半導體照明驅(qū)動和控制

16.1LED驅(qū)動技術

16.1.1LED的電學性能特點

16.1.2電源驅(qū)動方案

16.1.3驅(qū)動電路基本方案

16.1.4LED驅(qū)動器的特性

16.1.5LED與驅(qū)動器的匹配

16.2LED驅(qū)動器

16.2.1電容降壓式LED驅(qū)動器

16.2.2電感式LED驅(qū)動器

16.2.3電荷泵式LED驅(qū)動器

16.2.4LED恒流驅(qū)動器

16.3LED集成驅(qū)動電路

16.3.1電荷泵驅(qū)動LED的典型電路

16.3.2開關式DC/DC變換器驅(qū)動LED的典型電路

16.3.3限流開關TPS2014/TPS2015

16.3.4六路串聯(lián)白光LED驅(qū)動電路MAX8790

16.3.5集成肖特基二極管的恒流白光LED驅(qū)動器LT3591

16.3.6低功耗高亮度LED驅(qū)動器LM3404

16.3.7具有診斷功能的16通道LED驅(qū)動器AS1110

16.3.8高壓線性恒流LED驅(qū)動電路

16.4控制技術

16.4.1調(diào)光

16.4.2調(diào)色

16.4.3調(diào)色溫

16.4.4智能照明

第17章半導體照明應用

17.1半導體照明應用產(chǎn)品開發(fā)原則

17.1.1要從LED的優(yōu)點出發(fā)開發(fā)應用產(chǎn)品

17.1.2應用產(chǎn)品市場啟動的判據(jù)——照明成本

17.1.3應用產(chǎn)品的技術關鍵是散熱

17.1.4遵循功率由低到高、技術由易到難的原則

17.1.5造型設計要創(chuàng)新

17.1.6照明燈具通則

17.2LED顯示屏

17.2.1總體發(fā)展規(guī)模

17.2.2產(chǎn)品技術完善

17.2.3新品繼續(xù)拓展

17.3交通信號燈

17.3.1道路交通信號燈

17.3.2鐵路信號燈

17.3.3機場信號燈

17.3.4航標燈

17.3.5路障燈

17.3.6航空障礙燈

17.4景觀照明

17.4.1城市景觀照明的功能作用

17.4.2光源選擇以LED為佳

17.4.3LED景觀燈具

17.4.4LED景觀照明典型工程

17.4.5景觀照明走向規(guī)范化

17.5手機應用

17.6汽車用燈

17.7LCD顯示背光源

17.7.1小尺寸面板背光源的技術和市場狀況

17.7.2中小尺寸面板背光源的技術和市場狀況

17.7.3中大尺寸面板背光源的技術和市場狀況

17.7.4大尺寸面板背光源的技術和市場狀況

17.8通用照明

17.8.1便攜式照明

17.8.2室內(nèi)照明

17.8.3室外照明

17.9光源效率和照明系統(tǒng)整體效率

第18章半導體照明的光品質(zhì)

18.1色純度

18.2顯色性

18.2.1顯色指數(shù)

18.2.2光色品質(zhì)量值系統(tǒng)

18.2.3IES TM30-15光源顯色性評價方法

18.2.4環(huán)境對Ra值的要求

18.2.5不同LED白光的顯色指數(shù)

18.3舒適度

18.4LED色溫

18.5光色均勻度——色容差

18.6智能化LED生物節(jié)律照明

第19章半導體照明技術、市場現(xiàn)狀和展望

19.1材料

19.1.1襯底

19.1.2外延

19.1.3芯片技術

19.2制造和測試設備

19.3LED器件和組件

19.4照明燈具系統(tǒng)

19.5智能控制LED照明工程系統(tǒng)

19.6中國半導體照明產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

19.7中國半導體照明產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

19.8全球半導體照明市場展望

19.9LED的非視覺應用進展

19.9.1植物生長

19.9.2藍光高亮度LED集魚燈

19.9.3醫(yī)療

19.9.4LED可見光通信

參考文獻2100433B

中山市中大半導體照明技術研究有限公司， 為加快推進專業(yè)鎮(zhèn)轉(zhuǎn)型升級，貫徹落實“一鎮(zhèn)一?！闭撸猩酱髮W與古鎮(zhèn)鎮(zhèn)政府聯(lián)合運用產(chǎn)學研結(jié)合的相關機制與模式，通過制訂專業(yè)鎮(zhèn)產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、突破產(chǎn)業(yè)共性，進一步深化省部院產(chǎn)學研技術、打造專業(yè)創(chuàng)新平臺、建立院士工作站等引導創(chuàng)新要素與專業(yè)鎮(zhèn)對接，全面提升專業(yè)鎮(zhèn)的自主創(chuàng)新能力，通過平臺機制推專業(yè)鎮(zhèn)加快布局戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，帶動專業(yè)鎮(zhèn)整體創(chuàng)新能力及產(chǎn)業(yè)競爭力提升；

中山大學（古鎮(zhèn)）半導體照明技術研究中心，是根據(jù)國內(nèi)外市場以及照明技術領域的發(fā)展需求，重點構(gòu)建光學、散熱、材料、電子與軟件等領域的研發(fā)、設計平臺，全面開展光學、結(jié)構(gòu)、驅(qū)動控制、照明系統(tǒng)設計及咨詢、驗證、人才培訓等業(yè)務。本中心為亞洲地區(qū)唯一一家經(jīng)DALI協(xié)會認證的兼容性測試實驗室。主要提供DALI兼容性測試、DALI咨詢等相關服務。

DALI 驅(qū)動器兼容性測試、DALI Testing for control gears、DALI LED Driver 兼容性測試、DALI電源兼容性測試、DALI accredited test-house、DALI協(xié)會認證測試實驗室

中山大學（古鎮(zhèn)）半導體照明技術研究中心，是根據(jù)國內(nèi)外市場以及照明技術領域的發(fā)展需求，重點構(gòu)建光學、散熱、材料、電子與軟件等領域的研發(fā)、設計平臺，全面開展光學、結(jié)構(gòu)、驅(qū)動控制、照明系統(tǒng)設計及咨詢、驗證、人才培訓等業(yè)務。本中心為亞洲地區(qū)唯一一家經(jīng)DALI協(xié)會認證的兼容性測試實驗室。主要提供DALI兼容性測試、DALI咨詢等相關服務。

• 配套教材

《統(tǒng)計學（第二版）》擁有配套教材《統(tǒng)計學學習指導（第二版）》。

• 課程資源

《建筑結(jié)構(gòu)（第二版）》配套建設有“建筑結(jié)構(gòu)（第二版）”數(shù)字課程 。