電磁混響室用于輻射發(fā)射測(cè)試的若干基礎(chǔ)問題研究

電磁混響室的系統(tǒng)造價(jià)低，測(cè)試時(shí)間短，對(duì)真實(shí)電磁環(huán)境的模擬更有效，并且在電磁兼容測(cè)試中，混響室在測(cè)試的準(zhǔn)確性、可重復(fù)性以及測(cè)試不確定度等方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)。目前混響室已被大量用于輻射抗擾度測(cè)試，但在輻射發(fā)射測(cè)試方面，其測(cè)試的機(jī)理和方法還有待作深入研究。本項(xiàng)目針對(duì)電磁混響室用于輻射發(fā)射測(cè)試的若干基礎(chǔ)問題進(jìn)行研究，包括輻射總功率的計(jì)算方法和標(biāo)準(zhǔn)輻射源的理論計(jì)算研究、混響室校準(zhǔn)過程和校準(zhǔn)參數(shù)對(duì)輻射總功率測(cè)試的影響規(guī)律研究、以及替代法用于混響室輻射總功率測(cè)試的研究三方面內(nèi)容。通過這些研究，提出混響室用于輻射發(fā)射測(cè)試的新計(jì)算模型和標(biāo)準(zhǔn)輻射源，確立校準(zhǔn)過程的各種細(xì)節(jié)對(duì)混響室輻射發(fā)射測(cè)試的測(cè)試不確定度的影響規(guī)律，建立針對(duì)混響室輻射發(fā)射測(cè)試的替代法測(cè)試方法，建立完善的混響室輻射發(fā)射測(cè)試規(guī)范。從而使混響室輻射發(fā)射測(cè)試結(jié)果能夠與其他場(chǎng)地測(cè)試結(jié)果相比對(duì)，推動(dòng)工業(yè)界接受并掌握混響室用于輻射發(fā)射測(cè)試的技術(shù)。 2100433B

電磁混響室是繼電波暗室、吉赫茲?rùn)M電磁波傳輸（GTEM）室、開闊場(chǎng)之后提出的電磁兼容性測(cè)試新技術(shù)與新平臺(tái)?；祉懯覝y(cè)試平臺(tái)能以較小的輸入功率產(chǎn)生較高的場(chǎng)強(qiáng)，產(chǎn)生的電磁環(huán)境與電子設(shè)備內(nèi)部真實(shí)電磁場(chǎng)分布情況極為接近，是一種理想的電磁環(huán)境效應(yīng)試驗(yàn)平臺(tái)，非常適合用來開展電子裝備的電磁環(huán)境效應(yīng)和電磁防護(hù)加固研究。然而，國(guó)內(nèi)混響室研究起步較晚，相關(guān)技術(shù)、理論還不很成熟，限制了我國(guó)混響室技術(shù)的應(yīng)用和發(fā)展。為此，我們翻譯了法國(guó)混響室領(lǐng)域?qū)＜襊hilippe Besnier教授的Electromagnetic Reverberation Chambers專著，相信《高新科技譯叢：電磁混響室》的出版將為廣大電磁兼容研究人員提供重要參考。

《高新科技譯叢：電磁混響室》從統(tǒng)計(jì)理論和實(shí)踐應(yīng)用兩方面對(duì)混響室進(jìn)行了深入闡釋。全書共分為三大部分：第1-4章論述混響室工作的物理機(jī)制；第5～7章討論混響室的使用問題；第8章介紹有關(guān)混響室的近期研究工作?！陡咝驴萍甲g叢：電磁混響室》既可供從事電磁兼容測(cè)試的工程技術(shù)人員參考，又可作為高等院校研究生教材。

第1章混響室在電磁測(cè)試中的地位

1.1引言

1.2電磁場(chǎng)與平面波

1.2.1平面波的定義與特性

1.2.2平面波的通用表達(dá)式

1.2.3遠(yuǎn)場(chǎng)的局部平面波近似處理

1.2.4平面波產(chǎn)生的感應(yīng)現(xiàn)象

1.3有限空間內(nèi)的電磁測(cè)試

1.3.1小矩形環(huán)的輻射發(fā)射

1.3.2在TEM室進(jìn)行測(cè)試

1.3.3在屏蔽暗室進(jìn)行測(cè)量

1.3.4混響室在有限空間測(cè)試中的地位

1.4討論

1.4.1平面波概念的運(yùn)用

1.4.2混響室測(cè)量的不確定度限值

1.5參考文獻(xiàn)

第2章電磁腔體的主要物理特性

2.1引言

2.2一維腔體內(nèi)模數(shù)的減少

2.2.1一維腔體模型

2.2.2一維波動(dòng)方程求解

2.2.3本征模計(jì)算

2.2.4腔體與LC諧振網(wǎng)絡(luò)比較

2.2.5品質(zhì)因數(shù)對(duì)腔體的貢獻(xiàn)

2.2.6本征模狀態(tài)下能量耦合優(yōu)化

2.2.7障礙物引起的本征模頻率偏差

2.2.8模式攪拌的實(shí)現(xiàn)方法

2.3空矩形腔體的物理特征

2.3.1混響室的結(jié)構(gòu)描述

2.3.2計(jì)算本征模頻率

2.3.3第一階本征模

2.3.4高次模

2.3.5本征模間隔與模密度

2.3.6三維腔體的品質(zhì)因數(shù)

2.3.7腔體的激勵(lì)條件

2.3.8平面波譜

2.3.9能量損耗對(duì)平面波頻譜的影響

2.4三維模式攪拌腔體

2.4.1模式攪拌的作用

2.4.2機(jī)械攪拌

2.4.3實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證模偏移

2.5討論

2.5.1關(guān)于混響室?guī)缀谓Y(jié)構(gòu)的討論

2.5.2關(guān)于RLC振蕩器應(yīng)用

2.5.3關(guān)于模干涉因素的討論

2.6參考文獻(xiàn)

第3章超大尺寸腔體內(nèi)攪拌波的統(tǒng)計(jì)特性

3.1引言

3.2理想隨機(jī)電磁場(chǎng)的描述

3.2.1電磁場(chǎng)假定為一個(gè)隨機(jī)變量

3.2.2理想隨機(jī)場(chǎng)假定的基本條件

3.2.3隨機(jī)變量的通用表達(dá)式

3.2.4χ2概率分布

3.2.5場(chǎng)振幅絕對(duì)值的概率密度函數(shù)

3.2.6功率變量的概率密度函數(shù)

3.3理想隨機(jī)場(chǎng)特性的仿真

3.3.1平面波譜的構(gòu)建

3.3.2隨機(jī)試驗(yàn)干涉波的構(gòu)建

3.3.3中心極限定理的運(yùn)用

3.4統(tǒng)計(jì)檢驗(yàn)

3.4.1給定條件下統(tǒng)計(jì)采樣值N的取值

3.4.2實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的概率分布估計(jì)

3.4.3方差與均值的估計(jì)

3.4.4柯爾莫哥洛夫-斯摩洛夫（K-S）檢驗(yàn)

3.5混響室內(nèi)的功率平衡

3.5.1天線主要特性回顧

3.5.2理想隨機(jī)場(chǎng)中的接收天線

3.5.3混響室中設(shè)備輻射功率的測(cè)量

3.6討論

3.6.1關(guān)于理想隨機(jī)場(chǎng)假設(shè)

3.6.2關(guān)于用平面波實(shí)驗(yàn)來模擬無序場(chǎng)

3.7參考文獻(xiàn)

第4章混響室物理與技術(shù)參數(shù)的影響

4.1引言

4.2混響室主要設(shè)計(jì)參數(shù)

4.2.1腔室結(jié)構(gòu)參數(shù)

4.2.2混響室?guī)缀魏臀锢韰?shù)的影響

4.2.3混響室品質(zhì)因數(shù)影響因素

4.2.4理想隨機(jī)場(chǎng)分布的空間相關(guān)性

4.3常用模式攪拌技術(shù)

4.3.1機(jī)械攪拌

4.3.2頻率攪拌和電子攪拌

4.3.3切換發(fā)射天線攪拌

4.3.4調(diào)整腔室尺寸攪拌方法

4.4混響室特性

4.4.1混響室特性描述的目的

4.4.2模式攪拌的效率

4.4.3隨機(jī)場(chǎng)分布的穩(wěn)定性測(cè)量

4.4.4品質(zhì)因數(shù)測(cè)量

4.4.5最低可用頻率的局限性

4.5討論

4.5.1關(guān)于大數(shù)法則

4.5.2大體積被測(cè)物的影響

4.6參考文獻(xiàn)

第5章混響室抗擾度測(cè)試

5.1引言

5.2校準(zhǔn)過程

5.2.1場(chǎng)分布統(tǒng)計(jì)均勻性測(cè)量方法

5.3校準(zhǔn)結(jié)果實(shí)例

5.4混響室內(nèi)設(shè)備輻射抗擾度實(shí)施方法

5.4.1受試設(shè)備的加載效應(yīng)

5.4.2EUT對(duì)場(chǎng)統(tǒng)計(jì)均勻性的影響

5.4.3EUT誤動(dòng)作觀測(cè)

5.4.4抗擾度測(cè)試實(shí)例

5.5混響室與電波暗室抗擾度實(shí)驗(yàn)比較

5.5.1電波暗室輻射抗擾度輻照方法

5.5.2混響室輻射抗擾度輻照方法

5.6混響室內(nèi)電場(chǎng)正交分量和總電場(chǎng)

5.7討論

5.7.1不同標(biāo)準(zhǔn)的統(tǒng)計(jì)均勻性限值

5.7.2不同標(biāo)準(zhǔn)攪拌器步數(shù)的選擇

5.7.3混響室內(nèi)抗擾度測(cè)試的特性

5.8參考文獻(xiàn)

第6章混響室輻射發(fā)射測(cè)試

6.1引言

6.2幾個(gè)電磁輻射和天線的概念

6.2.1電磁輻射源

6.2.2電磁場(chǎng)與輻射源距離之間的關(guān)系

6.2.3電磁輻射強(qiáng)度和方向性

6.2.4極化和局部方向性

6.2.5天線的效率和增益

6.2.6天線有效面積

6.2.7兩個(gè)天線之間的能量傳遞平衡——弗利斯表達(dá)式

6.2.8球坐標(biāo)系輻射公式和特性

6.3測(cè)量自由空間總輻射功率

6.3.1定義

6.3.2總輻射功率傳統(tǒng)測(cè)試方法

6.4受試設(shè)備無意發(fā)射測(cè)量

6.4.1混響室校準(zhǔn)與總輻射功率測(cè)量

6.5總輻射發(fā)射功率測(cè)量實(shí)例

6.5.1校準(zhǔn)過程

6.5.2EUT輻射發(fā)射測(cè)量

6.6輻射發(fā)射和總輻射發(fā)射功率

6.7天線效率和分集增益測(cè)量

6.7.1天線效率測(cè)量

6.7.2天線分集增益測(cè)量

6.8討論

6.8.1關(guān)于混響室內(nèi)輻射發(fā)射測(cè)量

6.8.2關(guān)于混響室內(nèi)射頻設(shè)備測(cè)量

6.9參考文獻(xiàn)

第7章混響室屏蔽效能測(cè)量

7.1引言

7.2屏蔽效能的定義

7.2.1電纜及連接器的屏蔽效能

7.2.2屏蔽箱體屏蔽效能

7.2.3屏蔽材料屏蔽效能

7.3混響室內(nèi)屏蔽電纜連接器屏蔽效能測(cè)量

7.3.1混響室內(nèi)電纜電磁耦合

7.3.2電纜和屏蔽連接器的有效面積

7.3.3參考功率與被測(cè)電纜感應(yīng)電流之間的關(guān)系

7.3.4屏蔽衰減與轉(zhuǎn)移阻抗之間的轉(zhuǎn)換

7.3.5電纜連接器屏蔽效能測(cè)量實(shí)例

7.4屏蔽腔體屏蔽效能測(cè)量

7.4.1屏蔽腔體電磁耦合

7.4.2屏蔽腔體衰減測(cè)量實(shí)例

7.5屏蔽材料屏蔽效能測(cè)量 2100433B

薄膜晶體管（TFT）是主動(dòng)驅(qū)動(dòng)平板顯示的核心元件，微晶硅TFT性能優(yōu)于非晶硅，制作工藝比多晶硅簡(jiǎn)單，是實(shí)現(xiàn)AM-OLED的方案之一。 我們的研究由單個(gè)TFT器件，到TFT器件的集成，最終實(shí)現(xiàn)7英寸的TFT-OLED 顯示屏。主要結(jié)果如下。 一．微晶硅TFT 器件的研究 1.有源層的研究；（a）研究了生長(zhǎng)條件如氫稀釋濃度、襯底溫度、功率密度和反應(yīng)氣體壓強(qiáng)對(duì)微晶硅晶化率的影響。（b）采用PECVD雙倍頻（27.12MHz）直接生長(zhǎng)微晶硅薄膜：采用雙倍頻技術(shù)提升微晶硅薄膜的沉積速率，改善薄膜的晶化率，直接生長(zhǎng)出高質(zhì)量的微晶硅薄膜。 2.絕緣層的研究:(a)通過優(yōu)化工藝參數(shù)從而調(diào)節(jié)表面的粗糙度及薄膜的折射率。將SiNx的折射率控制在1.85-1.90之間，有利于生長(zhǎng)高質(zhì)量的微晶硅薄膜.(b)SiNx絕緣層采用沉積速率“先快后慢”兩步沉積工藝，改善絕緣層/有源層之間的界面態(tài)， 3.界面的改善:(a) SiNx絕緣層表面采用plasma處理，改善了器件的關(guān)態(tài)電流，提高開關(guān)比，降低了閾值電壓。（b）雙有源層結(jié)構(gòu)：采用a-Si/uc-Si復(fù)合結(jié)構(gòu)薄膜代替uc-Si薄膜作為有源層，改善了關(guān)態(tài)電流，由6x10-10 A 降到 6x10-12 A. 4．基于無重?fù)诫s的新型源漏電極的微晶硅TFT研究：為了避免傳統(tǒng)重?fù)诫s電極使用磷烷硼烷等有毒氣體，研制安全的歐姆電極.(a)采用鋁合金作為源漏電極我們采用鋁合金作用源漏電極。(b)制備 Al/LiF源漏電極。在Al電極與μc-Si之間插入LiF薄層，制成Al/LiF源漏電極，其電子注入勢(shì)壘由Al電極的0.512eV降到0.12eV。優(yōu)化后TFT性能：遷移率0.5cm2/V.s， 閾值電壓0.59V，開關(guān)比大于106 。 二．TFT 基板的制作：（a）像素采用2T1C 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)?；宄叽纾?英寸。分辨率：VGA 640×RGB（H）×480（V）。驅(qū)動(dòng)電壓：6-13V。像素大?。?22um×74um。（b）工藝：6 MASK 工藝：制作柵極；形成硅島；制作源漏電極及溝道；接觸孔；制作像素電極 (ITO)；制作平坦化層。 三．TFT-OLED顯示屏的制作。 在TFT基板上制備OLED 得到7inch AMOLED彩色顯示屏。分辨率：640X480；亮度：165 cd/m2；NTSC：65.5%。項(xiàng)目圓滿完成.