在聚變堆中,第一壁材料受到等離子體中發(fā)射出來的高能中子、電磁輻射和高能粒子(氛、氮、氦 和雜質(zhì))的強(qiáng)烈作用。一個(gè)商用的托卡馬克反應(yīng)堆,一 般中子壁負(fù)荷為2一5MW/m2。中子壁負(fù)荷是一個(gè)與聚變堆的功率密度有關(guān)的設(shè)計(jì)指標(biāo),數(shù)值上等于單位面 積的第一壁材料上的聚變中子源強(qiáng)度與中子能量的乘 積。與1 MW/m2的中子壁負(fù)荷相對應(yīng)的聚變中子源強(qiáng) 度(能量為14 .069 MeV)是4 .43 X 10^7n/m2·s。這些高 能中子的平均自由程為0.3m或更長一些,將會(huì)引起 整個(gè)第一壁和增殖區(qū)的輻照損傷。氘氚反應(yīng)的聚變能, 除了中子的能量以外,氦原子具有3.5MeV的能量。 后者以光子或高能粒子的形式入射在第一壁的表面。光子能量均勻地沉積在第一壁上,約占全部表面熱負(fù)荷的 20一60%。高能粒子的能量則主要沉積在孔欄板或偏濾器上。因此,聚變堆第一壁材料必須能經(jīng)受等離子體逃逸粒子作用下的表面濺射、起泡與剝蝕等的作用,不造成對等離子體的過度污染,能經(jīng)受比較高的表面熱負(fù)荷,而且在發(fā)生等離子體破裂事件時(shí),能承受等離子體能量快速(毫秒級)沉積產(chǎn)生的高熱負(fù)荷的瞬態(tài)過程,必須抗中子輻照損傷,抗氫脆(D,T),抗氦脆和氣體腫脹,具有與周圍環(huán)境的相適應(yīng)性,具有盡可能低的長半 衰期放射性產(chǎn)物。
第一壁材料主要包括第一壁表面覆蓋材料、第一壁結(jié)構(gòu)材料、高熱流材料和低活化材料。 第一壁表面覆蓋材料早期的聚變堆概念設(shè)計(jì),第一壁材料既作為結(jié)構(gòu)材料也作為等離子體界面材料。所考慮的材料是不銹鋼和高熔點(diǎn)金屬及其合金等。這些中、高原子序數(shù)材料在等離子體離子和中性粒子的作用下發(fā)生濺射,濺射產(chǎn)物進(jìn)入等離子體引起的熱輻射損失,隨著原子序數(shù)的增加急劇上升,容易引發(fā)等離子體的破裂(見等離子體與材料表面相互作用)。所以,以后 的聚變堆概念設(shè)計(jì)采用了在第一壁材料上覆蓋一層低原子序數(shù)材料的辦法。覆蓋層可以選擇一些與等離子體相互作用性能優(yōu)越的材料,結(jié)構(gòu)功能則由基體材料承擔(dān)。 可供選擇的覆蓋層材料主要有被(Be)、石墨、硼、碳 化硼、碳化硅、氧化被和碳化鈦等。纖維強(qiáng)化復(fù)合材料碳一碳、碳一碳化硅等,由于其優(yōu)良的抗熱沖擊性能,也可用作覆蓋層材料。 第一壁結(jié)構(gòu)材料表面覆蓋層下的結(jié)構(gòu)材料。既作為真空室的壁,又包容第一壁冷卻劑,在多數(shù)設(shè)計(jì)中又是增殖區(qū)的一部分。故要求其在高溫、高中子通量、高熱負(fù)荷和高溫冷卻劑的環(huán)境中具有合適的工作壽命。 聚變反應(yīng)產(chǎn)生的14MeV中子對材料的離位損傷速率高于裂變中子,即dPa高(見中子輻照)。但它的 (n,a)和(n,p)及其他核反應(yīng)的截面更大,在不銹鋼中的氣體產(chǎn)生速率要比在快中子堆中大20一30倍。高氣體產(chǎn)生速率與離位損傷相結(jié)合(高的He/即a比值) 使聚變堆材料的輻照環(huán)境比快中子堆更為苛刻。氦 (He)是不溶解的惰性氣體,在高溫下遷移并為其他缺陷如空位、位錯(cuò)所捕獲,聚集長大成為氣泡(氫原子的 溶解度大,不易聚集成泡),使材料發(fā)生腫脹和氦脆, 降低材料的塑性和尺寸穩(wěn)定性。腫脹和氦脆的出現(xiàn)和嚴(yán)重程度與溫度有關(guān)。其他核反應(yīng)生成的嫂變元素長期積 累后的合金化效應(yīng)也必須考慮。托卡馬克堆第一壁表面熱負(fù)荷約為0.2一1.5MW/m2。第一壁如果是比較厚的板,則要考慮熱應(yīng)力的影響;如果反應(yīng)堆運(yùn)行在周期性工況,則要考慮材料的疲勞性能。 第一壁結(jié)構(gòu)材料在上述條件下,除具有合適的機(jī)械性能外,還要具有與增殖材料,冷卻劑良好的相容性。 可作為第一壁結(jié)構(gòu)材料的有:奧氏體不銹鋼(AISI 316, PCA),鐵素體不銹鋼(HT一9),釩(V)、鈦(Ti)、鈮 (Nb)和鉬(Mo)等金屬及合金。重點(diǎn)開發(fā)的是制造工藝已經(jīng)成熟的材料。 高熱流材料第一壁部件中的孔欄和偏濾器是高能 逃逸離子沉積能量的主要區(qū)域,其表面熱負(fù)荷比第一壁 表面平均值高一個(gè)量級以上。此外,聚變堆運(yùn)行時(shí),偶爾會(huì)發(fā)生等離子體破裂的事件,這時(shí)等離子體的能量將在毫秒級的短時(shí)間內(nèi)傾注在第一壁的某些區(qū)域,包括孔欄或偏濾器上。因此,這些部件必須采用高熱流材料。 常用的高熱流材料有銅合金(沉淀硬化合金,Cu一Mo 系合金等),鉬合金(TZM一Mo一Ti一Zr一C合金,MO- Re系合金),錠合金以及鎢(W)、鐵和石墨等?;蛘?應(yīng)用襯板的形式保護(hù)第一壁結(jié)構(gòu)的完整性。用作襯板的 材料有碳纖維強(qiáng)化材料,被和石墨等。 低活化材料聚變?nèi)剂习l(fā)生聚變反應(yīng)時(shí)并不象裂變 燃料那樣具有大量放射性裂變產(chǎn)物,主要的放射性來源 是第一壁和增殖區(qū)材料的中子活化。為了使聚變堆成為 更有吸引力的能源,從事聚變研究的一些國家以研究開發(fā)低活化的第一壁材料作為遠(yuǎn)期目標(biāo),目的在于降低總放射性水平,特別是避免生成長半衰期放射性同位素,即限制材料中鎳(Ni)、鋁和鈮的含量。已提出的低活化材料有不含鎳的鉻錳(Cr一Mn)奧氏體不銹鋼、9 Crl W和gCr3W等的改進(jìn)型鋼、馬氏體鋼,以及釩合金和高純度(99.98%以上)的碳纖維增強(qiáng)材料。
九龍壁位于大同市城區(qū)東街路南,坐南朝北,為單面五彩琉璃照壁,明代建筑,也是我國現(xiàn)存建造年代最早、規(guī)模最大且歷史價(jià)值、旅游價(jià)值最大的一座五彩琉璃龍壁。
九龍壁高8米、厚2米、長44.5米,共分上、中、下三個(gè)部分:壁頂覆蓋琉璃瓦,頂下由琉璃斗拱支撐,壁底為須彌座,敦實(shí)富麗,上雕41組二龍戲珠圖案,腰部由75塊琉璃磚組成浮雕,有牛、馬、狗、鹿、兔等多種動(dòng)物形象,生動(dòng)活潑,多彩多姿。整個(gè)九龍壁構(gòu)圖協(xié)調(diào),比例適當(dāng),風(fēng)格古樸、穩(wěn)重、端莊,僅壁身的九龍壁主體高度就有3.72米。壁上均勻協(xié)調(diào)地分布著九條飛龍,以飛騰之勢躍然壁上,活靈活現(xiàn)。正中一條龍是九龍中心,它龍頭向前,龍尾擺動(dòng),黃色的主體,鱗光閃爍。主龍兩側(cè)的兩條龍互相對稱,構(gòu)成一幅生動(dòng)的畫面,龍的間隙由山石、水草圖案填充,互相映照。每當(dāng)旭日東升時(shí),金色的陽光灑在龍壁上,九條巨龍大有沖破云霧、昂首擺尾騰空而上之勢。
九龍壁前有一個(gè)倒影池,長34.9米、寬4.38米、深0.8米,中段有石橋讓人穿行。每當(dāng)夏秋之季,經(jīng)光線的折射,在一定的時(shí)間內(nèi)九條巨龍映在水中,猶如真龍?jiān)佻F(xiàn),這就是常言所說的"活龍活現(xiàn)"。
第一壁是核聚變中面對等離子體的一層固體結(jié)構(gòu),也就是真空室壁。它用于封閉等離子體??晌盏入x子體釋放能量的20%左右。從等離子體中逸出的氫離子的濺蝕會(huì)引起壁材料的嚴(yán)重腐蝕。必須在制作壁的特種鋼材的表面涂敷石墨或CH0.4膜以防腐蝕。
第一壁是包容等離子體區(qū)和真空區(qū)的部件。又稱面向等離子體部件。它與其外圍的增殖區(qū)結(jié)構(gòu)緊密相連,常包括在增殖區(qū)結(jié)構(gòu)中。比較成熟的托卡馬克反應(yīng)堆的第一壁包括以下部件:①第一壁:形成等離子體和真空室的容器壁;②孔欄:限定等離子體邊界的部件,也可以兼作雜質(zhì)控制系統(tǒng);③偏濾 器:雜質(zhì)控制系統(tǒng);④其他部件:如中性束流注射區(qū)、診斷窗口及內(nèi)襯板等。
可以用乳白色大窗簾啊,要厚一點(diǎn)的,如果覺得窗戶太大,缺乏安全感,用有質(zhì)感一點(diǎn)的大窗簾就可以彌補(bǔ)了,再在落地窗前加一排精美的矮欄桿,或者在玻璃下面畫一層喜歡的手繪就不會(huì)覺得那么空了或者如果臥室很大,就放...
地?zé)峁懿牡姆N類與特點(diǎn)一、 交聯(lián)聚乙烯管材1、過氧化物交聯(lián)優(yōu)點(diǎn):價(jià)格低 連接點(diǎn)少 安裝和維修方便 柔韌性好 有記憶恢復(fù)功能 交聯(lián)度高 2、硅烷交聯(lián) 優(yōu)點(diǎn):短期耐壓性好缺點(diǎn):低溫易破裂 交聯(lián)度低 一...
定義分層墻就可以解決了.做法是,點(diǎn)分層墻,點(diǎn)定義構(gòu)件,點(diǎn)新建.點(diǎn)新建分層墻.,右鍵點(diǎn)分層墻.再新建分層墻單元.這時(shí)在單元中去建立分層墻的信息.分別定義構(gòu)件做法.注意一下屬性中的材質(zhì)和單元高度,然后繪制...
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【LED的種類及特點(diǎn)】led燈種類
模擬聚變堆托卡馬克邊界等離子體放電參數(shù),研究等離子體輻照對第一壁材料的輻照損傷效應(yīng)。 2100433B
本發(fā)明的軸流風(fēng)扇具備:輪轂;多個(gè)葉片,其設(shè)置在所述輪轂的周向上;切口部,其在所述葉片的、旋轉(zhuǎn)方向上的前緣部相反側(cè)的后緣部形成為從所述后緣部向所述前緣部延伸,該切口部將該后緣部分為外周側(cè)后緣部和內(nèi)周側(cè)后緣部;肋部,其設(shè)置于所述葉片的葉片面,并沿著所述前緣部從所述輪轂向所述葉片的外周方向延伸;以及第一壁薄部,其與該肋部的外周側(cè)的端部相鄰地形成,以使所述葉片變薄。
對聚變用第一壁材料中子輻照引發(fā)的缺陷微觀結(jié)構(gòu)演化進(jìn)行第一性原理結(jié)合分子動(dòng)力學(xué)模擬計(jì)算研究。對輻照作用下可遷移空位團(tuán)/間隙原子團(tuán)的準(zhǔn)平衡態(tài)演化過程機(jī)理以及W合金與缺陷相互作用等進(jìn)行研究。主要包括: 輻照作用下材料離位損傷產(chǎn)生演化過程動(dòng)力學(xué)計(jì)算。應(yīng)用分子動(dòng)力學(xué)結(jié)合第一性原理計(jì)算方法模擬輻照作用下體心立方W中產(chǎn)生的晶體點(diǎn)缺陷產(chǎn)生形成過程,離位閾能的計(jì)算、間隙原子結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性的系統(tǒng)討論。對與<111>間隙構(gòu)型非常接近的<11h>構(gòu)型存在性作出物理機(jī)理解釋。高溫退火過程中點(diǎn)缺陷的復(fù)合、擴(kuò)散動(dòng)力學(xué)研究。包括對Frenkel缺陷對的形成和遷移復(fù)合計(jì)算,復(fù)合區(qū)域及擴(kuò)散系數(shù)的溫度效應(yīng),為點(diǎn)缺陷復(fù)合機(jī)制完成前期基礎(chǔ)。發(fā)現(xiàn)111型間隙原子與空位的復(fù)合區(qū)域?yàn)橐粋€(gè)空間橢球,且該橢球半徑隨反應(yīng)溫度升高而增加。 計(jì)算鎢拉伸彈性形變、塑性形變、強(qiáng)化形變和斷裂等四個(gè)階段。得到楊氏模量、屈服應(yīng)變和屈服應(yīng)力。塑性形變時(shí)生成的FCC和HCP結(jié)構(gòu)的能量高于BCC結(jié)構(gòu),并使系統(tǒng)保持較低的應(yīng)力水平。在塑性形變后期,長程有序周期結(jié)構(gòu)孿生帶的生長,使系統(tǒng)應(yīng)力呈周期性振蕩變化。在強(qiáng)化相持形變階段,鑲嵌在孿生帶HCP結(jié)構(gòu)中的其它無序結(jié)構(gòu)在應(yīng)力作用下生長,產(chǎn)生孔洞產(chǎn)生并吸收能量,使系統(tǒng)晶格斷裂。 W基合金元素對空位缺陷遷移影響研究??疾楹辖鹪貙瘴?、間隙的作用機(jī)制。發(fā)現(xiàn)合金元素對空位的遷移均表現(xiàn)為較有利的作用,其中Zr合金元素對空位的影響較為明顯,遷移閾能僅為0.859eV。通過有效體積的方式解釋空位遷閾能,且發(fā)現(xiàn)Ta的濃度增加對空位表現(xiàn)更為有利的作用。W合金中間隙結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。通過啞鈴對形成能發(fā)現(xiàn),Re、Zr作為間隙原子時(shí)具有<110>啞鈴對穩(wěn)定結(jié)構(gòu),而Ta、Hf、Mo、Nb作為間隙結(jié)構(gòu)時(shí)<111>啞鈴對具有更加穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。Re更加有助于自間隙結(jié)構(gòu)遷移,Hf有助于Hf-W啞鈴對遷移。 結(jié)論為探索輻照缺陷產(chǎn)生機(jī)理、提高W基合金抗輻照性能提供理論基礎(chǔ),為未來我國聚變材料設(shè)計(jì)及性能評價(jià)指標(biāo)做出參考。 2100433B