led晶片晶片的組成.

主要有砷(AS)鋁(AL)鎵(Ga)銦(IN)磷(P)氮(N)鍶(Si)這幾種元素中的若干種組成.

1.按發(fā)光亮度分:

A.一般亮度:R﹑H﹑G﹑Y﹑E等.

B.高亮度:VG﹑VY﹑SR等

C.超高亮度:UG﹑UY﹑UR﹑UYS﹑URF﹑UE等

D.不可見光(紅外線):IR﹑SIR﹑VIR﹑HIR

E.紅外線接收管:PT

F.光電管: PD

2.按組成元素分:

A.二元晶片(磷﹑鎵):H﹑G等

B.三元晶片（磷﹑鎵﹑砷）:SR﹑HR﹑UR等

C.四元晶片(磷﹑鋁﹑鎵﹑銦):SRF﹑HRF﹑URF﹑VY﹑HY﹑UY﹑UYS﹑UE﹑HE、UG

(詳見下表介紹)

led晶片型號(hào)發(fā)光顏色組成元素波長(nm)晶片型號(hào)發(fā)光顏色組成元素波長(nm)

SBI藍(lán)色lnGaN/sic 430 HY超亮黃色AlGalnP 595

SBK較亮藍(lán)色lnGaN/sic 468 SE高亮桔色GaAsP/GaP610

DBK較亮藍(lán)色GaunN/Gan470 HE超亮桔色AlGalnP 620

SGL青綠色lnGaN/sic 502 UE最亮桔色AlGalnP 620

DGL較亮青綠色LnGaN/GaN505 URF最亮紅色AlGalnP 630

DGM較亮青綠色lnGaN 523 E桔色GaAsP/GaP635

PG純綠GaP 555 R紅色GAaAsP 655

SG標(biāo)準(zhǔn)綠GaP 560 SR較亮紅色GaA/AS 660

G綠色GaP 565 HR超亮紅色GaAlAs 660

VG較亮綠色GaP 565 UR最亮紅色GaAlAs 660

UG最亮綠色AIGalnP 574 H高紅GaP 697

Y黃色GaAsP/GaP585 HIR紅外線GaAlAs 850

VY較亮黃色GaAsP/GaP585 SIR紅外線GaAlAs 880

UYS最亮黃色AlGalnP 587 VIR紅外線GaAlAs 940

UY最亮黃色AlGalnP 595 IR紅外線GaAs 940

1.led晶片廠商名稱: A.光磊(ED) B.國聯(lián)(FPD) C.鼎元(TK) D.華上(AOC)

E.漢光(HL) F.AXT G.廣稼

2.led晶片在生產(chǎn)使用過程中需注意靜電防護(hù)2100433B

晶片機(jī)械強(qiáng)度是晶片抗破碎與翹曲的內(nèi)在力學(xué)性能。

中文名稱

晶片機(jī)械強(qiáng)度

英文名稱

mechanical strength of slices

定　　義

晶片抗破碎與翹曲的內(nèi)在力學(xué)性能。

應(yīng)用學(xué)科

材料科學(xué)技術(shù)（一級(jí)學(xué)科），半導(dǎo)體材料（二級(jí)學(xué)科），元素半導(dǎo)體材料（三級(jí)學(xué)科）

硅晶片摻雜

硅錠生長需要大塊的純凈多晶硅，將這些塊狀物連同少量的特殊III、V族元素放置在石英坩堝中，這稱為摻雜。加入的摻雜劑使那些長大的硅錠表現(xiàn)出所需要的電特性。最普通的摻雜劑是硼、磷、砷和銻。因使用的摻雜劑不同，會(huì)成為一個(gè)P型或N型的硅錠（P型/硼，N型/磷、銻、砷）。

硅晶片熔融

然后將這些物質(zhì)加熱到硅的熔點(diǎn)——攝氏1420度之上。一旦多晶硅和摻雜劑混合物熔解，便將單晶硅種子放在熔解物的上面，只接觸表面。種子與要求的成品硅錠有相同的晶向。為了使摻雜均勻，子晶和用來熔化硅的坩堝要以相反的方向旋轉(zhuǎn)。一旦達(dá)到晶體生長的條件，子晶就從熔化物中慢慢被提起。生長過程開始于快速提拉子晶，以便使生長過程初期中子晶內(nèi)的晶缺陷降到最少。然后降低拖拉速度，使晶體的直徑增大。當(dāng)達(dá)到所要求的直徑時(shí)，生長條件就穩(wěn)定下來以保持該直徑。因?yàn)榉N子是慢慢浮出熔化物的，種子和熔化物間的表面張力在子晶表面上形成一層薄的硅膜，然后冷卻。冷卻時(shí)，已熔化硅中的原子會(huì)按照子晶的晶體結(jié)構(gòu)自我定向。硅錠完全長大時(shí)，它的初始直徑要比最終晶圓片要求的直徑大一點(diǎn)。

硅晶片切割

接下來硅錠被刻出一個(gè)小豁口或一個(gè)小平面，以顯示晶向。一旦通過檢查，就將硅錠切割成晶圓片。由于硅很硬，要用金剛石鋸來準(zhǔn)確切割晶圓片，以得到比要求尺寸要厚一些的晶片。金剛石鋸也有助于減少對(duì)晶圓片的損傷、厚度不均、彎曲以及翹曲缺陷。

硅晶片研磨

切割晶圓片后，開始進(jìn)入研磨工藝。研磨晶圓片以減少正面和背面的鋸痕和表面損傷。同時(shí)打薄晶圓片并幫助釋放切割過程中積累的應(yīng)力。

硅晶片刻蝕和清洗

研磨后，進(jìn)入刻蝕和清洗工藝，使用氫氧化鈉、乙酸和硝酸的混合物以減輕磨片過程中產(chǎn)生的損傷和裂紋。關(guān)鍵的倒角工藝是要將晶圓片的邊緣磨圓，徹底消除將來電路制作過程中破損的可能性。倒角后，要按照最終用戶的要求，經(jīng)常需要對(duì)邊緣進(jìn)行拋光，提高整體清潔度以進(jìn)一步減少破損。拋光(化學(xué)機(jī)械拋光，Chemical Mechanical Polishing)　生產(chǎn)過程中最重要的工藝是拋光晶圓片，此工藝在超凈間中進(jìn)行。超凈間從一到一萬分級(jí)，這些級(jí)數(shù)對(duì)應(yīng)于每立方米空間中的顆粒數(shù)。這些顆粒在沒有控制的大氣環(huán)境下肉眼是不可見的。例如起居室或辦公室中顆粒的數(shù)目大致在每立方米五百萬個(gè)。為了保持潔凈水平，生產(chǎn)工人必須穿能蓋住全身且不吸引和攜帶顆粒的潔凈服。在進(jìn)入超凈間前，工人必須進(jìn)入吸塵室內(nèi)以吹走可能積聚的任何顆粒。硅晶片大多數(shù)生產(chǎn)型晶圓片都要經(jīng)過兩三次的拋光,拋光料是細(xì)漿或者拋光化合物。多數(shù)情況下，晶圓片僅僅是正面拋光，而300毫米的晶圓片需要雙面拋光。除雙面拋光以外，拋光將使晶圓片的一面象鏡面一樣。拋光面用來生產(chǎn)電路，這面必須沒有任何突起、微紋、劃痕和殘留損傷。

拋光過程分為兩個(gè)步驟，切削和最終拋光。這兩步都要用到拋光墊和拋光漿。切削過程是去除硅上薄薄的一層，以生產(chǎn)出表面沒有損傷的晶圓片。最終拋光并不去除任何物質(zhì)，只是從拋光表面去除切削過程中產(chǎn)生的微坑。拋光后，晶圓片要通過一系列清洗槽的清洗，這一過程是為去除表面顆粒、金屬劃痕和殘留物。之后，要經(jīng)常進(jìn)行背面擦洗以去除最小的顆粒。這些晶圓片經(jīng)過清洗后，將他們按照最終用戶的要求分類，并在高強(qiáng)度燈光或激光掃描系統(tǒng)下檢查，以便發(fā)現(xiàn)不必要的顆?；蚱渌毕?。一旦通過一系列的嚴(yán)格檢測，最終的晶圓片即被包裝在片盒中并用膠帶密封。然后把它們放在真空封裝的塑料箱子里，外部再用防護(hù)緊密的箱子封裝，以確保離開超凈間時(shí)沒有任何顆粒和濕氣進(jìn)入片盒。