中文名 | d0半導體納米材料中磁性來源以及增強的物理機制研究 | 項目類別 | 青年科學基金項目 |
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項目負責人 | 吳芳 |
項目按計劃執(zhí)行。本項目研究的主要目標是采用密度泛函理論的方法,研究在d0 半導體納米材料中(表面、納米線和納米團簇),陽離子缺陷和包含陽離子的缺陷團簇的形成能力,揭示形成局域磁矩的物理來源。主要研究進展包括:(1)原子層厚度過渡金屬氮化物的高溫鐵磁性和半金屬性的研究:通過第一性原理計算,我們發(fā)現(xiàn)實驗上剛剛合成的MoN2單層就是這樣的一種材料,它具有鐵磁性并且居里溫度接近420K,這比其他二維磁性材料的居里溫度都要高很多。所以,研究表明過渡金屬氮化物有望應用于電子自旋電子器件中。(2)d0 半導體納米材料的磁性來源的研究:我們發(fā)現(xiàn)非局域陰離子缺陷軌道能導致磁矩并能形成宏觀磁序。另外通過施加外界壓力,被陰離子空位部分占居的非局域缺陷軌道很好地被限制了,從而導致了自發(fā)自旋有序。(3)低維鐵電材料對石墨烯能隙的影響:我們構建了OH-BNSL/石墨烯的復合結構,計算結果表明通過鐵電襯底我們產生了兩個態(tài),一個是金屬的Dirac粒子態(tài),一個是不導通的絕緣態(tài)。相比于傳統(tǒng)的打開能隙機制,我們的研究提供了一個完全的新機制。(4) 半導體光催化劑g-C3N4對太陽能利用率提高的研究:對于雙層g-C3N4而言,它的基本帶隙因為層之間的耦合而增加了。計算得到的光吸收譜則顯示它有更好的可見光吸收率。除此之外,我們計算還表明了雙層g-C3N4的能隙之能通過外加電場而較易地改變,這可以用來控制它的光的吸收。(5) ZnO單層的研究:我們考慮了電子摻雜對結構轉換的影響??梢钥吹?,隨著電子摻雜的濃度上升,石墨狀結構的穩(wěn)定性明顯變差。在項目執(zhí)行期間,發(fā)表SCI 論文11篇,包括Nano Lett, J. Chem.Phys. Lett, Appl. Phys.Lett, Nanoscale 等,2名在讀研究生。 2100433B
具有室溫磁性的半導體納米材料,在電子器件和信息材料中有著廣闊的應用前景。近年來,實驗研究報道了在一些不包含任何磁性原子的半導體(d0半導體)納米材料中存在室溫磁序,但是其實驗和應用的發(fā)展卻被兩個關鍵問題所阻礙:1)局域磁矩的來源;2)低濃度的局域磁矩如何形成宏觀磁序?本項目擬采用密度泛函理論的方法,研究在d0半導體納米材料中(表面、納米線和納米團簇),陽離子缺陷和包含陽離子的缺陷團簇的形成能力,揭示形成局域磁矩的物理來源。通過對納米材料中局域磁矩間的磁有些相互作用距離進行研究,闡述納米尺度對局域磁矩間耦合能力的影響,揭示實驗觀察到的室溫磁序的可能來源。此外,理論上探索在現(xiàn)有的實驗制備條件下,一些不可避免的外界因素(外界應力)對半導體納米材料中局域磁矩形成能力以及磁相互作用的影響,并總結其一般規(guī)律,預言實驗可能增強磁性的途徑,為進一步的實驗研究提供一些理論依據(jù)和指導。
納米半導體具有常規(guī)半導體無法媲美的奇異特性和非凡的特殊功能,在信息、能源、環(huán)境、傳感器、生物等諸多領域具有空前的應用前景,成為新興納米產業(yè),如納米信息產業(yè)、納米環(huán)保產業(yè)、納米能源產業(yè)、納米傳感器以及納...
為了回答這個問題,需要先補充一些概念。在半導體中,電子分布在“能帶”上。在低溫、不受到任何激發(fā)的時候,電子分布在“價帶”上,處于基態(tài)。而受到激發(fā)(比如光激發(fā))后電子就會吸收能量,如果吸收的能量量子(比...
半導體材料的特性:半導體材料是室溫下導電性介于導電材料和絕緣材料之間的一類功能材料??侩娮雍涂昭▋煞N載流子實現(xiàn)導電,室溫時電阻率一般在10-5~107歐·米之間。通常電阻率隨溫度升高而增大;若摻入活性...
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ZnO半導體納米材料的研究 目 錄 Abstract :.......................................................... 3 Keywords:.......................................................... 3 引言 ................................................................ 3 一、 ZnO納米材料的概況 ............................................. 4 1.1 ZnO 晶體結構 ................................................. 4 1.2 ZnO 納米的結構 ........................
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介紹了傳統(tǒng)納米填料(如納米二氧化硅、納米碳酸鈣、有機蒙脫土、碳納米管和石墨烯)和新型功能性填料(如納米氧化鋅、納米二氧化鈦、碳化硅、氧化鋁及納米銀線)增強液體硅橡膠的研究現(xiàn)狀,提出液體硅橡膠的研究方向。
磁性納米材料的特性不同于常規(guī)的磁性材料,其原因是關聯(lián)于與磁相關的特征物理長度恰好處于納米量級,例如:磁單疇尺寸,超順磁性臨界尺寸,交換作用長度,以及電子平均自由路程等大致處于1-100nm量級,當磁性體的尺寸與這些特征物理長度相當時,就會呈現(xiàn)反常的磁學性質。
《適用于柔性技術的半導體納米材料(導讀版)》:全面介紹適用于柔性技術的半導體納米材料的原理、制造技術及其構造的納米器件和應用。
學科跨度大,涉及領域從化學和材料科學到機械工程、器件物理和電子工程。
編者均為相關領域的知名科學家或資深研究人員。適合化學、材料、電子、器件物理等領域的研究生及相關科研人員閱讀。
水體中重金屬污染是當今環(huán)境保護領域研究的主要議題之一。例如,汞是一種具有持久性、易遷移性和高度生物蓄積性且嚴重威脅生態(tài)環(huán)境和人類健康的全球性污染物,而汞在自然界中累積最嚴重的是在水生物系統(tǒng)。因此,水中汞的監(jiān)測與凈化一直備受關注。 隨著納米技術的進步,納米材料在化學傳感器和吸附材料研究中得到較大應用。功能化的納米材料在環(huán)境保護領域中是一個新興的研究熱點。 本研究鑒于胸腺嘧啶與汞的特殊配位模式,選取1,8-萘酰亞胺為熒光團和Hg2 識別受體,設計合成了一系列用于汞快速監(jiān)測和凈化的新型有機-無機雜化磁性熒光納米傳感器。研究結果表明:已發(fā)展的萘酰亞胺類汞離子磁性熒光納米傳感器具有好的穩(wěn)定性、分散性,能夠快速選擇性地監(jiān)測和凈化水中汞離子,檢測限低、飽和吸附量大、易分離、易可逆再生等優(yōu)點。采取汞的配位促使納米傳感器聚集沉降方法來實現(xiàn)水中汞的徹底凈化,并論證了其凈化機制。其配位促使納米傳感器聚集沉降策略,為水體其他污染物的凈化開辟了新的途徑。未沉積納米傳感器能夠借助于電磁場作用去除而避免帶來新的污染。基于以上策略,我們又開發(fā)了4種用于重金屬銅離子監(jiān)測和凈化的Fe3O4@ZnS核殼結構的磁性熒光納米傳感器。 三年來,在本項目的支持下,已在Chemical Communications, Biosensors and Bioelectronics, Chemical Engineering Journal, Nanotechnology, Journal of Colloid and Interface Science, Optical Materials, Sensors and Actuators B: Chemical等國外學術期刊上發(fā)表SCI論文19篇,申請發(fā)明專利2項且均已獲得授權。