模擬/射頻集成電路設(shè)計(jì)的晶體管級建?；拘畔?/h3>

書????名 模擬/射頻集成電路設(shè)計(jì)的晶體管級建模 出版社 科學(xué)出版社
出版時(shí)間 2007-1-1 作????者 格賓斯基(Grabinski，W.)

器件的模型一直是模擬/射頻集成電路工程師關(guān)心的問題。是否能建立一個(gè)盡可能反映器件行為的模型關(guān)系到整個(gè)集成電路設(shè)計(jì)的成敗。本書內(nèi)容豐富，從主流模型的討論到小尺寸器件模型和量子效應(yīng)的介紹，從模型參數(shù)的提取方法到模型在硬件描述語言中的應(yīng)用等方面都作了詳細(xì)的論述。本書對設(shè)計(jì)工程師和器件工程師都有很好的參考價(jià)值。

晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān)，基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關(guān)，和一般機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制，而且開關(guān)速度可以非常之快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。

場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高(10^8~10^9Ω)、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。

模擬/射頻集成電路設(shè)計(jì)的晶體管級建模造價(jià)信息

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信息價(jià)		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時(shí)間
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Foreword

Hiroshi Iwai

Introduction

Wladek Grabinski, Bart Nauwelaers and Dominique Schreurs

1 2/3-D process and device simulation. An effective tool for better understanding of internal behavior of semiconductor structures

Daniel Donoval, Andrej Vrbicky, Ales Chvala, and Peter Beno

2 PSP: An advanced surface-potential-based MOSFET model

R. van Langevelde, and G. Gildenblat

3 EKV3.0: An advanced charge based MOS transistor model. A design-oriented MOS transistor compact model for next generation CMOS

Matthias Bucher, Antonios Bazigos, Francois Krummenacher,Jean-Micehl Sallese, and Christian Enz

4 Modelling using high-frequency measurements

Dominique Schreurs

5 Empirical FET models

模擬/射頻集成電路設(shè)計(jì)的晶體管級建模圖書簡介

作 者:(瑞士)格賓斯基(Grabinski，W.)等編著出 版 社:科學(xué)出版社

出版時(shí)間:2007-1-1

版 次:1頁 數(shù):293字 數(shù):481000

印刷時(shí)間:2007-1-1開 本:紙 張:膠版紙

印 次:I S B N:9787030182418包 裝:平裝

模擬/射頻集成電路設(shè)計(jì)的晶體管級建模常見問題

模擬/射頻集成電路設(shè)計(jì)的晶體管級建模文獻(xiàn)

廈門集成電路設(shè)計(jì)流片補(bǔ)貼項(xiàng)目 廈門集成電路設(shè)計(jì)流片補(bǔ)貼項(xiàng)目

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廈門集成電路設(shè)計(jì)流片補(bǔ)貼項(xiàng)目 申 報(bào) 表 (2018 上半年 ) 申請單位 (簽章 )： 項(xiàng)目聯(lián)系人 ： 項(xiàng)目負(fù)責(zé)人 ： 通 訊地 址： 郵 政 編 碼 ： 聯(lián) 系 電 話 ： 移 動(dòng) 電 話 ： 申 請日 期： 電 子郵 件： 二 0一八年九月 目錄 1、廈門集成電路設(shè)計(jì)流片補(bǔ)貼資金申請表 (包括 MPW、工 程批 ) 2、申請補(bǔ)貼資金明細(xì)表 3、企業(yè)基本情況 4、產(chǎn)品研發(fā)說明 5、芯片版圖縮略圖 (需用彩印 ) 6、流片加工發(fā)票復(fù)印件 7、流片合同復(fù)印件 8、付款憑證（境外加工的需提供報(bào)關(guān)單或委外加工證明） 9、正版軟件使用證明（需用原件） 10、2017年度財(cái)務(wù)審計(jì)報(bào)告、 6月份財(cái)務(wù)報(bào)表 （現(xiàn)金流量表、 損益表、資產(chǎn)負(fù)債表） （需用原件） 11、企業(yè)營業(yè)執(zhí)照、稅務(wù)登記證或三證合一復(fù)印件 12、產(chǎn)品外觀照片等相關(guān)材料 廈門集成電路設(shè)計(jì)流片補(bǔ)貼資金申請表 類別 :MPW□ /工程批

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測試服務(wù)指引-蘇州中科集成電路設(shè)計(jì)中心蘇州中科集成電路設(shè)計(jì)中心 測試服務(wù)指引-蘇州中科集成電路設(shè)計(jì)中心蘇州中科集成電路設(shè)計(jì)中心

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評分： 4.4

測試服務(wù)指南 Suzhou CAS IC Design Center 蘇州中科集成電路設(shè)計(jì)中心 Page 1 of 2 測試服務(wù)指南 （ IC 測試部） 1. 測試服務(wù)類型 1.1 測試技術(shù)服務(wù) 9 IC 驗(yàn)證測試：在硅芯片級和系統(tǒng)級上進(jìn)行 IC 驗(yàn)證和調(diào)試，查找設(shè)計(jì)和工藝問題引 起的芯片錯(cuò)誤 9 IC 特性測試： IC 特性分析，為 IC Datasheet 提供數(shù)據(jù) 9 IC 生產(chǎn)測試： IC 產(chǎn)品測試和篩選 9 IC 測試程序開發(fā) 9 DIB 設(shè)計(jì)和制作 9 測試技術(shù)支持 ? 測試向量轉(zhuǎn)換 ? 測試技術(shù)咨詢 ? DFT （可測試性設(shè)計(jì)）和 DFD（可調(diào)試性設(shè)計(jì)）設(shè)計(jì)咨詢 9 測試技術(shù)培訓(xùn) ? 測試方法、測試設(shè)備、測試開發(fā)、測量等基礎(chǔ)技術(shù)培訓(xùn) ? 測試機(jī)臺(tái)技術(shù)培訓(xùn) ? 測試程序開發(fā)技術(shù)培訓(xùn) 1.2 測試機(jī)時(shí)租賃 9 V93000 數(shù)字、模擬和混合信號集成電路測試系統(tǒng) 9

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《射頻電路和射頻集成電路設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵課題》總共十二章，涵蓋六個(gè)關(guān)鍵性的課題：1）阻抗匹配；2）射頻接地；3）單端和差分線路；4）誤差分析；5）展望射頻集成電路設(shè)計(jì)；6）射頻電路的基本參數(shù)和指標(biāo)。

射頻電路設(shè)計(jì)中最大的特點(diǎn)是阻抗匹配。沒有阻抗匹配的電路設(shè)計(jì)就不是射頻電路設(shè)計(jì)。阻抗匹配也是射頻電路設(shè)計(jì)和數(shù)碼電路設(shè)計(jì)的主要差別之處。由于它的重要性, 《射頻電路和射頻集成電路設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵課題》的第一章和第二章比較詳細(xì)地討論了這一關(guān)鍵性課題。其余的章節(jié)是在射頻電路設(shè)計(jì)中最需要的基本知識(shí)，包括：什么是射頻電路的基本參數(shù)？為什么目前在射頻和射頻集成電路設(shè)計(jì)中出現(xiàn)從單端轉(zhuǎn)化為差分結(jié)構(gòu)的趨勢？射頻集成電路設(shè)計(jì)的主要難題是什么？如何克服這些障礙"para" label-module="para">

《射頻電路和射頻集成電路設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵課題》有兩個(gè)特色。

首先，在已出版了的大多數(shù)射頻電路和射頻集成電路設(shè)計(jì)的書中,其內(nèi)容是討論一個(gè)個(gè)射頻電路單元,譬如,低噪聲放大器,混頻器,功率放大器, 壓控振蕩器,頻率綜合器。因此，可以把它們歸類為縱向論述的書?！渡漕l電路和射頻集成電路設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵課題》則不是討論一個(gè)個(gè)射頻電路單元, 而是著重論述和強(qiáng)調(diào)在射頻電路和射集成電路設(shè)計(jì)中共同的關(guān)鍵性課題，因此，這是一本橫向論述的書。其次，盡管有些內(nèi)容是引自出版了的書刊和文獻(xiàn)。在本講座中不少內(nèi)容是引自《射頻電路和射頻集成電路設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵課題》作者的設(shè)計(jì)和工作報(bào)告。

《射頻電路和射頻集成電路設(shè)計(jì)中的關(guān)鍵課題》可作為以下讀者在射頻電路和射頻集成電路的設(shè)計(jì)，研究和學(xué)習(xí)中的參考書：

射頻電路和射頻集成電路設(shè)計(jì)工程師,測試工程師,系統(tǒng)工程師和經(jīng)理；

射頻電路和射頻集成電路的有關(guān)研究人員；

射頻電路和射頻集成電路有關(guān)專業(yè)的大學(xué)本科生，研究生和教授。

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書籍

通信書籍

《射頻與微波晶體管放大器基礎(chǔ)》全面講解了射頻與微波晶體管放大器的各種類型，包括低噪聲、窄帶、寬帶、線性、高功率、高效率、高壓放大器，以及離散、單片集成與混合集成放大器。主要的研究主題包括晶體管建模、分析、設(shè)計(jì)、表征、測量、封裝、熱設(shè)計(jì)及制造技術(shù)。本書特別強(qiáng)調(diào)理論與實(shí)踐的結(jié)合，讀者將了解并學(xué)會(huì)解決與放大器相關(guān)的各類設(shè)計(jì)問題，從放大器的匹配網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)、偏置電路設(shè)計(jì)到穩(wěn)定性分析等。超過160道的習(xí)題有助于提高讀者對基本的放大器和電路設(shè)計(jì)技巧的掌握。

《射頻與微波晶體管放大器基礎(chǔ)》注重理論、聯(lián)系實(shí)踐，可作為高等院校電子信息工程專業(yè)的高年級本科生或研究生的教材，也可作為廣大教師、科研工作者和從事相關(guān)工作的專業(yè)技術(shù)人員的參考手冊。

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前言第1章 模擬結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ) 1.1 模擬結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)知識(shí) 1.1.1 半導(dǎo)體器件在模擬結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)計(jì)中的作用 1.1.2 模擬結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)計(jì)的輔助定理 1.1.3 鏈矩陣 1.1.4 信號源的轉(zhuǎn)移 1.2 模擬結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)計(jì)的內(nèi)涵第2章 模擬結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)計(jì)方法 2.1 Nullor 2.1.1 Nullor的概念 2.1.2 Nullor的綜合 2.2 模擬結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)計(jì)的原則 2.2.1 簡單原則 2.2.2 正交原則 2.2.3 層次原則 2.3 模擬結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)計(jì)的架構(gòu) 2.4 模擬結(jié)構(gòu)集成電路設(shè)計(jì)的流程 2.4.1 設(shè)計(jì)的出發(fā)點(diǎn)—電路的性能指標(biāo) 2.4.2 宏觀設(shè)計(jì)—電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的篩選 2.4.3 Nullor的外圍電路設(shè)計(jì) 2.4.4 設(shè)計(jì)Nullor的輸入級——噪聲 2.4.5 設(shè)計(jì)Nullor的輸出級——失真 2.4.6 電路的帶寬估計(jì) 2.4.7 電路的頻率補(bǔ)償 2.4.8 電路的偏置設(shè)計(jì) 2.4.9 電路的性能折中第3章 電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu) 3.1 電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的選擇 3.2 負(fù)反饋放大器的拓?fù)?

導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體與絕緣體之間材料，我們稱之為半導(dǎo)體。在電子器件中，常用的半導(dǎo)體材料有：元素半導(dǎo)體，如硅（Si）、鍺（Ge）等；化合物半導(dǎo)體，如砷化鎵（GaAs）等；以及摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料，如硼（B）、磷（P）、錮（In）和銻（Sb）等。

反饋又稱回饋，是控制論的基本概念，指將系統(tǒng)的輸出返回到輸入端并以某種方式改變輸入，進(jìn)而影響系統(tǒng)功能的過程。反饋可分為負(fù)反饋和正反饋。前者使輸出起到與輸入相反的作用，使系統(tǒng)輸出與系統(tǒng)目標(biāo)的誤差減小，系統(tǒng)趨于穩(wěn)定；后者使輸出起到與輸入相似的作用，使系統(tǒng)偏差不斷增大，使系統(tǒng)振蕩，可以放大控制作用。對負(fù)反饋的研究是控制論的核心問題。另外有電流負(fù)反饋的理論。

基爾霍夫定律是德國物理學(xué)家基爾霍夫提出的?；鶢柣舴蚨墒请娐防碚撝凶罨疽彩亲钪匾亩芍?。它概括了電路中電流和電壓分別遵循的基本規(guī)律。它包括基爾霍夫電流定律（KCL）和基爾霍夫電壓定律（KVL）。2100433B

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