中文名 | 紅外焦平面陣列新結(jié)構(gòu)高性能CMOS讀出電路研究 | 項目類別 | 面上項目 |
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項目負(fù)責(zé)人 | 袁祥輝 | 依托單位 | 重慶大學(xué) |
將新型恒偏壓隔離注入、自適應(yīng)電流增益控制放大、高均勻性背景電流抑制積分、相關(guān)雙采樣、低功耗動態(tài)輸出等技術(shù)融合,構(gòu)成新結(jié)構(gòu)的CMOS讀出電路,可克服現(xiàn)有各種讀出電路存在的缺點,使紅外焦平面陣列性能全面大幅度提高。該技術(shù)可加快我國紅外焦平面陣列的研制進(jìn)程,縮短與國際先進(jìn)水平的差距,在軍事和民用市場都有重要而廣闊的應(yīng)用前景。
批準(zhǔn)號 |
60077025 |
項目名稱 |
紅外焦平面陣列新結(jié)構(gòu)高性能CMOS讀出電路研究 |
項目類別 |
面上項目 |
申請代碼 |
F0504 |
項目負(fù)責(zé)人 |
袁祥輝 |
負(fù)責(zé)人職稱 |
教授 |
依托單位 |
重慶大學(xué) |
研究期限 |
2001-01-01 至 2003-12-31 |
支持經(jīng)費 |
18(萬元) |
陣列式的紅外燈外觀小巧、好看,散熱性不好、壽命短,去年用了10幾臺,不到半年,壞了一半,沒有辦法,后來又加的普通LED紅外燈; 普通紅外燈外觀不太好看,比較笨重、但技術(shù)相對成熟些,壽命要比陣列式的要長...
cmos模擬集成電路設(shè)計 這本書是模擬集成電路設(shè)計方面的書,需要具備半導(dǎo)體物理及器件以及基本的模電知識作為基礎(chǔ),要深入的話需要信號與系統(tǒng)和數(shù)學(xué)方面的扎實功底。 &n...
如下圖:
格式:pdf
大?。?span id="1eyuzur" class="single-tag-height">1.0MB
頁數(shù): 3頁
評分: 4.6
本文就新型紅外熱成像技術(shù)的特征及其在軌道交通、鐵路運輸及隧道建筑等領(lǐng)域中的應(yīng)用作重點研討。
格式:pdf
大?。?span id="dpheep5" class="single-tag-height">1.0MB
頁數(shù): 未知
評分: 4.5
對紅外探測器不斷增長和提高的需求催生了第三代紅外焦平面探測器技術(shù)。根據(jù)第三代紅外探測器的概念,像素達(dá)到百萬級,熱靈敏度NETD達(dá)到1 m K量級是第三代制冷型高性能紅外焦平面探測器的基本特征。計算結(jié)果表明讀出電路需要達(dá)到1000 Me-以上的電荷處理能力和100 d B左右的動態(tài)范圍(Dynamic Range)才能滿足上述第三代紅外焦平面探測器需求。提出在像素內(nèi)進(jìn)行數(shù)字積分技術(shù),以期突破傳統(tǒng)模擬讀出電路的電荷存儲量和動態(tài)范圍瓶頸限制,使高空間分辨率、高溫度分辨率及高幀頻的第三代高性能制冷型紅外焦平面探測器得到實現(xiàn)。
批準(zhǔn)號 |
60702007 |
項目名稱 |
紅外焦平面陣列視網(wǎng)膜形態(tài)讀出電路技術(shù)研究 |
項目類別 |
青年科學(xué)基金項目 |
申請代碼 |
F0118 |
項目負(fù)責(zé)人 |
孟麗婭 |
負(fù)責(zé)人職稱 |
副教授 |
依托單位 |
重慶大學(xué) |
研究期限 |
2008-01-01 至 2010-12-31 |
支持經(jīng)費 |
22(萬元) |
紅外圖像是高背景下的低對比度圖像,而在目標(biāo)探測等應(yīng)用中,大量圖像數(shù)據(jù)的高速處理需要較大的功耗,對于便攜式低功耗的系統(tǒng),現(xiàn)有的數(shù)字處理器難以實時地處理這么大的數(shù)據(jù)量。且紅外圖像信號的動態(tài)范圍、傳輸?shù)乃俣群湍?shù)轉(zhuǎn)換后的精度都受到模數(shù)轉(zhuǎn)換器的限制。針對焦平面陣列視頻輸出和后面的圖像處理之間存在的這種計算瓶頸,本項目擬借鑒脊椎動物視網(wǎng)膜的原理,研究局部增益自動控制像元結(jié)構(gòu)以實現(xiàn)紅外焦平面陣列探測元動態(tài)范圍的自適應(yīng)調(diào)整,充分利用現(xiàn)有焦平面探測陣列的動態(tài)范圍;設(shè)計功耗低、實時性強(qiáng)的片上仿生型信號處理電路,用低功耗的模擬集成電路來實現(xiàn)片上信號處理功能,在紅外焦平面陣列像素里面引入分布式計算,由視網(wǎng)膜形態(tài)電路在陣列結(jié)構(gòu)里執(zhí)行多項功能,大大提高集成紅外系統(tǒng)的速度和整體性能。
雙極-CMOS集成電路(BiCMOS)雙極-CMOS集成電路(BiCMOS)由雙極型門電路和互補金屬-氧化物——半導(dǎo)體(CMOS)門電路構(gòu)成的集成電路。特點是將雙極(Bipolar)工藝和CMOS工藝兼容,在同一芯片上以一定的電路形式將雙極型電路和CMOS電路集成在一起,兼有高密度 、低功耗和高速大驅(qū)動能力等特點。
高性能BiCMOS電路于20世紀(jì)80年代初提出并實現(xiàn),主要應(yīng)用在高速靜態(tài)存儲器、高速門陣列以及其他高速數(shù)字電路中,還可以制造出性能優(yōu)良的模/數(shù)混合電路,用于系統(tǒng)集成。有人預(yù)言,BiCMOS集成電路是繼CMOS集成電路形式之后最現(xiàn)實的下一代高速集成電路形式。