第三代光伏發(fā)電技術(shù)太陽能煉硅

已做到2.0元/瓦的跟蹤成本；聚光系統(tǒng)則能大幅度降低光電池硅材料和非硅材料用量。例如，4倍聚光（尤其對“直射光”的聚光）可將硅材料、非硅材料的每度電耗能下降到原有的1/4；另外，硅電池的轉(zhuǎn)化率越高，所消耗的多晶硅就越少。第三代光伏發(fā)電技術(shù)所使用的高效聚光硅電池將大大降低成本。用的是轉(zhuǎn)化率為22%的N型硅基聚光電池，我個人非常期待有新型高效聚光電池的出現(xiàn)。但我也認(rèn)為，最有前途的技術(shù)方向應(yīng)該是“晶體硅電池 能帶結(jié)構(gòu)”不相同的薄膜組成的各種硅基薄膜電池。

第三代光伏技術(shù)的突破將以 “等效”峰值功率的售價來計算光伏發(fā)電的成本；另外，光能組件的使用壽命很長，所用多晶硅成本，已下降到只有通常不跟蹤平板式多晶硅光伏電池的1/4-1/5。第三代光伏技術(shù)最為“核心”的技術(shù)是太陽能煉硅。使用太陽能煉硅可以大幅度降低對化石能源消耗，并且不會產(chǎn)生任何四氯化硅等污染；出產(chǎn)的硅質(zhì)量好、壽命長，電池只有在微光條件下才致衰減。

在了解第三代發(fā)電技術(shù)之前，我們先來了解什么是第一代與第二代光伏發(fā)電技術(shù)。簡單地說，第一代光伏發(fā)電技術(shù)以晶體硅生產(chǎn)光電池為核心的技術(shù)；第二代光伏發(fā)電技術(shù)是指品種繁多的薄膜電池。

第一代光伏發(fā)電技術(shù)=晶體硅光伏發(fā)電，有單晶硅和多晶硅的差別。優(yōu)點是光電轉(zhuǎn)化率較高，缺點是售價較貴，生產(chǎn)多晶硅耗能較多，也容易污染環(huán)境。

第二代光伏發(fā)電技術(shù)=花式品種繁多的薄膜電池，優(yōu)點是材料用量少，售價較低，重大缺點是光電轉(zhuǎn)化率只有晶體硅的一半，占地面積也較多。主要品種有：1、非晶、納米晶、微晶等硅薄膜。2、CIGS即銅銦鎵硒組成的薄膜。3、TeCd碲化鎘薄膜 。

從行業(yè)來看，發(fā)展光伏用晶體硅還是薄膜爭論從未停息。但業(yè)內(nèi)普遍認(rèn)為，無 論第一代技術(shù)還是第二代技術(shù)，都存在高耗能、高污染的問題，而我推薦的第三代光伏發(fā)電技術(shù)則是一種完全“綠色”的光伏發(fā)電技術(shù)，其“綠色、高效、價廉、壽命長”等特點將改變光伏上游產(chǎn)業(yè)“兩高”現(xiàn)狀。具體地說，第三代光伏發(fā)電技術(shù)就是使用“太陽能煉硅 跟蹤 聚光 高效聚光硅電池”技術(shù)發(fā)電。這是與第一代和第二代最本質(zhì)的技術(shù)區(qū)別。

第三代光伏發(fā)電技術(shù)非常重要的一點就是綠色技術(shù)。它以太陽能煉硅為核心技術(shù)，所帶來的污染基本等于零。太陽能煉硅的特點是利用太陽能，不是使用電能，盡管也是高耗能，但耗的不是化石能而是太陽能，從這個意義上講，第三代光伏發(fā)電技術(shù)是具有革命性的。

第一代、第二代光伏發(fā)電技術(shù)都是用半導(dǎo)體技術(shù)。

第一代指的是晶體硅光伏發(fā)電，分為單晶硅和多晶硅，用得非常普遍，我們國家在這個市場占有很大份額。

第二代指的是品種繁多的薄膜電池，優(yōu)點是材料用量少，最大的缺點是光電轉(zhuǎn)化率只有晶體硅的一半。主要品種有：非晶、納米晶、微晶等硅薄膜;銅銦鎵硒組成的薄膜;碲化鎘薄膜;銅鋅硒硫錫組成的薄膜;新出來的一個品種，是砷化鎵薄膜電池。

第三代光伏發(fā)電技術(shù)，核心是引入了現(xiàn)代光學(xué)技術(shù)，從半導(dǎo)體技術(shù)轉(zhuǎn)向了現(xiàn)代光學(xué)技術(shù)，核心技術(shù)是聚光。根據(jù)愛因斯坦的光電定律，發(fā)電量和光的強度成正比，聚光可以多發(fā)電。關(guān)鍵是要非常均勻地聚光，因為如果不均勻的話，設(shè)備會按照最弱的部分來發(fā)電。均勻聚光，是近幾年發(fā)展起來的新技術(shù)，叫無光像自適應(yīng)光學(xué)，技術(shù)含量非常高。通過這樣的聚光，可以大大提高電池的轉(zhuǎn)化率。