低溫高壓電纜導(dǎo)電和絕緣材料主要特性的試驗研究項目摘要

用雙脫氧鏈終止法進行了分化基因—sawl的雙鏈測序。結(jié)果表明1500bp的DNA片段中有一個完整的開放閱讀框（ORF），其編碼區(qū)是419bp至1252bp處。其產(chǎn)物與已知的天藍色鏈霉菌whiG基因所編碼的產(chǎn)物有89%的氨基酸同源。當(dāng)把1500bp的sawlDNA片段插入到鏈霉菌表達質(zhì)粒載體PIJ702后，構(gòu)建的重組質(zhì)粒轉(zhuǎn)化天藍色鏈霉菌孢子形成缺陷突變株C71，可使C71突變株形成孢子和色素。用基因破壞的策略進一步研究了該基因的生物學(xué)功能。結(jié)果表明sawl在圈卷產(chǎn)色鏈霉菌氣生菌絲到孢子形成的發(fā)育轉(zhuǎn)變中有重要作用，是分化中控制圈卷產(chǎn)色鏈霉菌孢子發(fā)育起始的一個重要基因。該基因以高拷貝形式存在而表達時，可促進圈卷產(chǎn)色鏈霉菌的發(fā)育和分化，導(dǎo)致該菌株生長加快，并形成豐富的具有灰色色素的孢子。

低溫導(dǎo)電銀膠簡介

由于導(dǎo)電銀膠的基體樹脂是一種膠黏劑, 可以選擇適宜的固化溫度進行粘接, 如環(huán)氧樹脂膠黏劑可以在室溫至150℃ 低溫固化, 遠低于錫鉛焊接的200℃以上的焊接溫度, 這就避免了焊接高溫可能導(dǎo)致的材料變形、電子器件的熱損傷和內(nèi)應(yīng)力的形成.同時, 由于電子元件的小型化、微型化及印刷電路板的高密度化和高度集成化的迅速發(fā)展, 鉛錫焊接的0.65mm的最小節(jié)距遠遠滿足不了導(dǎo)電連接的實際需求, 而導(dǎo)電銀膠可以制成漿料, 實現(xiàn)很高的線分辨率.而且導(dǎo)電銀膠工藝簡單, 易于操作, 可提高生產(chǎn)效率, 也避免了錫鉛焊料中重金屬鉛引起的環(huán)境污染.所以導(dǎo)電銀膠是替代鉛錫焊接, 實現(xiàn)導(dǎo)電連接的理想選擇.生產(chǎn)企業(yè)包括：Uninwell Internaitonal,Alwaystone,Solarcarer,Breakover-quick等企業(yè)。

低溫導(dǎo)電銀膠目前的應(yīng)用范圍

目前Uninwell Internaitonal,Alwaystone,Solarcarer,Breakover-quick等企業(yè)的低溫導(dǎo)電銀膠已廣泛應(yīng)用于液晶顯示屏（LCD）、發(fā)光二極管（LED）、集成電路(IC)芯片、印刷線路板組件(PCBA)、點陣塊、陶瓷電容、薄膜開關(guān)、智能卡、射頻識別等電子元件和組件的封裝和粘接, 有逐步取代傳統(tǒng)的錫焊焊接的趨勢.

高電壓、實用化是超導(dǎo)電纜必然發(fā)展趨勢，這對其低溫絕緣性能提出了更高的要求。局部放電是造成高壓絕緣性能劣化、影響絕緣穩(wěn)定性的最主要因素之一，而超導(dǎo)電纜低溫絕緣的薄膜繞包結(jié)構(gòu)自身容易引起局部放電。本項目以低溫絕緣超導(dǎo)電纜要研究對象，分析了高溫超導(dǎo)電纜正常及其在配套冷卻系統(tǒng)發(fā)生泄壓時的運行環(huán)境，提出高溫超導(dǎo)電纜絕緣材料選型、結(jié)構(gòu)設(shè)計必須以常壓下局部放電和沿面放電起始電場為依據(jù)；通過理論分析和實驗研究，掌握了液氮環(huán)境下超導(dǎo)電纜絕緣內(nèi)部局部放電和沿面放電起始場強等規(guī)律。 交流電場下發(fā)生的部局部放電的主要誘因就是存在缺陷，常見的如微孔、雜質(zhì)、繞包絕緣結(jié)構(gòu)中絕緣帶搭接或者間隙中產(chǎn)生的間隙（butt gap）等。從絕緣結(jié)構(gòu)方面，絕緣結(jié)構(gòu)為重疊繞包時，聚丙烯層壓紙（PPLP）低溫下局部放電起始場強達到了5.9 kV/mm，比常溫下高近5倍；聚酰亞胺（PI）在液氮環(huán)境下局部放電起始場強僅為3.8 kV/mm；重疊繞包結(jié)構(gòu)比間隙繞包結(jié)構(gòu)要更為優(yōu)異，主要表現(xiàn)在局部放電起始電壓和起始場強有明顯的提高。從局部放電量而言，無論是PPLP或是PI材料，液氮環(huán)境中的局放量均有超過100倍的縮減量。本項目共進行了40次循環(huán)實驗，其中15次局部放電實驗。實驗研究結(jié)果表明，在有限的熱循環(huán)次數(shù)下，局部放電起始電壓、局部放電量等沒有明顯的變化。常規(guī)普通XLPE塑料絕緣電纜的局部放電量不超過5 PC，通過對模型電纜持續(xù)四天累計16小時、局部放電量為7000PC——9000PC局部放電老化實驗，并進行解剖研究表明，PPLP未發(fā)現(xiàn)明顯局部放電損傷痕跡。掌握了低溫下固體絕緣表面的沿面放電特性。工頻及沖擊電壓條件下，G10 環(huán)氧樣品沿面電極間隙＜100mm時，擊穿電壓隨電極間隙線性增長，在液氮中，電極間隙增加時出現(xiàn)飽和趨勢。 通過本項目的研究，為高溫超導(dǎo)電纜絕緣材料選型、絕緣結(jié)構(gòu)設(shè)計、局部放電控制水平、終端電流引線設(shè)計提供了理論依據(jù)。 項目共發(fā)表文章10篇，其中項目負(fù)責(zé)人第1作者5篇；SCI收錄3篇（第1作者2篇）；發(fā)明專利6項；培養(yǎng)博士1名、碩士2名。