把光功率或能量轉(zhuǎn)換成電量的各種半導體器件。把光量轉(zhuǎn)換成電量的固態(tài)光電探測器主要有:光敏電阻、光生伏打電池(光電池)、光電二極管和光電三極管以及由它們派生出的各種光電器件,也有利用其他效應制成的器件。
中文名稱 | 固態(tài)光電探測器 | 內(nèi)????容 | 光敏電阻、光生伏打電池 |
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類????型 | 半導體器件 | 原????理 | 光功率或能量轉(zhuǎn)換成電量 |
固態(tài)光電探測器正文
把光功率或能量轉(zhuǎn)換成電量的各種半導體器件。把光量轉(zhuǎn)換成電量的固態(tài)光電探測器主要有:光敏電阻、光生伏打電池(光電池)、光電二極管和光電三極管以及由它們派生出的各種光電器件,也有利用其他效應制成的器件。
光敏電阻(光電導管)利用內(nèi)光電效應使半導體受光照后顯著改變導電性能的現(xiàn)象制成的器件。半導體可以是有機的或無機的、結(jié)晶型的或非晶態(tài)的;可以是單晶或多晶、薄膜燒結(jié)型、真空蒸發(fā)型、化學沉淀型或夾層型等。在半導體兩端鍍上電極就構(gòu)成光敏電阻。
在電極間施加電壓后無光照時流過的電流稱暗電流;光照后激發(fā)自由載流子,使流過的電流劇增,這部分電流稱光電流。入射的光量和光電流(施加給定的電壓)之間的關(guān)系曲線構(gòu)成光敏電阻的光電特性。
根據(jù)半導體材料及其摻雜類型的不同,不同的光敏電阻對不同的光譜段敏感。在可見光區(qū)使用的主要是硫化鋅、硫化鎘、硒化鎘及其混合多晶光敏電阻;在近紅外區(qū)使用的主要有硅、鍺、硫化鉛、銻化銦等。在中紅外和遠紅外區(qū)工作的光敏電阻一般均需保證低溫工作條件。
光生伏打電池(光電池) 能在光的照射下產(chǎn)生電動勢的半導體器件(見光生伏打效應)。光電池大量應用于航天器中作供電電源,并開始用作儀器或家庭供電,光電池也廣泛用于光度色度儀器中。目前工業(yè)生產(chǎn)的大多為硅光電池,對可見和近紅外光響應。
光電二極管能在光的照射下產(chǎn)生電動勢或光電流的半導體器件。它的結(jié)構(gòu)與光電池的相同,也是半導體結(jié)型器件,但尺寸小得多。它有兩種工作方式:當不加偏置電壓時,在光的照射下產(chǎn)生和光電池相同的電動勢,這稱為光電池的工作方式,其短路電流和開路電壓與光量有一定關(guān)系;當加反向偏置電壓(P區(qū)接電源負極,N區(qū)接電源正極)后,在光的照射下出現(xiàn)反向光電流,其大小與照射的光量有關(guān),這稱為光電二極管工作方式。
PIN 光電二極管與一般光電二極管的區(qū)別在于在半導體的P區(qū)和N區(qū)間增加一層本征半導體Ⅰ 區(qū),這樣會增加PN結(jié)耗盡區(qū)的厚度,提高吸收光子的幾率和減小結(jié)電容,從而提高探測效率和響應速度。
雪崩光電二極管的反向偏置電壓接近于反向擊穿電壓,這時光電子能通過與原子的碰撞電離釋放出更多的電子,實現(xiàn)電子倍增,但噪聲稍大。它具有高得多的探測效率和與PIN光電二極管相近的響應速度。
光電三極管 結(jié)構(gòu)與PNP或NPN半導體三極管相似,但大多沒有基極引出線。光照射到集電極-基極結(jié)上,產(chǎn)生的光電流起著基極電流的作用,經(jīng)三極管作用獲得放大數(shù)倍到近百倍的集電極電流。光電三極管的探測效率比光電二極管大得多,但受結(jié)電容的影響,響應慢,只能響應幾百千赫的調(diào)制光。
參考書目
R.J. Keyes, Optical and InfRared Detectors, Springer-Verlag, Berlin, Heidelberg, New York,1977.
photoconductivedetector利用半導體材料的光電導效應制成的一種光探測器件。所謂光電導效應,是指由輻射引起被照射材料電導率改變的一種物理現(xiàn)象。光電導探測器在軍事和國民經(jīng)濟的各個領域有...
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