電子技術(shù)基礎模擬部分習題精解及典型試題基本信息

書????名 電子技術(shù)基礎模擬部分習題精解及典型試題 作????者 金鳳蓮
出版社 國防工業(yè)出版社 出版時間 2007年
定????價 19 元 裝????幀 平裝
ISBN 9787118049923

第一篇習題精解

第1章緒論

第2章半導體二極管及其基本電路

第3章半導體三極管及放大電路基礎

第4章場效應管放大電路

第5章功率放大電路

第6章集成電路運算放大器

第7章反饋放大電路

第8章信號的運算與處理電路

第9章信號產(chǎn)生電路

第10章直流穩(wěn)壓電源

第二篇典型試題

自測試題一

自測試題二

自測試題三

自測試題四

自測試題五

自測試題六

自測試題七

自測試題八

參考文獻2100433B

電子技術(shù)基礎模擬部分習題精解及典型試題造價信息

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本書是為了配合由高等教育出版社出版的、華中理工大學電子學教研室編的《電子技術(shù)基礎》模擬部分的教材而編寫的。全書分為兩部分。第一部分對教材中的全部習題進行了詳細解答。每章在解題思路的形式上進行精練分析和引導,鞏固所學,達到舉一反三的效果。第二部分為典型試題,包括本科生結(jié)業(yè)試題共8套,可作為學生自測使用。

本書對教材中的重點、難點作了較深刻的分析,對各章習題作了全面解析。本書將是電氣信息類本科生的重要參考書,也是教師的參考手冊,也可作為報考碩士研究生人員復習的輔導教材,并可作為各類工程技術(shù)人員和自學者的輔導書。

電子技術(shù)基礎模擬部分習題精解及典型試題常見問題

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    這是基本共射放大器的兩個條件,兩者是一致的,前者只是后者空載的特例。前者只是適用于空載,后者空載負載通吃。 后來一處的Rl該是負載電阻RL 空載就是RL→∞。 RL→∞時,Rc//RL=Rc,Ic*(...

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電子技術(shù)基礎模擬部分習題精解及典型試題文獻

《模擬電子技術(shù)基礎》習題答桉 《模擬電子技術(shù)基礎》習題答桉

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評分: 4.5

1 第 1章習題及答案 1.1.在圖題 1.1 所示的各電路圖中 E=5V, tu i sin10 V,二極管的正 向壓降可忽略不計,試分別畫出輸出電壓 ou 的波形。 E + - E + - + - + - iu ou R D + - + - iu ou RD E + - + - + - iu ou R D E + - + - + - iu ou RD (a) (b) (c) (d) 圖題 1.1 解:(a)圖:當 iu > E 時, ou = E,當 iu < E 時, io uu 。 (b)圖:當 iu < E 時, oi uu ;當 iu > E 時, Eu o 。 (c)圖:當 iu < E 時, Eu o ;當 iu > E 時, io uu 。 (d)圖:當 iu > E 時, io uu ;當 iu < E 時, Eu o 。 畫出 ou 波形如圖所示。 2 Vui

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電子技術(shù)基礎復習題及答案..-共20頁 電子技術(shù)基礎復習題及答案..-共20頁

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評分: 4.7

電子技術(shù)基礎 一、選擇題: 1.在雜質(zhì)半導體中 ,少子濃度主要取決于 ( ) (A) 摻入雜質(zhì)的濃度、 (B) 材料、 (C) 溫度 2.測得某 PNP型三極管各極點位為 :UB=-3V UE=-4V UC=-6V, 則該管工作于 ( ) (A) 放大狀態(tài) 、 (B) 飽和狀態(tài)、 (C) 截止狀態(tài) 3.在基本共射放大電路中,若更換晶體管使 β值由 50 變?yōu)?100, 則電路的放大倍數(shù) ( ) (A) 約為原來的 1/2 倍 (B) 約為原來的 2倍 (C) 基本不變 4.在 OCL電路中,引起交越失真的原因是 ( ) (A) 輸入信號過大 (B) 晶體管輸入特性的非線性 (C) 電路中有電容 5.差動放大器中 ,用恒流源代替長尾 R e 是為了 ( )

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《電子技術(shù)基礎模擬部分全程學習指導與習題精解(適合高教五版)》由解放軍理工大學孫崢、羅珊、何敏編寫,全書由孫崢統(tǒng)稿。

本書是本科生學習電子技術(shù)基礎(模擬部分)課程的輔導材料,可與華中科技大學電子技術(shù)課程組編、康華光主編的《電子技術(shù)基礎模擬部分》(第五版)配套使用,也可作為碩士研究生入學考試的復習參考資料,旨在幫助學生更好地掌握電子技術(shù)基礎課程所涉及的基本概念、基本電路和基本分析方法。

孫崢、羅珊、何敏主編的《電子技術(shù)基礎模擬部分全程學習指導與習題精解(適合高教五版)》每章內(nèi)容包括內(nèi)容與要求、知識點歸納、習題全解和學習效果檢測與參考答案四個部分。其中,“內(nèi)容與要求”指出了對該章各部分內(nèi)容應掌握的程度;“知識點歸納”簡述該章要點、重點和難點,以便幫助讀者抓住要旨,建立整體概念;“習題全解”對該章習題作了全面解析,力圖從解題思路、解題方法和解題步驟等方面予以指導,以期使讀者提高解題的能力和效率;“學習效果檢測與參考答案”精選有代表性、測試價值高的題目,以檢驗學習效果,提高應試水平。

《電子技術(shù)基礎·習題精解(模擬部分)(第4版)》全面總結(jié)、歸納了電子技術(shù)模擬和數(shù)字兩個部分的基本內(nèi)容、基本概念、重點難點、各種分析和計算方法,以這些概念和方法在解題中的應用為基礎,編寫了每一章的主要內(nèi)容、知識要點;精選每一章例題進行了解析,給出了解題思路和解題方法;對配套教材中的全部習題都作了詳細的分析和解答。全書由夏應清負責編寫,劉莉、占林松、付曉軍協(xié)助編寫了各章有關內(nèi)容。

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