本標準規(guī)定了繼電器觸點用合金內(nèi)氧化法銀氧化錫氧化銦線材(以下簡稱線材)的術(shù)語和定義、標注、基本要求、技術(shù)要求、試驗方法、檢驗規(guī)則、標志、標簽、貯存、包裝、運輸、質(zhì)量承諾等內(nèi)容。
本標準適用于繼電器觸點用以合金內(nèi)氧化法制造的銀氧化錫氧化銦線材產(chǎn)品。 2100433B
本標準由寧波市標準化研究院牽頭組織制定。 本標準主要起草單位:寧波漢博貴金屬合金有限公司。 本標準參與起草單位:寧波市標準化研究院、機械工業(yè)電工材料產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)督檢測中心、中國電器工業(yè)協(xié)會電工合金分會、全國電工合金標準化技術(shù)委員會、廈門理工學院、廈門金波貴金屬制品有限公司、三友聯(lián)眾集團股份有限公司、寧波電工合金材料有限公司、佛山通寶精密合金股份有限公司(排名不分先后)。
本標準起草人:劉遠廷、周山山、何偉、馬林泉、崔得鋒、石建華、許龍山、鄭東風、康如喜、樂平、盤志雄、劉承峰、楊根濤、王圣明、姚金秋、鄒力、顏文龍、潘宇、陳小明。
加熱,黑銀是由于氧化所致,氧化銀(Ag2O)是黑色的故銀的表面會呈現(xiàn)出黑色狀。因此可以通過使用強還原劑甲醛(HCHO)通過氧化還原反應來將氧化銀還原成銀。另外還有一種方法是用堿性物質(zhì)洗滌或者擦拭,這是...
基本信息 tin oxide ; stannic oxide:stannic anhydride; 別名 氧化錫 化學式 SnO2 白色四角晶體,密度7,熔點1127攝氏度.不溶于水,...
氧化鋯氧量分析儀工作原理及維護使用:一、前言由于氧探頭與現(xiàn)有測氧儀表(如磁氧分析器、電化學式氧量計、氣象色譜儀等)相比,具有結(jié)構(gòu)簡單,響應時間短(0.1s~0.2s),測量范圍寬(從ppm到百分含量)...
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頁數(shù): 2頁
評分: 4.6
氧化溝簡介及氧化溝的主要優(yōu)點 一、 氧化溝簡介 氧化溝利用循環(huán)環(huán)式反應池( Continuous Loop Reator )作為生物反應池,并使用一種帶 方向控制的曝氣和攪動裝置向反應池中液體傳遞水平速度, 從而使液體在池中循環(huán)。 氧化溝 是活性污泥法的一種變型, 在水力流態(tài)上不同于傳統(tǒng)的活性污泥法, 氧化溝是一種首尾相連 的循環(huán)流動曝氣溝渠。最早的氧化溝渠是土溝渠,間歇進水、間歇曝氣,從這一點上來說, 氧化溝最早是以序批方式處理污水的。 1954年荷蘭建成了世界上第一座氧化溝污水處理廠, 為一個環(huán)形跑道,斜坡式池壁反應池,采用間歇運行方式,白天做曝氣池用,晚上做沉淀池 用,結(jié)構(gòu)簡單,處理效果好。 氧化溝處理污水的整個過程如進水、 曝氣、沉淀、污泥穩(wěn)定和出水全部集中在氧化溝內(nèi)完 成,最早的氧化溝不需要設初次沉淀池、 二沉池和污泥回流設備, 采用延時曝氣、 連續(xù)進出 水,所產(chǎn)生的污泥在污水凈
中文名稱:氧化銦
中文別名:氧化銦(III);納米氧化銦;三氧化二銦;氧化銦/納米氧化銦;
英文名稱:Indium Oxide
英文別名:Diindium trioxide,Indium sesquioxide;Indium(III) oxide;Diindium trioxide Indium sesquioxide;
Diindium trioxide,Indium sesquioxide,Indium(III) oxide;Indium oxide;
CAS號:1312-43-2
分子式:In2O3
分子量:277.63400
精確質(zhì)量:277.79200
PSA:43.37000
用于搪瓷和電磁材料,并用于制造乳白玻璃、錫鹽、瓷著色劑、織物媒染劑和增重劑、鋼和玻璃的磨光劑等。
二氧化錫(SnO?)電極廣泛應用于高檔光學玻璃的熔煉以及電解鋁行業(yè),二氧化錫電級尤其適用于火石類玻璃、鋇火石、鋇冕,以及重冕玻璃等的熔煉,且對玻璃不產(chǎn)生污染。此項成果已通過河南省科技廳組織的專家鑒定,整體性能指標在國內(nèi)處于領(lǐng)先水平,二氧化錫電級主要指標已達到國際先進水平。
SnO2電極性能技術(shù)指標
1、體積密度6.38-6.58g/cm3
2、抗彎強度
室 溫 1155kg/cm2
1000℃ 641kg/cm2
1200℃ 166kg/cm2
1400℃ 95kg/cm2
3、電阻率(Ω· cm)
室 溫 93
400℃ 6.1000
600℃ 1.4000
800℃ 0.0200
900℃ 0.0150
1000℃ 0.0098
1100℃ 0.0084
4、抗鈉鈣玻璃侵蝕速率(mm/h)
1000℃ 0.53 x 10-3
1100℃ 0.63 x 10-3
5、熱膨脹率(1200℃ )
0.69%
SnO?是一種重要的半導體傳感器材料,用它制備的氣敏傳感器靈敏度高,被廣泛用于各種可燃氣體、環(huán)境污染氣體、工業(yè)廢氣以及有害氣體的檢測和預報。以SnO2為基體材料制備的濕敏傳感器,在改善室內(nèi)環(huán)境、精密儀器設備機房以及圖書館、美術(shù)館、博物館等均有應用。通過在SnO2中摻雜一定量的CoO、Co2O3、Cr2O3、Nb2O5、Ta2O5等,可以制成阻值不同的壓敏電阻,在電力系統(tǒng)、電子線路、家用電器等方面都有廣泛的用途。
SnO?由于對可見光具有良好的通透性,在水溶液中具有優(yōu)良的化學穩(wěn)定性,且具有特定的導電性和反射紅外線輻射的特性,因此在鋰電池、太陽能電池、液晶顯示、光電子裝置、透明導電電極、防紅外探測保護等領(lǐng)域也被廣泛應用。而SnO?納米材料由于具有小尺寸效應、量子尺寸效應、表面效應和宏觀量子隧道效應,在光、熱、電、聲、磁等物理特性以及其他宏觀性質(zhì)方面較傳統(tǒng)SnO?而言都會發(fā)生顯著的變化,所以可以通過運用納米材料來改善傳感器材料的性能。
氧化錫簡介
英文名稱:Stannic oxide
中文別名:二氧化錫
分子式(Formula): SnO?
分子量(Molecular Weight): 150.69
CAS No.: 18282-10-5
質(zhì)量指標(Specification)
外觀(Appearance): 白色、淡黃色或淡灰色四方、六方或斜方晶系粉末
含量(Purity): 99.60%-99.99%)
物化性質(zhì)(Physical Properties)
化學成分:SnO2:99.85%;Cu:0.0014%
SnO2同時是一種優(yōu)秀的透明導電材料。它是第一個投入商用的透明導電材料,為了提高其導電性和穩(wěn)定性,常進行摻雜使用,如SnO?:Sb、SnO?:F等。SnO2和其摻雜都具有正方金紅石結(jié)構(gòu)(tetragonal rutile),如圖所示。紅色為O,黑色為Sn,SnO2由兩個Sn和四個O原子組成,晶格常數(shù)為a=b=0.4737nm,c=0.3186nm,c/a=0.637。O^2-=0.140nm,Sn^4+=0.071nm。SnO2是n型寬能隙半導體,禁帶寬度為3.5-4.0eV,可見光及紅外透射率為80%,等離子邊位于3.2μm處,折射率>2,消光系數(shù)趨于0.SnO2附著力強,與玻璃和陶瓷的結(jié)合力可達20MPa,莫氏硬度為7—8,化學穩(wěn)定性好,可經(jīng)受化學刻蝕。SnO2作為導電膜,其載流子主要來自晶體缺陷,即O空位和摻雜雜質(zhì)提供的電子。