下面以閃鋅礦為例來看一看硫化礦物的能帶結構。圖3是閃鋅礦的能帶結構。費米能級以下是價帶,費米能級以上是導帶,導帶與價帶之間是禁帶。由圖3可見閃鋅礦導帶最低點和價帶最高點都位于Gamma點,表明閃鋅礦是直接帶隙半導體。閃鋅礦的價帶主要由三部分組成,其中位于-11.70 eV附近的價帶部分主要是由硫原子3s和部分鋅原子4s軌道組成;位于-5.90 eV附近的價帶部分由鋅原子3d軌道和部分硫原子3p軌道構成;價帶的其余部分由硫原子3p和鋅原子4s軌道構成。閃鋅礦的導帶主要是由硫原子3p和鋅原子4s軌道構成。電子轉移方向是從高能級流向低能級,因此高能級軌道具有還原性,低能級軌道具有氧化性。在能帶圖上,能級越低,越穩(wěn)定。 2100433B

能帶結構造價信息

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根據(jù)半導體中電子從價帶躍遷到導帶的路徑不同,可以將半導體分為直接帶隙半導體和間接帶隙半導體。圖2(a)顯示的躍遷中,電子的波矢可以看作是不變的,對應電子躍遷發(fā)生在導帶底和價帶頂在k空間相同點的情況,導帶底和價帶頂處于k空間相同點的半導體通常被稱為直接帶隙半導體。從圖2中(b)顯示的電子躍遷路徑中可以看出,電子在躍遷時k值發(fā)生了變化,這意味著電子躍遷前后在k空間的位置不一樣了,導帶底和價帶頂處于不同k空間點的半導體通常被稱為間接帶隙半導體。對于間接帶隙半導體會導致極大的幾率將能量釋放給晶格,轉化為聲子,變成熱能釋放掉,而直接帶隙中的電子躍遷前后只有能量變化,而無位置變化,于是便有更大的幾率將能量以光子的形式釋放出來。因此在制備光學器件中,通常選用直接帶隙半導體,而不是間接帶隙半導體。

能帶理論定性地闡明了晶體中電子運動的普遍特點,簡單來說固體的能帶結構主要分為導帶、價帶和禁帶三部分如概述圖所示。原子中每一電子所在能級在固體中都分裂成能帶。這些允許被電子占據(jù)的能帶稱為允帶。允帶之間的范圍是不允許電子占據(jù)的,這一范圍稱為禁帶。因為電子的能量狀態(tài)遵守能量最低原理和泡利不相容原理,所以內(nèi)層能級所分裂的允帶總是被電子先占滿,然后再占據(jù)能量更高的外面一層允帶。被電子占滿的允帶稱為滿帶。原子中最外層電子稱為價電子,這一殼層分裂所成的能帶稱為價帶。比價帶能量更高的允許帶稱為導帶;沒有電子進入的能帶稱為空帶。任一能帶可能被電子填滿,也可能不被填滿,滿帶電子是不導電的。泡利不相容原理認為,每個能級只能容納自旋方向相反的兩個電子,在外加電場上,這兩個自旋相反的電子受力方向也相反。它們最多可以互換位置,不可能出現(xiàn)沿電場方向的凈電流,所以說滿帶電子不導電。同理,未被填滿的能帶就能導電。金屬之所以有導電性就是因為其價帶電子是不滿的。

圖1中(a)表示絕緣體的能帶結構,絕緣體的能帶結構特點在于導帶和價帶之間的帶寬比較大,價帶電子難以激發(fā)躍遷到導帶,導帶成為電子空帶,而價帶成為電子滿帶,電子在導帶和價帶中都不能遷移。因此絕緣體不能導電,一般而言當禁帶寬度大于9 eV時,固體基本不能導電。而對于圖1中(b)所示的半導體能帶結構,其禁帶寬度較小,通常在0~3 eV之間,此時價帶電子很容易躍遷到導帶上,同時在價帶上形成相應的正電性空穴,導帶上的電子和價帶中的空穴都可以自由運動,形成半導體的導電載流子。對于圖1中(c)所示的金屬能帶結構,導帶和價帶之間發(fā)生重疊,禁帶消失,電子可以無障礙地達到導帶,形成導電能力。同體的能帶結構決定了固體中電子的排布、運動規(guī)律及導電能力,因此研究固體的能帶結構能夠獲得固體中電子的一些重要信息和結論。

能帶結構能帶結構分析常見問題

單個自由原子的電子占據(jù)了原子軌道,形成一個分立的能級結構。如果幾個原子集合成分子,他們的原子軌道發(fā)生類似于耦合振蕩的分離。這會產(chǎn)生與原子數(shù)量成比例的分子軌道。當大量(數(shù)量級為1020或更多)的原子集合成固體時,軌道數(shù)量急劇增多,軌道相互間的能量的差別變的非常小。但是,無論多少原子聚集在一起,軌道的能量都不是連續(xù)的。

這些能級如此之多甚至無法區(qū)分。首先,固體中能級的分離與電子和聲原子振動持續(xù)的交換能相比擬。其次,由于相當長的時間間隔,它接近于由于海森伯格的測不準原理引起的能量的不確定度。

物理學中流行的方法是從電子和不帶電的原子核出發(fā),因為它們是一系列自由的平面波組成的波包,可以具有任意能量,并在帶電后衰減。這導致了布拉格反射和帶結構。

能帶結構能帶結構分析文獻

能帶結構的第一性原理計算實驗報告(硅、銅) 能帶結構的第一性原理計算實驗報告(硅、銅)

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硅晶體能帶結構的第一性原理計算 班級:材料科學與工程 3班 學號:3015208064 姓名:黃慧明 一、實驗目的 通過實際操作初步的了解和掌握 Materials Studio,基本掌握 CASTEP模塊 的操作步驟。通過學習 Materials Studio 軟件,能夠獨立的進行簡單的固體結 構模型的構造和相關電子結構的計算和分析。 加深對課堂知識的直觀認識, 包括 能帶結構和相關的基本概念等。 二、實驗原理 第一性原理的理論計算的主要理論基礎是量子力學的基本方程和相對論效 應,在第一性原理發(fā)展過程中,相繼提出變分原理、泡利不相容原理、密度泛函 理論等。其基本思路就是它的基本思想, 是將多原子構成的實際體系理解為由電 子和原子構成的多粒子系統(tǒng), 運用量子力學等基本物理原理最大限度的對問題進 行“非經(jīng)驗”處理。在第一性原理的計算過程中運用了三個近似:非相對論近似 (忽略了電子運動的相對論

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奧運建筑節(jié)能帶給北京能源結構調(diào)整的思考 奧運建筑節(jié)能帶給北京能源結構調(diào)整的思考

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能源與環(huán)境是保證人類社會可持續(xù)發(fā)展的基礎和關鍵,是當今世界各國關注的熱點問題。這一方面是因為我們?nèi)祟惿鐣M步與發(fā)展所依賴的能源是有限的,正在面臨著枯竭的危險,另一方面是因為人類能源消費過程幾乎不可避免地對我們的環(huán)境造成一定的影響。實際上,環(huán)境污染問題的產(chǎn)生大多與用能過程有關。所以,如何提高用能水平,減少能源消費給環(huán)境帶來的污染,改善我們的生存環(huán)境已經(jīng)成為迫在

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固體材料的能帶結構由多條能帶組成,能帶分為傳導帶(簡稱導帶)、價電帶(簡稱價帶)和禁帶等,導帶和價帶間的空隙稱為能隙。

能帶結構可以解釋固體中導體、半導體、絕緣體三大類區(qū)別的由來。材料的導電性是由“傳導帶”中含有的電子數(shù)量決定。當電子從“價帶”獲得能量而跳躍至“傳導帶”時,電子就可以在帶間任意移動而導電。

一般常見的金屬材料,因為其傳導帶與價帶之間的“能隙”非常小,在室溫下 電子很容易獲得能量而跳躍至傳導帶而導電,而絕緣材料則因為能隙很大(通常大于9電子伏特),電子很難跳躍至傳導帶,所以無法導電。一般半導體材料的能隙約為1至3電子伏特,介于導體和絕緣體之間。因此只要給予適當條件的能量激發(fā),或是改變其能隙之間距,此材料就能導電。

描述晶體的電子結構

分子計算中的布居分析方法不能直接應用于能帶計算,分析能帶結構引入了一系列的方法,這些方法一般都表示成圖線,圖線上的數(shù)據(jù)源于對k空間中各個點的計算結果。計算大量的點可以得到很好的圖線,但為了節(jié)省計算時間可以加大取點間隔,然后用內(nèi)插法平滑曲線。通常謹慎的做法是逐次加大取點緊密程度計算幾次,看看圖線是否有顯著變化。

一個重要的問題是,一個給定能級有多少可能的軌道。這可以用態(tài)密度圖(DOS)來表示,?

圖34.2。圖中往往用虛線來表示費米(Fermi)能級。具有半滿能帶的材料是導體,但如果它們只有少量的未充滿的軌道,就可能是不良導體。有時特別軌道對DOS的貢獻會在同一張圖上用陰影區(qū)域或虛線畫出。

另一個問題是被充滿的軌道是成鍵性的還是反鍵性的。這可用晶體軌道重疊分布圖(COOP)來表示,如圖34.3。一般正的成鍵區(qū)域畫在零值線的右邊。

費米能級是填充軌道的最高能級,類似于HOMO能級。如果軌道是半充滿的,其能級就會出現(xiàn)在k空間的點的集合上,稱為費米面。

計算晶體性質

晶體計算方面的進展沒有分子計算方面的多。經(jīng)常計算的一個性質是體積彈性模量,它反映了材料的強度。

在預測熱力學條件下會形成什么產(chǎn)物時,可能需要預測哪種晶體結構最穩(wěn)定,這是一項艱巨的任務。到目前為止,還沒有提出一個完全自動的的方法試遍由特定的元素集合組成的所有可能的晶體結構。即便這種嘗試可以實現(xiàn),進行計算所需要消耗的電能也是巨大的。這樣的研究經(jīng)常用于測試一系列相似的結構,結果無論如何總是正確的。能量最小化也會用到,但須保證起始結構具有正確的對稱性。

缺陷計算

有時并不只對無限體系感興趣,更關心于晶體中的異類物質,比如晶體吸收的額外的原子。

這時晶體的無限平移對稱性并不嚴格正確。最廣泛應用的模擬方法是Mott-Littleton缺陷方法,這是用來進行晶格局部區(qū)域能量最小化的一種方法。這種方法包含了對晶體中其余部分所受的極化的連續(xù)性描述。

在分子中可能的電子能級是分立的、量子化的。但分子變得更大時,這些能級相互就會靠得更近。在晶體里能級之間靠得非常近以致于形成了連續(xù)的帶子,這些帶子的能量具有實際的利用目的。因此,晶體的電子結構可以用其能帶結構來描述。

能帶的數(shù)學描述無限晶體的電子結構用能帶圖來描述,能帶圖給出k空間--叫作布里(Brillouin)淵區(qū)--中各點的電子軌道的能量。這與角分辨光電子能譜實驗結果相一致。

k空間不是一個物理空間,它是對軌道成鍵性質的一種描述。一個無限長的原子鏈中,軌道?

相位可以是從全成鍵到全反鍵(這兩個極端情況分

別記為k=0和k=π/a)之間的任何狀態(tài)。其中有時是一條直線有三個成鍵原子再接著一個反?

的原子的結合方式或者其他什么結合方式。定義了

k空間后,對于某些原子k=0對應于全成鍵的對稱性,而對于其他原子則是全反鍵對稱的,這

取決于原子軌道的對稱性。

對于三維晶體k空間是三維的,(kx,ky,kz)。k空間中的某些點具有特定的名稱。在各維

空間中,符號"Γ"指的都是k=0的點,"Μ"指的

都是k=π/a的點。"Χ"、"Y"、"Κ"和"Α"指的是k=0在某些方向上以及k=π/a在其

他方向上的點,這取決于晶體的對稱性。典型的能

帶結構圖--稱為spaghetti圖--畫出了沿著這些k點所對應的軌道能量,見圖34.1。這些

符號在參考文獻中有更相詳細地討論。

由于軌道展開成了能帶,用于形成σ鍵或σ反鍵的軌道就展開成更寬的能帶,π軌道則形成

更窄的能帶,而δ軌道則形成最窄的軌道。

計算帶隙

有時候研究者只需要知道晶體的帶隙。一旦一條完整的能帶計算出來,通過觀察自然就很容

易知道帶隙了。但是計算全部能帶可能會花費大量的工作,得到許多不必要的信息。估算帶隙有一些方法,但并不完全可靠。

只在布里淵區(qū)的Μ、Κ、Χ和Γ點進行能帶結構計算還不足以形成一條能帶,因為任何給定的能帶的能量極小點和極大點有時會落在這些k點之間。如果計算方法需要較高級別的CPU計算,有時就會進行這樣的有限計算。例如,在確定?否有必要進行高級別的完全計算時,就有可能先進行這種選點的高級別計算。

有些研究者用分子的計算結果來估計從HOMO到LUMO的帶隙。當分子變得更大時,這種帶隙會變得更小,因此就有可能對一些按大小遞增的分子進行量子力學計算,然后通過外推預測無限體系的帶隙,這對于通常不是晶體的聚合物很有用。這些體系也用到一維能帶結構,因此必須假定它們是晶體或者至少是高度的有序的。

計算能帶結構

從頭算和半經(jīng)驗計算可以得出能量,因而可以用來計算能帶結構。但是如果計算一個分子的能量耗時較長,那么計算布里淵區(qū)的一系列點則耗時更長,要是不需要太精確的結果,可以選用擴展休克爾方法來計算。在能帶計算中擴展休克爾方法有時叫作緊束縛近似。近年來更傾向于使用從頭算或密度泛函(DFT)方法。

就象分子計算那樣,從頭算需要用基組和一定的方法來計算能量,但計算能帶時基組的選擇與計算分子時有些不同。擁有彌散函數(shù)的大基組在相鄰的晶胞之間由于存在較大的重疊而發(fā)生收縮,這會造成線性相關性,使得方程不能自洽求解,為此常常用中小基組來解決上述問題。用于分子計算的原子軌道線性組合(LCAO)方案也可用于晶體的計算,但這并不是唯一的選擇。

事實上,以原子為中心的基函數(shù)組成布洛赫(Bloch)函數(shù),布洛赫(Bloch)函數(shù)滿足體系的平移對稱性,但仍然使用LCAO的叫法。

其他有關基組的流行方法時平面波函數(shù)方法。之所以提出平面波是因為平面波反映了晶體的無限平移對稱性。最早的平面波計算假定薛定諤方程在每個原子的附近區(qū)域是球對稱的(松餅罐頭勢),但卻無法保證電荷守恒。對于離子晶體松餅罐頭計算能給出合理結果,但隨著計算技術和硬件的發(fā)展,使人們可以進行更加精確可靠的計算,也就不再采用松餅罐頭方法了。還在使用的一種方法是擴展平面波(APW)方法,是在Vigner-Seitz晶胞上的晶胞計算。某些類型的問題有許多其他基函數(shù)方法。

非常復雜的體系都已經(jīng)進行了能帶結構的計算,然而大多數(shù)軟件都不夠自動化或不夠快,不足以用于臨時進行能帶計算。計算能帶的程序的輸入比大多數(shù)計算分子的程序要復雜得多。分子幾何構型的輸入采用分數(shù)坐標,還必須提供原胞格子矢量和晶體學角度,還可能有必要提供k點的列表及其簡并度。檢查各個輸入中控制收斂的選項對于計算精度的影響是最保險的措施,軟件附帶的手冊可能會給出一些推薦值。研究者要想完成能帶計算應當投入大量時間,尤其在學習使用軟件階段。

正如上面所提到的,隨著時間推移人們傾向的模擬晶體的計算方法是不斷變化的。下面是基函數(shù)方法的列表,按照出現(xiàn)的先后順序排列:

1. 原子軌道線性組合方法(LCAO)

2. 擴展平面波方法(APW)

3. Korringa、Kohn和Rostoker的格林(Green)函數(shù)方法(有時叫作KKR方法)

4. 正交平面波方法(OPW)

5. 贗勢方法

6. 各種近似或經(jīng)驗方法

任何基于軌道的方法都可用來計算晶體結構,而趨勢是向著更加精確的方法。一些APW和格函數(shù)方法使用了經(jīng)驗參數(shù),因而將它們劃到半經(jīng)驗方法中去。按照使用偏好的順序,最常用的方法是:

1. 半自洽從頭算方法或DFT方法

2. 半經(jīng)驗方法

3. 使用專門的或模擬的勢能的方法

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