硅鉬棒

硅鉬棒電熱元件產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于冶金、煉鋼、玻璃、陶瓷、耐火材料、晶體、電子元器件、半導(dǎo)體材料的研究、生產(chǎn)制造等領(lǐng)域，特別是對于高性能精密陶瓷、高等級人工晶體、精密結(jié)構(gòu)金屬陶瓷、玻璃纖維、光導(dǎo)纖維及高級合金鋼的生產(chǎn)。

硅碳棒為非金屬電熱元件，是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料，經(jīng)2200℃高溫再結(jié)晶制成的，正常使用溫度可達(dá)1450℃，合理使用條件下，連續(xù)使用超過2000小時(shí)，在空氣中使用，不需要任何保護(hù)氣氛。適用于各種電爐電窯。

硅鉬棒具有高抗氧化性，在高溫氣氛下，原件的表面生成一層致密的石英SIO2保護(hù)層以防止MOSI2繼續(xù)氧化。當(dāng)元件溫度大于1700度、熔點(diǎn)1710度的SIO2保護(hù)層熔融，由于表面張力的作用，SIO2熔聚成滴，而失去保護(hù)作用。元件在氧化氣氛下在繼續(xù)使用時(shí)，SIO2保護(hù)層重新生成 。

硅碳棒用途:由于硅碳棒使用溫度高,具有耐高溫、抗氧化,耐腐蝕、升溫快、壽命長、高溫變形小、安裝維修方便等特點(diǎn)。有良好的化學(xué)穩(wěn)定性。

若與自動化供電系統(tǒng)配套,既可得到精確的恒定溫度,又可根據(jù)生產(chǎn)工藝的實(shí)際需要按曲線自動調(diào)溫。現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于國防、機(jī)械、冶金、輕化、陶瓷、半導(dǎo)體、分析化驗(yàn)、科學(xué)研究等領(lǐng)域,成為各種電爐電窯的電加熱元件.隧道窯、輥道窯、玻璃窯爐、真空爐、馬弗爐、冶煉爐以及各類加熱設(shè)備,使用硅碳棒加熱既方便,又安全可靠。被廣泛用于電子、磁性材料、粉末冶金、陶瓷、玻璃、冶金和機(jī)械等工業(yè)的多種高溫電爐，電窯。及其電加熱設(shè)備上．

硅鉬棒阻性電熱元件是一種以二硅化鉬為基礎(chǔ)制成的耐高溫、抗氧化的電阻發(fā)熱元件。在高溫氧化性氣氛下使用時(shí)，如同其它Si基耐高溫材料一樣，MoSi2表面會在高溫和氧氣氛下迅速生成一層光亮致密的石英（SiO2）玻璃膜，能夠保護(hù)硅鉬棒內(nèi)層不再被進(jìn)一步氧化，因此硅鉬棒元件具有獨(dú)特的高溫抗氧化性。

在氧化氣氛下、最高使用溫度約為1700℃，MoSi2的電阻率隨著溫度升高而迅速增加。在正常情況下元件電阻不隨使用時(shí)間的長短而發(fā)生變化，因此，新舊硅鉬棒電熱元件可以混合使用。

根據(jù)加熱設(shè)備裝置的結(jié)構(gòu)、工作氣氛和溫度，對電熱元件的表面負(fù)荷進(jìn)行正確地選擇，是硅鉬棒電熱元件的使用壽命的關(guān)鍵。

密度：5.6～5.8g/cm3

抗彎強(qiáng)度：20MPa(20℃)

維氏硬度(HV)：570kg/mm2

氣孔率：0.5～2.0%

吸水率：0.5%

熱伸長率：4%

輻射系數(shù)：0.7～0.8(800～2000℃)

硅鉬棒在高溫時(shí)(1500度以上)有些軟化，低溫時(shí)又硬又脆，為了避免溫變時(shí)產(chǎn)生應(yīng)力，有利于元件的熱脹冷縮，最好采用自由垂直的吊掛安裝方法。吊裝元件的拆換也較方便，不必等爐子冷下來，而可以熱換。

吊掛硅鉬棒時(shí)必須注意下列事項(xiàng):

1) 爐襯材料應(yīng)用剛玉磚，其Fe2O3的質(zhì)量分?jǐn)?shù)應(yīng)小于1%，因?yàn)樗c保護(hù)膜相互作用形成易熔的硅酸鹽，從而加速元件的破壞。

2)冷端部泄漏的熾熱爐氣，不僅增加爐子的熱損失，甚至?xí)龎膶?dǎo)電帶夾頭和引線夾子，因此，最好采用石棉夾頭。

3)因硅鉬棒是脆性材料，抗彎強(qiáng)度低，不能承受碰擊，在安裝過程中應(yīng)采取防護(hù)措施，以防折斷。連接導(dǎo)電帶時(shí)，必須先將石棉夾頭(或瓷夾頭)安裝好，夾緊時(shí)用力不能過大。

4)將硅鉬棒裝進(jìn)塞磚，為了避免因裝卸移動而產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力，塞磚要用泡沫剛玉磚制成的單獨(dú)磚塊。

5)將裝有硅鉬棒的塞磚插入爐頂準(zhǔn)備好的空檔中,塞磚要突出于爐頂?shù)耐饷?，這樣便于拆卸。

6)將導(dǎo)電帶同早已準(zhǔn)備好的連接支架相連接，但應(yīng)避免導(dǎo)電帶緊張和不自然的扭曲機(jī)械應(yīng)力。

7)為了避免石棉夾頭因熱脹冷縮而可能使硅鉬棒下垂變形，可用水玻璃拌合的耐火泥漿涂在連接處，以便固定牢靠。

8)吊裝時(shí)發(fā)熱部的錐體交界處與爐墻相距約25mm-3omm，冷端部應(yīng)露出爐頂外面75mm，其發(fā)熱部的下端到爐底應(yīng)不小于50mm。

9)硅鉬棒在爐內(nèi)的間隔應(yīng)不小于元件本身的中心間距。

10)吊裝時(shí)必須注意兩個(gè)冷端部和接線部分的重力平衡，否則會造成發(fā)熱部產(chǎn)生彎曲變形 。2100433B

1600℃電爐加熱元件為硅鉬棒，硅鉬棒的注意事項(xiàng)

1.硅鉬棒加熱元件，不應(yīng)該在400℃至700℃溫度范圍內(nèi)使用，因?yàn)樵诖瞬焕麠l件下，元件將會發(fā)生低溫氧化致使元件毀壞。

2.硅鉬棒加熱元件適宜在空氣、中性氣氛中使用，還原性氣氛如氫氣等會破壞保護(hù)層，氯和硫的蒸汽對元件有直接的損害。

分子式：MoSi2

硅鉬棒中的硅是一種化學(xué)元素，它的化學(xué)符號是Si，舊稱矽。原子序數(shù)14，相對原子質(zhì)量28.09，有無定形硅和晶體硅兩種同素異形體，屬于元素周期表上IVA族的類金屬元素。硅也是極為常見的一種元素，然而它極少以單質(zhì)的形式在自然界出現(xiàn)，而是以復(fù)雜的硅酸鹽或二氧化硅的形式，廣泛存在于巖石、砂礫、塵土之中。硅在宇宙中的儲量排在第八位。在地殼中，它是第二豐富的元素，構(gòu)成地殼總質(zhì)量的25.7%，僅次于第一位的氧（49.4%）。

硅鉬棒中的硅名稱的由來，來自拉丁文的silex,silicis，意思為燧石（火石）。 民國初期，學(xué)者原將此元素譯為“硅”而令其讀為“xi（圭旁確可讀xi音，如畦字）”（又，“硅”字本為“砉”字之異體，讀huo）。然而在當(dāng)時(shí)的時(shí)空下，由于拼音方案尚未推廣普及，一般大眾多誤讀為gui。由于化學(xué)元素譯詞除中國原有命名者，多用音譯，化學(xué)學(xué)會注意到此問題，于是又創(chuàng) “矽”字避免誤讀。臺灣沿用“矽”字至今。

1787年，拉瓦錫首次發(fā)現(xiàn)硅存在于巖石中。然而在1800年，戴維將其錯認(rèn)為一種化合物。1811年，蓋-呂薩克和Thénard可能已經(jīng)通過將單質(zhì)鉀和四氟化硅混合加熱的方法制備了不純的無定形硅。1823年，硅首次作為一種元素被貝采利烏斯發(fā)現(xiàn)，并于一年后提煉出了無定形硅，其方法與蓋-呂薩克使用的方法大致相同。他隨后還用反復(fù)清洗的方法將單質(zhì)硅提純。