可控硅電力調(diào)整裝置安裝使用須知

l.使用前請認(rèn)真閱讀本說明書，嚴(yán)格按要求接線使用

2.本電壓調(diào)整器是壁掛式，垂直安裝在通風(fēng)良好，不受日光直射或熱輻射，無腐蝕性無可燃性的環(huán)境中。

3工作電流>30A,需采用強制風(fēng)冷。高溫高濕以及海拔大于1000米，應(yīng)降額使用。

4.裝置過熱保護后，如要再運行，需排除故障后，再送電運行。

5.在使用過程中若發(fā)生過流現(xiàn)象，應(yīng)首先檢查負(fù)載有無短路等故障。

6.工作環(huán)境溫度：-10～ 50℃通風(fēng)良好的位置。工作環(huán)境相對濕度：90%

7.負(fù)載過流保護：一般地說，過流保護不能完全確保負(fù)載短路造成的設(shè)備損壞,不能代替快速熔斷器

8負(fù)載短路保護：一般按額定負(fù)載電流的1.5倍選擇，外配RS0快速熔斷器作為短路保護。2100433B

智能交流電力控制器是中日合作超大功率SCR高精度數(shù)字調(diào)壓應(yīng)用技術(shù)的新概念產(chǎn)品,PAC33I具有三相調(diào)壓/調(diào)功一體化，脈沖變壓器輸出，自動判別相位、抑制電源交叉干擾能力極高的鎖環(huán)同步電路、上電緩啟動、緩關(guān)斷、散熱器超溫、電流限制、過流保護、電流環(huán)遠(yuǎn)距離五種工作狀態(tài)指示，額定電流40～500A。智能交流電力控制器可廣泛用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓調(diào)節(jié)，恒壓恒流，恒功率調(diào)節(jié)，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載、變壓器和電機軟起控制等

1變壓器控制:變壓器過流的原因：a)飽和磁通密度設(shè)計余量不足。當(dāng)電流增加到一定程度,負(fù)載電流劇增、波形畸變、損壞器件。b）運行過程的缺相或三相嚴(yán)重不平衡，直流分量過大使變壓器迅速進(jìn)入磁飽和區(qū)，產(chǎn)生嚴(yán)重過流。運行過程瞬間斷電后又上電等，由于電感電流不能突變，造成磁通極性與剩磁極性（固有剩磁和瞬間斷電正在衰減的磁場）的“撞車”產(chǎn)生的危害性沖擊電壓、電流。

2電感負(fù)載:采用上電緩起動逐步順磁和緩關(guān)斷逐步衰減磁場；脈寬可變觸發(fā)技術(shù)，能提供足夠到達(dá)晶閘管擎駐電流的鎖定時間，避免窄脈沖觸發(fā)不可靠；采用離子注入技術(shù)制造的中心門極晶閘管（希曼頓相控大功率SSR），具有開通速度快、導(dǎo)通均勻、特性參數(shù)一致，對稱度高直流分量小，有利于變壓器控制。此外，六相脈沖合并為三路，電路簡單可靠。

3.純金屬類：雖硅鉬、鉬絲、鎢、白金冷熱阻變化大，但電阻與溫度關(guān)系呈線性，采用降壓變壓器、XCT1電流限制以及配合

帶有多組PID以及功率限制的儀表，例如島電FP93、FP21、SR253、MR13三回路等，可設(shè)計低、中、高溫區(qū)的電流限制。此外可采用SR53線性限幅,輸出功率能自動跟隨儀表的設(shè)定值線性增加。

4.硅碳棒:一般采用緩起動〉1分鐘或更長，避開在700℃附近負(fù)阻的沖擊電流（新棒更明顯使用方法有降壓變壓器、硅碳棒串聯(lián)。過零方式的全電壓啟動，不可避免地造成過大的沖擊電流，易于損壞晶閘管和加速硅碳棒老化。

5.純阻（泛指冷熱阻變化小的負(fù)載）-簡單可靠的方法為：周期（占空比控制）或周波過零功技術(shù)和大功率SSR，克服調(diào)壓

方式功率因數(shù)低、污染電網(wǎng)的缺點。周波過零的負(fù)載電流以全正弦波為單位均勻分布，多臺設(shè)備運行時，總動力電流相對均衡（避免了周期方式電流集中），改善爐溫均勻性，避免了電流表撞針，重要的是：提高了電源利用率和避免電力設(shè)備增容，節(jié)電效果十分明顯。

6調(diào)壓調(diào)功一體化技術(shù)：調(diào)壓方式具有負(fù)載電流沖擊小，適合變壓器控制，但不可避免帶來電源污染，降低功率因數(shù)。過零調(diào)功方式無法限制電流，冷態(tài)沖擊將影響加熱管的壽命。PAC33I的U1用戶功能提供了兩者結(jié)合的輸出。

可控硅有多種分類方法。

（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種。

（二）按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅。

（三）按封裝形式分類：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類型。其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形、圓殼形等多種；塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。

（四）按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三種。通常，大功率可控硅多采用金屬殼封裝，而中、小功率可控硅則多采用塑封或陶瓷封裝。

（五）按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅。

（六）過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點觸發(fā)，必須是過零點才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅。

（七）非過零觸發(fā)-無論交流電電壓在什么相位的時候都可觸發(fā)導(dǎo)通可控硅，常見的是移相觸發(fā)，即通過改變正弦交流電的導(dǎo)通角（角相位），來改變輸出百分比。

中文名稱

水平調(diào)整裝置

英文名稱

leveling device

定　　義

把天平儀器調(diào)整到標(biāo)準(zhǔn)水平位置的裝置。

應(yīng)用學(xué)科

機械工程（一級學(xué)科），實驗室儀器和裝置（二級學(xué)科），天平儀器-電子天平零部件及附件（三級學(xué)科）