1.加速電壓:0.1kV - 30kV 2.分辨率:0.8nm(15kV) 3.放大倍率:20x – 800,000x 4.配備日本Horiba公司能譜儀:X-MAX,檢測元素范圍4Be~92U。
金屬、非金屬、生物等各種樣品的納米尺度的形貌分析;微區(qū)成份分析;微區(qū)取向、微觀織構(gòu)分析,晶體結(jié)構(gòu)分析,物相分析等。 2100433B
電子顯微鏡的分類 1、透射電鏡 (TEM) 樣品必須制成電子能穿透的,厚度為100~2000 ?的薄膜。成像方式與光學(xué)生物顯微鏡相似,只是以電子透鏡代替玻璃透鏡。放大后的電子像在熒光屏上顯示出來,TE...
電子顯微鏡是根據(jù)電子光學(xué)原理,用電子束和電子透鏡代替光束和光學(xué)透鏡,使物質(zhì)的細(xì)微結(jié)構(gòu)在非常高的放大倍數(shù)下成像的儀器。 電子顯微鏡的分辨能力以它所能分辨的相鄰兩點(diǎn)的最小間距來表示。20世紀(jì)70年代,透射...
顧名思義,所謂電子顯微鏡是以電子束為照明光源的顯微鏡。由于電子束在外部磁場或電場的作用下可以發(fā)生彎曲,形成類似于可見光通過玻璃時的折射現(xiàn)象,所以我們就可以利用這一物理效應(yīng)制造出電子束的“透鏡”,從而開...
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Al-Mg-Si合金析出強(qiáng)化相的前驅(qū)相(GP區(qū))的形成對于析出強(qiáng)化的性能有重要影響,但是由于其尺度極其微小,往往很難直接觀察.本文通過對Al-Mg-Si合金中可能存在的單層富Mg及富Si GP區(qū)的不同厚度、不同存在形態(tài)進(jìn)行全方位計算機(jī)模擬,確認(rèn)了GP區(qū)成像的存在條件.單層富Mg或富Si GP區(qū)在不被鋁合金基體包裹的試料中可以形成清晰的高分辨電子顯微鏡像,并且Mg-GP區(qū)與Si-GP區(qū)呈現(xiàn)出相反的對比.這為GP區(qū)的高分辨電鏡觀察提供了可靠的理論依據(jù).
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本文通過比較高壓系統(tǒng)常用氣態(tài)絕緣介質(zhì)的性能,對比影響氣體絕緣性能的關(guān)鍵參數(shù),給出了透射電子顯微鏡高壓電源箱絕緣材料的優(yōu)化選擇,介紹了六氟化硫(SF6)氣體在透射電子顯微鏡高壓電源絕緣中的應(yīng)用,計算了充SF6絕緣氣體的高壓電源箱,并給出了透射電子顯微鏡高壓箱的絕緣充SF6氣體工藝。
冷場發(fā)射掃描電子顯微鏡m213451是專門為現(xiàn)今技術(shù)研究和發(fā)展設(shè)計的超高分辨率儀器 。獨(dú)特之處在于使用復(fù)合檢測器允許同時顯示二次電子和背散射電子成像??梢砸匀S立體形態(tài)觀察各種物質(zhì)的原子或分子結(jié)構(gòu),具有比一般掃描或電子顯微鏡更卓越的性能。HITACHI
m213451在半導(dǎo)體設(shè)備和過程評估上也很有用,這種超高分辨率的電子顯微裝置可以采用1KV的加速電壓,保證1.8nm的分辨率。采用了獨(dú)特操作方式減少荷電假象和邊緣效應(yīng),這些優(yōu)異性能使其遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于其他掃描電鏡。
◎ 在30KV保證0.5nm
◎ 在1KV保證1.8nm(在2KV,可得到1.2nm)
2. 獨(dú)特的檢測方式可以同時顯示二次電子(SE)和背散射電子(BSE)成像。
◎ 最大放大倍率1,000,000倍.
◎ 機(jī)器穩(wěn)定性提高,在地面振動條件10mm(P-P),5HZ條件下可以觀察高達(dá)600,000倍的圖像。
◎ 真空干燥系統(tǒng),由分子渦輪泵和渦管泵組成,樣品污染最小。
◎ 高速電子束系統(tǒng)減少樣品鏡筒污染。
◎ 大液氮冷阱減少樣品污染。
◎ 側(cè)面插入樣的載物臺適合高分辨率工作
◎ 不用改變物鏡孔即可切換分辨率模式和EDX工作模式。
◎ 可以在所有操作方式(SE,BSE和STEM)間切換,因?yàn)闃悠肺恢每勺儭?/p>
5. 電腦控制的系統(tǒng)采集工作,影像處理,儲存等于一體。
6. 節(jié)省能量的方式(真空狀態(tài)下)保持儀器在低的能量水平運(yùn)行。
場發(fā)射透射電子顯微鏡概述
2.利用微區(qū)電子衍射、會聚束電子衍射及元素分析可對小至0.5nm尺度的物質(zhì)進(jìn)行結(jié)構(gòu)和成分分析,因而特別實(shí)用于普通透射電鏡難以分析的微細(xì)析出相,界面和疇等極小區(qū)域內(nèi)成分、結(jié)構(gòu)的研究。 3.利用所配置的GIF系統(tǒng)不但可分析物質(zhì)的組成元素而且可分析組成元素的價態(tài)。
儀器類別: 03040701 /儀器儀表 /光學(xué)儀器 /電子光學(xué)及離子光學(xué)儀器 /透射式電子顯微鏡
指標(biāo)信息: 具有高相干性、高亮度的場發(fā)射槍 最大傾轉(zhuǎn)角:X=±35°,Y=±30° 加速電壓:200kV、160kV、100kV、80kV 點(diǎn)分辨率:0.23nm EDS元素范圍:B5~U92 晶格分辨率:0.102nm EDS能量分辨率:138eV
附件信息: 1.Gatan公司的GIF系統(tǒng) 4.普通單、雙傾臺 2.Link公司的EDS系統(tǒng)(超薄窗) 5.鈹單、雙傾臺 3.日本電子株式會社的STEM系統(tǒng) ,