0 微米深硅刻蝕 約2.5微米獨立汽坑寬 大于 1 微米光刻膠掩膜厚度或大約 0.5 微米 SiO2 掩膜掩膜圓形的硅暴露面積小于 10% 刻蝕速度 2 微米/分鐘 光刻膠的選擇比: 50 : 1 SiO2 的選擇比 100 : 1邊壁角度: 90 度。
主要用于硅材料的深槽刻蝕,同時又兼顧MEMS表面工藝中的淺硅刻蝕。 2100433B
鋼研納克光譜分析儀器還不錯的哦,我們研究所一直用的是他們的火花直讀光譜儀,一體式透鏡隔離閥,可防止因日常維護導致的光室污染影響強度下降,透鏡易于更換。
等離子體隱身技術(shù)的原理是利用電磁波與等離子體互相作用的特性來實現(xiàn)的,其中等離子體頻率起著重要的作用。等離子體頻率指等離子體電子的集體振蕩頻率,頻率的大小代表等離子體對電中性破壞反應的快慢,它是等離子體...
1、鋼筋55-60kg/m2左右,混凝土0.4m3/m2左右;2、50kg/m2左右,混凝土0.6m3/m2左右3、鋼筋55-60kg/m2左右,混凝土0.55m3/m2左右4、鋼筋120kg/m2左...
格式:pdf
大?。?span id="dfx11uh" class="single-tag-height">300KB
頁數(shù): 3頁
評分: 4.8
TEGAL421 等離子刻蝕機射頻電源的維 修及調(diào)整 TEGAL421 等離子刻蝕機射頻電源的電路圖如下: 各部分電路的作用, DC Power Supply Board 板是一塊電源板提供射頻源 工作所需的各路電源,包括電子管工作的高低壓。 OSICLACTOR Board 板提供 射頻源的激勵信號, Q1是震蕩管,Q4是推動管,Q3,Q2組成脈寬功率調(diào)節(jié)電路。 V1和 V2是兩個輸出電子管,提供所需的射頻功率。其中 Lv 是低壓變壓器,機 器一通電,該變壓器就被通電。而 BV 是高壓變壓器,只有在需要射頻輸出時才 被通電。 Power Coupler 是入射功率和反射功率檢測模塊。主機背面的電位器 R5 和 R6 用于矯正入射和反射功率的偏差。 Test Port 測試端口用于檢測射頻電 源的工作參數(shù)。 射頻電源的調(diào)整 射頻電源調(diào)整的步驟如下: 1. 關(guān)閉交流電源。 2. 移除射頻電源
格式:pdf
大?。?span id="z1a6nkh" class="single-tag-height">300KB
頁數(shù): 未知
評分: 4.4
目的建立電感耦合等離子體質(zhì)譜(ICP-MS)檢測尿鉛同位素比值的測定方法。方法取10 ml尿樣用濃硝酸及30%過氧化氫消解趕酸后用1%硝酸定容至5 ml測定;利用鉛同位素標準物質(zhì)(GBW04426)測定鉛同位素比值校正系數(shù),將鉛同位素標準參考物NIST SRM981同樣品一起經(jīng)ICP-MS檢測。結(jié)果優(yōu)化檢測方法后進行尿鉛同位素檢測,NIST SRM981同位素測定精密度RSD(204Pb/206Pb)<2%、RSD(207Pb/206Pb)<1%、RSD(208Pb/206Pb)<1%,NIST SRM981檢測結(jié)果與證書值接近。結(jié)論該方法方便簡捷、數(shù)據(jù)可靠,可滿足尿鉛同位素的測定。
捏煉機的分類:
按結(jié)構(gòu)形式可分為加壓式捏煉機(翻轉(zhuǎn)式密煉機)和開放式捏煉機。
按工作原理及用途可分為橡塑混煉機和橡膠再生壓片機。
按照數(shù)控機床的分類,光機可分為各類數(shù)控機床光機和加工中心光機,以及各種特種機床光機。
內(nèi)容簡介
內(nèi) 容 簡 介 本書系根據(jù)鐵道部《鐵路工人技術(shù)標準》編寫的,分上、下冊出版。下冊內(nèi)容包括 土方工程機械底盤的構(gòu)造、傳動系統(tǒng)的功用和類型、主離合器、幾種液力變矩器、輪式 底盤的驅(qū)動橋、履帶式底盤的驅(qū)動橋、土方機械及起重機、推土機、鏟運機、平地機、裝 載機、單斗挖掘機、起重機、土方工程機械化施工及油料。 本書可供從事推土機、挖掘機工作的司機、工程技術(shù)人員、干部學習。2100433B