非易失性存儲(chǔ)器(英語(yǔ):non-volatile memory,縮寫(xiě)為NVM)是指當(dāng)電流關(guān)掉后,所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)不會(huì)消失者的電腦存儲(chǔ)器。非易失性存儲(chǔ)器中,依存儲(chǔ)器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時(shí)隨時(shí)改寫(xiě)為標(biāo)準(zhǔn),可分為二大類(lèi)產(chǎn)品,即ROM和Flash memory。
類(lèi)型
非易失性存儲(chǔ)器主要有以下類(lèi)型:
ROM(Read-only memory,只讀內(nèi)存)
PROM(Programmable read-only memory,可編程只讀內(nèi)存)
EAROM(Electrically alterable read only memory,電可改寫(xiě)只讀內(nèi)存)
EPROM(Erasable programmable read only memory,可擦可編程只讀內(nèi)存)
EEPROM(Electrically erasable programmable read only memory,電可擦可編程只讀內(nèi)存)
Flash memory(閃存)
憶阻器(英語(yǔ):memristor/?m?mr?st?r/),又名記憶電阻(英語(yǔ):memory resistors),是一種被動(dòng)電子元件。如同電阻器,憶阻器能產(chǎn)生并維持一股安全的電流通過(guò)某個(gè)裝置。但是與電阻器不同的地方在于,憶阻器可以在關(guān)掉電源后,仍能“記憶”先前通過(guò)的電荷量。兩組的憶阻器更能產(chǎn)生與晶體管相同的功能,但更為細(xì)小。最初于1971年,加州大學(xué)伯克利分校的蔡少棠教授根據(jù)電子學(xué)理論,預(yù)測(cè)到在電阻器、電容器及電感元件之外,還存在電路的第四種基本元件,即是憶阻器。 正在開(kāi)發(fā)憶阻器的團(tuán)隊(duì)包括惠普、SK海力士、HRL實(shí)驗(yàn)室。
之后從2000年始,研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的薄膜中發(fā)現(xiàn)了電場(chǎng)作用下的電阻變化,并應(yīng)用到了下一代非揮發(fā)性內(nèi)存-阻抗存儲(chǔ)器(RRAM 或 ReRAM)中。2008年4月,惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件,并首先將RRAM和憶阻器聯(lián)系起來(lái)。但仍然有專家認(rèn)為,這些實(shí)作出的電路,并不是真正的憶阻器。
可編程金屬化單元(英語(yǔ):programmable metallization cell,縮寫(xiě)為PMC),一種新的非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù),由亞利桑那州立大學(xué)開(kāi)發(fā),這項(xiàng)專利已授權(quán)并轉(zhuǎn)移給Axon Technologies公司。它有可能取代快閃存儲(chǔ)器。
英飛凌在2004年取得PMC技術(shù)的授權(quán),并用來(lái)開(kāi)發(fā)導(dǎo)電橋接隨機(jī)存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM,CBRAM),NEC稱為Nanobridge,Sony稱其為electrolytic memory。但這些公司都沒(méi)有做出實(shí)際應(yīng)用成果。
最主要推動(dòng) CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies,最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。
在許多常見(jiàn)的應(yīng)用中,微處理器要求用非易失性存儲(chǔ)器來(lái)存放其可執(zhí)行代碼、變量和其他暫態(tài)數(shù)據(jù)。ROM、EPROM或Flash Memory(快閃存儲(chǔ)器)常被用來(lái)存放可執(zhí)行代碼(因這些...
電阻器阻值固定不變,可變電阻隨意調(diào)整電阻值。它的區(qū)別是: 區(qū)別一、功率較大場(chǎng)合下的可變電阻器(線繞式結(jié)構(gòu)),體積很大,動(dòng)片可以左右滑動(dòng),進(jìn)行阻值調(diào)節(jié)。 區(qū)別二、可變電阻器的體積比一般電阻器的體積大些,...
存儲(chǔ)器:是計(jì)算機(jī)的重要組成部分.它可分為:計(jì)算機(jī)內(nèi)部的存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱內(nèi)存)計(jì)算機(jī)外部的存儲(chǔ)器(簡(jiǎn)稱外存)內(nèi)存儲(chǔ)器從功能上可以分為:讀寫(xiě)存儲(chǔ)器 RAM、只讀存儲(chǔ)器ROM兩大類(lèi)計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)容量以字節(jié)為單位,它...
相變化內(nèi)存(英語(yǔ):Phase-change memory,英語(yǔ):Ovonic Unified Memory,英語(yǔ):Chalcogenide RAM,簡(jiǎn)稱PCM,PRAM,PCRAM,CRAM),又譯為相變位內(nèi)存,是一種非易失性存儲(chǔ)器裝置。PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)制成。硫?qū)俨AУ奶匦允?,?jīng)加熱可以改變它的狀態(tài),成為晶體(Crystalline)或非晶體(Amorphous)。這些不同狀態(tài)具有相應(yīng)的電阻值。因此 PRAM 可以用來(lái)存儲(chǔ)不同的數(shù)值。 它是可能取代快閃存儲(chǔ)器的技術(shù)之一。 2100433B
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數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(DRFM)經(jīng)過(guò)近30年的發(fā)展,已成為大多數(shù)現(xiàn)代電子干擾系統(tǒng)的核心控制部件。介紹了數(shù)字射頻存儲(chǔ)器(DRFM)在干擾機(jī)中的應(yīng)用,總結(jié)了DRFM的工作原理、實(shí)現(xiàn)結(jié)構(gòu)、性能參數(shù)及國(guó)內(nèi)外應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì),特別是在DRFM的基本結(jié)構(gòu)上提出加入調(diào)相處理模塊的設(shè)想,可以優(yōu)化干擾機(jī),達(dá)到有效干擾的目的。
可變電阻與普通電阻在外形上有很大的區(qū)別,它具有下列一些特征,根據(jù)這些特征可以在線路板中識(shí)別可變電阻: (1)可變電阻的體積比一般電阻的體積大些,同時(shí)電路中可變電阻較少,在線路板中能方便地找到它。 (2)可變電阻共有三根引腳,這三根引腳有區(qū)別,一根為動(dòng)片引腳,另兩根是定片引腳,一般兩個(gè)定片引腳之間可以互換使用,而定片與動(dòng)片引腳之間不能互換使用。 (3)可變電阻上有一個(gè)調(diào)整口,用一字螺絲刀伸入此調(diào)整口中,轉(zhuǎn)動(dòng)螺絲刀可以改變動(dòng)片的位置,進(jìn)行阻值的調(diào)整。 (4)在可變電阻上可以看出它的標(biāo)稱阻值,這一標(biāo)稱阻值是指兩個(gè)定片引腳之間的阻值,也是某一個(gè)定片引腳與動(dòng)片引腳之間的最大阻值。 (5)立式可變電阻主要使用于小信號(hào)電路中,它的三根引腳垂直向下,垂直安裝在線路板上,阻值調(diào)節(jié)口在水平方向。 (6)臥式可變電阻也使用于小信號(hào)電路中,它的三根引腳與電阻平面成90°,垂直向下,平臥地安裝在線路板上,阻值調(diào)節(jié)口朝上。 (7)小型塑料外殼的可變電阻體積更小,呈圓形結(jié)構(gòu),它的三根引腳向下,阻值調(diào)節(jié)口朝上。 (8)用于功率較大場(chǎng)合下的可變電阻(線繞式結(jié)構(gòu)),體積很大,動(dòng)片可以左右滑動(dòng),進(jìn)行阻值調(diào)節(jié)。
固態(tài)存儲(chǔ)器是相對(duì)于磁盤(pán)、光盤(pán)一類(lèi)的,不需要讀寫(xiě)頭、不需要存儲(chǔ)介質(zhì)移動(dòng)(轉(zhuǎn)動(dòng))讀寫(xiě)數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器。
固態(tài)存儲(chǔ)器是通過(guò)存儲(chǔ)芯片內(nèi)部晶體管的開(kāi)關(guān)狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的,由于固態(tài)存儲(chǔ)器沒(méi)有讀寫(xiě)頭、不需要轉(zhuǎn)動(dòng),所以固態(tài)存儲(chǔ)器擁有耗電少、抗震性強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。由于成本較高,多以目前大容量存儲(chǔ)中仍然使用機(jī)械式硬盤(pán);但在小容量、超高速、小體積的電子設(shè)備中,固態(tài)存儲(chǔ)器擁有非常大的優(yōu)勢(shì)。
在可變電阻區(qū)內(nèi),當(dāng)U(GS)不變時(shí),I(D)隨U(DS)的增加近似直線上升,且U(GS)越小,該段輸出特性曲線斜率越小。此時(shí),場(chǎng)效應(yīng)管可視作一個(gè)受U(GS)控制的壓控電阻,且U(GS)越小,等效電阻值越大。也正因此,該區(qū)域叫做“可變電阻區(qū)”。