可變電阻式存儲器憶阻器

憶阻器（英語：memristor/?m?mr?st?r/），又名記憶電阻（英語：memory resistors），是一種被動電子元件。如同電阻器，憶阻器能產(chǎn)生并維持一股安全的電流通過某個裝置。但是與電阻器不同的地方在于，憶阻器可以在關(guān)掉電源后，仍能“記憶”先前通過的電荷量。兩組的憶阻器更能產(chǎn)生與晶體管相同的功能，但更為細(xì)小。最初于1971年，加州大學(xué)伯克利分校的蔡少棠教授根據(jù)電子學(xué)理論，預(yù)測到在電阻器、電容器及電感元件之外，還存在電路的第四種基本元件，即是憶阻器。 正在開發(fā)憶阻器的團(tuán)隊包括惠普、SK海力士、HRL實驗室。

之后從2000年始，研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的薄膜中發(fā)現(xiàn)了電場作用下的電阻變化，并應(yīng)用到了下一代非揮發(fā)性內(nèi)存-阻抗存儲器（RRAM 或 ReRAM）中。2008年4月，惠普公司公布了基于TiO₂的RRAM器件，并首先將RRAM和憶阻器聯(lián)系起來。但仍然有專家認(rèn)為，這些實作出的電路，并不是真正的憶阻器。

非易失性存儲器（英語：non-volatile memory，縮寫為NVM）是指當(dāng)電流關(guān)掉后，所存儲的數(shù)據(jù)不會消失者的電腦存儲器。非易失性存儲器中，依存儲器內(nèi)的數(shù)據(jù)是否能在使用電腦時隨時改寫為標(biāo)準(zhǔn)，可分為二大類產(chǎn)品，即ROM和Flash memory。

類型

非易失性存儲器主要有以下類型：

• ROM（Read-only memory，只讀內(nèi)存）

• PROM（Programmable read-only memory，可編程只讀內(nèi)存）

• EAROM（Electrically alterable read only memory，電可改寫只讀內(nèi)存）

• EPROM（Erasable programmable read only memory，可擦可編程只讀內(nèi)存）

• EEPROM（Electrically erasable programmable read only memory，電可擦可編程只讀內(nèi)存）

• Flash memory（閃存）

可編程金屬化單元（英語：programmable metallization cell，縮寫為PMC），一種新的非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)，由亞利桑那州立大學(xué)開發(fā)，這項專利已授權(quán)并轉(zhuǎn)移給Axon Technologies公司。它有可能取代快閃存儲器。

英飛凌在2004年取得PMC技術(shù)的授權(quán)，并用來開發(fā)導(dǎo)電橋接隨機存取內(nèi)存(conductive-bridging RAM，CBRAM)，NEC稱為Nanobridge，Sony稱其為electrolytic memory。但這些公司都沒有做出實際應(yīng)用成果。

最主要推動 CBRAM 裝置的公司是Adesto Technologies，最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 樣品。

相變化內(nèi)存（英語：Phase-change memory，英語：Ovonic Unified Memory，英語：Chalcogenide RAM，簡稱PCM,PRAM,PCRAM,CRAM），又譯為相變位內(nèi)存，是一種非易失性存儲器裝置。PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫?qū)俨ＡУ奶匦允牵?jīng)加熱可以改變它的狀態(tài)，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態(tài)具有相應(yīng)的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數(shù)值。 它是可能取代快閃存儲器的技術(shù)之一。 2100433B

在可變電阻區(qū)內(nèi)，當(dāng)U(GS)不變時，I(D)隨U(DS)的增加近似直線上升，且U(GS)越小，該段輸出特性曲線斜率越小。此時，場效應(yīng)管可視作一個受U(GS)控制的壓控電阻，且U(GS)越小，等效電阻值越大。也正因此，該區(qū)域叫做“可變電阻區(qū)”。