中文名 | MEMS精密激光加工設(shè)備 | 產(chǎn)????地 | 中國 |
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學(xué)科領(lǐng)域 | 物理學(xué)、電子與通信技術(shù) | 啟用日期 | 2017年9月21日 |
所屬類別 | 工藝試驗(yàn)儀器 > 電子工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 > 半導(dǎo)體集成電路工藝實(shí)驗(yàn)設(shè)備 |
激光打孔,可加工盲孔和通孔,可加工硅、玻璃、石英玻璃等材料。
孔徑精度優(yōu)于±10um;定位精度優(yōu)于5um。
射蠟機(jī),空壓機(jī),淋沙機(jī),浮沙桶,漿桶,脫蠟釜,蠟靜止桶,保溫桶,焙燒爐,中頻爐,震殼機(jī),切割機(jī),打磨機(jī),拋丸機(jī),光譜儀,氬弧焊機(jī)等。這是硅溶膠工藝的
你得先知道啥是鈑金。鈑金是針對金屬薄板(通常在6mm以下)一種綜合冷加工工藝,包括剪、沖/切/復(fù)合、折、焊接、鉚接、拼接、成型(如汽車車身)等。其顯著的特征就是同一零件厚度一致。鈑金精...
通常將加工精度在 0.1-1μ m, 加工表面粗糙度Ra在 0.02-0.1μ m 之間的加工方法稱為精密加工。精密加工屬于機(jī)械加工里的精加工,按被加工的工件處于的溫度狀態(tài),分為冷加工和熱加工。一般在...
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評分: 4.5
中職教育教學(xué)改革涉及的內(nèi)容十分廣泛,其中精品課程建設(shè)是重要的組成部分。本文以創(chuàng)建激光加工設(shè)備省級精品課程為例,探討了在中職院校開展精品課程建設(shè)的內(nèi)涵和措施,并對精品課程建設(shè)提出了建議。
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評分: 4.6
近日,湖北省科技廳在武漢主持召開了由華中科技大學(xué)聯(lián)合深圳光華激光技術(shù)有限公司和武漢華源拓銀激光科技有限公司共同完成的“DPSS紫外激光撓性電路板(FPC)切割系統(tǒng)及工藝”項(xiàng)目技術(shù)鑒定會。
我們今天所知道的MEMS開關(guān)的概念是在20世紀(jì)80年代末期90年代初期被提出的。第一份公開發(fā)表的論文只是提出了MEMS器件的概念,同時指出了器件設(shè)計(jì)面臨的一些挑戰(zhàn)以及它的潛在應(yīng)用(Koester et al. 1996)。尤其是MEMS開關(guān)對射頻工程師具有巨大的吸引力,它們的潛力包括減少芯片的總面積、功耗和器件成本。一個RF MEMS開關(guān)的照片如圖1中所示。MEMS器件最初被唯一的制作在硅襯底上是因?yàn)榧呻娐芬彩潜恢圃煸诠枭?。硅材料的屬性和硅上的制造工藝已?jīng)為我們所熟知。
在MEMS開關(guān)發(fā)明之前,高頻轉(zhuǎn)換都是由發(fā)明于20世紀(jì)70年代的機(jī)械式或者干簧繼電器來完成的。最近十年,MEMS技術(shù)取得了飛速發(fā)展,出現(xiàn)了一大批新型傳感器、微機(jī)械、微結(jié)構(gòu)和控制元件,有些器件和結(jié)構(gòu)已實(shí)現(xiàn)了商業(yè)化,而有些即將被推入市場。MEMS技術(shù)提高了轉(zhuǎn)換效率,最早的MEMS開關(guān)是Petersen于1979年研制的0.35 μm厚、金屬包覆的靜電懸臂梁開關(guān)。但由于制作工藝的限制,此后的十年里MEMS開關(guān)沒有取得太大的進(jìn)展。直到20世紀(jì)90年代,MEMS開關(guān)才獲得了巨大發(fā)展。1991年,Larson制作了旋轉(zhuǎn)傳輸線式開關(guān)。1995年,Yao采用表面微加工工藝制作懸臂梁開關(guān)。1996年,Goldsmith研制出低閾值電壓的膜開關(guān)。為了降低開關(guān)的閾值電壓,提高開關(guān)的開態(tài)穩(wěn)定性和能量處理能力,1998年P(guān)achero設(shè)計(jì)了螺旋型懸臂式和大激勵極板的MEMS開關(guān)結(jié)構(gòu)。開關(guān)是微波信號變換的關(guān)鍵元件。和傳統(tǒng)的P-I-N二極管開關(guān)及FET 開關(guān)相比,由于消除了P-N結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié),MEMS開關(guān)具有以下優(yōu)點(diǎn):
(1) 減小了歐姆接觸中的接觸電阻和擴(kuò)散電阻,顯著地降低了器件的歐姆損耗,高電導(dǎo)率金屬膜能以極低的損耗傳輸微波信號;
(2) 消除了由于半導(dǎo)體結(jié)引起的"para" label-module="para">
(3) RF MEMS開關(guān)靜電驅(qū)動僅需極低的瞬態(tài)能量,其典型值大約是10 nJ。當(dāng)然,MEMS開關(guān)微秒級的開關(guān)速度使他們無法應(yīng)用于高速領(lǐng)域。
由于沒有非線性,減少了開關(guān)諧波分量,提高了開關(guān)處理能力。因此,MEMS開關(guān)線性度佳、隔離度高;驅(qū)動功耗低;工作頻帶寬,截止頻率高(一般大于1 000 GHz)。MEMS開關(guān)主要采用靜電驅(qū)動,從其在電路中的應(yīng)用,可分成金屬-金屬接觸的電阻接觸串聯(lián)開關(guān)和金屬-絕緣-金屬接觸的電容耦合并聯(lián)開關(guān)。
相對于其他的MEMS器件及系統(tǒng)研究,射頻微電子機(jī)械系統(tǒng)(RF MEMS)是近年出現(xiàn)的新研究領(lǐng)域,所謂RF MEMS就是利用MEMS技術(shù)制作各種用于無線通訊的射頻器件或系統(tǒng)。RF MEMS包括應(yīng)用于無線通訊領(lǐng)域的各種無源器件如:高Q值諧振器、濾波器、RF MEMS開關(guān)、微型天線以及電感、電容等。
MEMS器件很快在射頻性能上超過固態(tài)電子器件,即使早期的MEMS器件在20GHz時的開態(tài)插入損耗也只有0.15dB,在相同頻率下的一個典型GaAs-FET或PIN二極管的插入損耗接近1dB。
在低于1GHz頻率的應(yīng)用情況中,固態(tài)電子開關(guān)仍然是首選。它們很便宜、低損耗、易于集成,應(yīng)用廣泛。固態(tài)電子開關(guān)在千兆赫茲以上時,損耗開始增加,并變得難于集成進(jìn)開關(guān)。這時候MEMS開關(guān)的優(yōu)勢就變得明顯起來。它們既沒有固態(tài)電子開關(guān)快,可靠性也不高,但它們在電氣性能上比固態(tài)電子開關(guān)更勝一籌。MEMS開關(guān)即使在40GHz時,插入損耗也很容易達(dá)到0.1dB。開關(guān)時間一般在幾十微秒,循環(huán)次數(shù)達(dá)到幾十億次。近年來,處理功率達(dá)到幾瓦的開關(guān)也已被報道。
比較參數(shù) |
RF MEMS開關(guān) |
PIN二極管 |
FET晶體管 |
電壓(V) |
20-80 |
3-5 |
|
電流(mA) |
0 |
0-20 |
0 |
功耗(mW) |
5-100 |
-0.5-0.1 |
|
開關(guān)時間 |
1-300微秒 |
1-100納秒 |
1-100納秒 |
串聯(lián)電容(fF) |
1-6 |
40-80 |
70-140 |
串聯(lián)電阻(Ω) |
0.5-2 |
2-4 |
4-6 |
10 |
N/A |
||
開關(guān)頻率(THz) |
20-80 |
1-4 |
0.5-2 |
隔離度(1-10GHz) |
非常高 |
高 |
中等 |
隔離度(10-40GHz) |
非常高 |
中等 |
低 |
隔離度(60-100GHz) |
高 |
中等 |
無 |
插入損耗(1-100GHz)(dB) |
0.05-0.2 |
0.3-1.2 |
0.4-2.5 |
功率處理(W) |
|||
三階交調(diào)截取(dBm) |
66-80 |
27-45 |
27-45 |