中文名 | 能帶結(jié)構(gòu) | 外文名 | band structure |
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又????稱 | 電子能帶結(jié)構(gòu) | 決????定 | 多種特性 |
主要部分 | 導(dǎo)帶、價(jià)帶和禁帶 | 學(xué)????科 | 物理化學(xué) |
能帶理論定性地闡明了晶體中電子運(yùn)動(dòng)的普遍特點(diǎn),簡單來說固體的能帶結(jié)構(gòu)主要分為導(dǎo)帶、價(jià)帶和禁帶三部分如概述圖所示。原子中每一電子所在能級(jí)在固體中都分裂成能帶。這些允許被電子占據(jù)的能帶稱為允帶。允帶之間的范圍是不允許電子占據(jù)的,這一范圍稱為禁帶。因?yàn)殡娮拥哪芰繝顟B(tài)遵守能量最低原理和泡利不相容原理,所以內(nèi)層能級(jí)所分裂的允帶總是被電子先占滿,然后再占據(jù)能量更高的外面一層允帶。被電子占滿的允帶稱為滿帶。原子中最外層電子稱為價(jià)電子,這一殼層分裂所成的能帶稱為價(jià)帶。比價(jià)帶能量更高的允許帶稱為導(dǎo)帶;沒有電子進(jìn)入的能帶稱為空帶。任一能帶可能被電子填滿,也可能不被填滿,滿帶電子是不導(dǎo)電的。泡利不相容原理認(rèn)為,每個(gè)能級(jí)只能容納自旋方向相反的兩個(gè)電子,在外加電場上,這兩個(gè)自旋相反的電子受力方向也相反。它們最多可以互換位置,不可能出現(xiàn)沿電場方向的凈電流,所以說滿帶電子不導(dǎo)電。同理,未被填滿的能帶就能導(dǎo)電。金屬之所以有導(dǎo)電性就是因?yàn)槠鋬r(jià)帶電子是不滿的。
圖1中(a)表示絕緣體的能帶結(jié)構(gòu),絕緣體的能帶結(jié)構(gòu)特點(diǎn)在于導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的帶寬比較大,價(jià)帶電子難以激發(fā)躍遷到導(dǎo)帶,導(dǎo)帶成為電子空帶,而價(jià)帶成為電子滿帶,電子在導(dǎo)帶和價(jià)帶中都不能遷移。因此絕緣體不能導(dǎo)電,一般而言當(dāng)禁帶寬度大于9 eV時(shí),固體基本不能導(dǎo)電。而對于圖1中(b)所示的半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu),其禁帶寬度較小,通常在0~3 eV之間,此時(shí)價(jià)帶電子很容易躍遷到導(dǎo)帶上,同時(shí)在價(jià)帶上形成相應(yīng)的正電性空穴,導(dǎo)帶上的電子和價(jià)帶中的空穴都可以自由運(yùn)動(dòng),形成半導(dǎo)體的導(dǎo)電載流子。對于圖1中(c)所示的金屬能帶結(jié)構(gòu),導(dǎo)帶和價(jià)帶之間發(fā)生重疊,禁帶消失,電子可以無障礙地達(dá)到導(dǎo)帶,形成導(dǎo)電能力。同體的能帶結(jié)構(gòu)決定了固體中電子的排布、運(yùn)動(dòng)規(guī)律及導(dǎo)電能力,因此研究固體的能帶結(jié)構(gòu)能夠獲得固體中電子的一些重要信息和結(jié)論。
下面以閃鋅礦為例來看一看硫化礦物的能帶結(jié)構(gòu)。圖3是閃鋅礦的能帶結(jié)構(gòu)。費(fèi)米能級(jí)以下是價(jià)帶,費(fèi)米能級(jí)以上是導(dǎo)帶,導(dǎo)帶與價(jià)帶之間是禁帶。由圖3可見閃鋅礦導(dǎo)帶最低點(diǎn)和價(jià)帶最高點(diǎn)都位于Gamma點(diǎn),表明閃鋅礦是直接帶隙半導(dǎo)體。閃鋅礦的價(jià)帶主要由三部分組成,其中位于-11.70 eV附近的價(jià)帶部分主要是由硫原子3s和部分鋅原子4s軌道組成;位于-5.90 eV附近的價(jià)帶部分由鋅原子3d軌道和部分硫原子3p軌道構(gòu)成;價(jià)帶的其余部分由硫原子3p和鋅原子4s軌道構(gòu)成。閃鋅礦的導(dǎo)帶主要是由硫原子3p和鋅原子4s軌道構(gòu)成。電子轉(zhuǎn)移方向是從高能級(jí)流向低能級(jí),因此高能級(jí)軌道具有還原性,低能級(jí)軌道具有氧化性。在能帶圖上,能級(jí)越低,越穩(wěn)定。 2100433B
單個(gè)自由原子的電子占據(jù)了原子軌道,形成一個(gè)分立的能級(jí)結(jié)構(gòu)。如果幾個(gè)原子集合成分子,他們的原子軌道發(fā)生類似于耦合振蕩的分離。這會(huì)產(chǎn)生與原子數(shù)量成比例的分子軌道。當(dāng)大量(數(shù)量級(jí)為1020或更多)的原子集合成固體時(shí),軌道數(shù)量急劇增多,軌道相互間的能量的差別變的非常小。但是,無論多少原子聚集在一起,軌道的能量都不是連續(xù)的。
這些能級(jí)如此之多甚至無法區(qū)分。首先,固體中能級(jí)的分離與電子和聲原子振動(dòng)持續(xù)的交換能相比擬。其次,由于相當(dāng)長的時(shí)間間隔,它接近于由于海森伯格的測不準(zhǔn)原理引起的能量的不確定度。
物理學(xué)中流行的方法是從電子和不帶電的原子核出發(fā),因?yàn)樗鼈兪且幌盗凶杂傻钠矫娌ńM成的波包,可以具有任意能量,并在帶電后衰減。這導(dǎo)致了布拉格反射和帶結(jié)構(gòu)。
請問一下二級(jí)結(jié)構(gòu)師考試只能帶規(guī)范,不能帶復(fù)印資料嗎?
資料隨便帶吧~我考的時(shí)候看到有人還把施嵐清的指南和習(xí)題都帶進(jìn)去了呢(還都是影印版的)。規(guī)范在考試報(bào)名的時(shí)候會(huì)有一個(gè)附件,告訴你考哪些規(guī)范,都是什么版本的。其實(shí)呢,根據(jù)我的經(jīng)驗(yàn),帶什么都是浮云,把規(guī)范翻...
BIM的應(yīng)用可以帶來五大好處:1、減少糾紛BIM 最直觀的特點(diǎn)在于三維可視化,降低識(shí)圖誤差,利用 BIM 的三維技術(shù)在前期進(jìn)行碰撞檢查,直觀解決空間關(guān)系沖突,優(yōu)化工程設(shè)計(jì),減少在建筑施工階段可能存在的...
多去現(xiàn)場結(jié)合圖紙理解圖紙表達(dá)的意思,首要的是要看懂圖紙,軟件的話多看視頻教程,看完一遍就自己操作一遍,哪里不會(huì)的再會(huì)過去再看一遍,不要急慢慢來,都是那樣一點(diǎn)一點(diǎn)過來的。
根據(jù)半導(dǎo)體中電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶的路徑不同,可以將半導(dǎo)體分為直接帶隙半導(dǎo)體和間接帶隙半導(dǎo)體。圖2(a)顯示的躍遷中,電子的波矢可以看作是不變的,對應(yīng)電子躍遷發(fā)生在導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂在k空間相同點(diǎn)的情況,導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂處于k空間相同點(diǎn)的半導(dǎo)體通常被稱為直接帶隙半導(dǎo)體。從圖2中(b)顯示的電子躍遷路徑中可以看出,電子在躍遷時(shí)k值發(fā)生了變化,這意味著電子躍遷前后在k空間的位置不一樣了,導(dǎo)帶底和價(jià)帶頂處于不同k空間點(diǎn)的半導(dǎo)體通常被稱為間接帶隙半導(dǎo)體。對于間接帶隙半導(dǎo)體會(huì)導(dǎo)致極大的幾率將能量釋放給晶格,轉(zhuǎn)化為聲子,變成熱能釋放掉,而直接帶隙中的電子躍遷前后只有能量變化,而無位置變化,于是便有更大的幾率將能量以光子的形式釋放出來。因此在制備光學(xué)器件中,通常選用直接帶隙半導(dǎo)體,而不是間接帶隙半導(dǎo)體。
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硅晶體能帶結(jié)構(gòu)的第一性原理計(jì)算 班級(jí):材料科學(xué)與工程 3班 學(xué)號(hào):3015208064 姓名:黃慧明 一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?通過實(shí)際操作初步的了解和掌握 Materials Studio,基本掌握 CASTEP模塊 的操作步驟。通過學(xué)習(xí) Materials Studio 軟件,能夠獨(dú)立的進(jìn)行簡單的固體結(jié) 構(gòu)模型的構(gòu)造和相關(guān)電子結(jié)構(gòu)的計(jì)算和分析。 加深對課堂知識(shí)的直觀認(rèn)識(shí), 包括 能帶結(jié)構(gòu)和相關(guān)的基本概念等。 二、實(shí)驗(yàn)原理 第一性原理的理論計(jì)算的主要理論基礎(chǔ)是量子力學(xué)的基本方程和相對論效 應(yīng),在第一性原理發(fā)展過程中,相繼提出變分原理、泡利不相容原理、密度泛函 理論等。其基本思路就是它的基本思想, 是將多原子構(gòu)成的實(shí)際體系理解為由電 子和原子構(gòu)成的多粒子系統(tǒng), 運(yùn)用量子力學(xué)等基本物理原理最大限度的對問題進(jìn) 行“非經(jīng)驗(yàn)”處理。在第一性原理的計(jì)算過程中運(yùn)用了三個(gè)近似:非相對論近似 (忽略了電子運(yùn)動(dòng)的相對論
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能源與環(huán)境是保證人類社會(huì)可持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)和關(guān)鍵,是當(dāng)今世界各國關(guān)注的熱點(diǎn)問題。這一方面是因?yàn)槲覀內(nèi)祟惿鐣?huì)進(jìn)步與發(fā)展所依賴的能源是有限的,正在面臨著枯竭的危險(xiǎn),另一方面是因?yàn)槿祟惸茉聪M(fèi)過程幾乎不可避免地對我們的環(huán)境造成一定的影響。實(shí)際上,環(huán)境污染問題的產(chǎn)生大多與用能過程有關(guān)。所以,如何提高用能水平,減少能源消費(fèi)給環(huán)境帶來的污染,改善我們的生存環(huán)境已經(jīng)成為迫在
固體材料的能帶結(jié)構(gòu)由多條能帶組成,能帶分為傳導(dǎo)帶(簡稱導(dǎo)帶)、價(jià)電帶(簡稱價(jià)帶)和禁帶等,導(dǎo)帶和價(jià)帶間的空隙稱為能隙。
能帶結(jié)構(gòu)可以解釋固體中導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體三大類區(qū)別的由來。材料的導(dǎo)電性是由“傳導(dǎo)帶”中含有的電子數(shù)量決定。當(dāng)電子從“價(jià)帶”獲得能量而跳躍至“傳導(dǎo)帶”時(shí),電子就可以在帶間任意移動(dòng)而導(dǎo)電。
一般常見的金屬材料,因?yàn)槠鋫鲗?dǎo)帶與價(jià)帶之間的“能隙”非常小,在室溫下 電子很容易獲得能量而跳躍至傳導(dǎo)帶而導(dǎo)電,而絕緣材料則因?yàn)槟芟逗艽螅ㄍǔ4笥?電子伏特),電子很難跳躍至傳導(dǎo)帶,所以無法導(dǎo)電。一般半導(dǎo)體材料的能隙約為1至3電子伏特,介于導(dǎo)體和絕緣體之間。因此只要給予適當(dāng)條件的能量激發(fā),或是改變其能隙之間距,此材料就能導(dǎo)電。
分子計(jì)算中的布居分析方法不能直接應(yīng)用于能帶計(jì)算,分析能帶結(jié)構(gòu)引入了一系列的方法,這些方法一般都表示成圖線,圖線上的數(shù)據(jù)源于對k空間中各個(gè)點(diǎn)的計(jì)算結(jié)果。計(jì)算大量的點(diǎn)可以得到很好的圖線,但為了節(jié)省計(jì)算時(shí)間可以加大取點(diǎn)間隔,然后用內(nèi)插法平滑曲線。通常謹(jǐn)慎的做法是逐次加大取點(diǎn)緊密程度計(jì)算幾次,看看圖線是否有顯著變化。
一個(gè)重要的問題是,一個(gè)給定能級(jí)有多少可能的軌道。這可以用態(tài)密度圖(DOS)來表示,?
圖34.2。圖中往往用虛線來表示費(fèi)米(Fermi)能級(jí)。具有半滿能帶的材料是導(dǎo)體,但如果它們只有少量的未充滿的軌道,就可能是不良導(dǎo)體。有時(shí)特別軌道對DOS的貢獻(xiàn)會(huì)在同一張圖上用陰影區(qū)域或虛線畫出。
另一個(gè)問題是被充滿的軌道是成鍵性的還是反鍵性的。這可用晶體軌道重疊分布圖(COOP)來表示,如圖34.3。一般正的成鍵區(qū)域畫在零值線的右邊。
費(fèi)米能級(jí)是填充軌道的最高能級(jí),類似于HOMO能級(jí)。如果軌道是半充滿的,其能級(jí)就會(huì)出現(xiàn)在k空間的點(diǎn)的集合上,稱為費(fèi)米面。
晶體計(jì)算方面的進(jìn)展沒有分子計(jì)算方面的多。經(jīng)常計(jì)算的一個(gè)性質(zhì)是體積彈性模量,它反映了材料的強(qiáng)度。
在預(yù)測熱力學(xué)條件下會(huì)形成什么產(chǎn)物時(shí),可能需要預(yù)測哪種晶體結(jié)構(gòu)最穩(wěn)定,這是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。到目前為止,還沒有提出一個(gè)完全自動(dòng)的的方法試遍由特定的元素集合組成的所有可能的晶體結(jié)構(gòu)。即便這種嘗試可以實(shí)現(xiàn),進(jìn)行計(jì)算所需要消耗的電能也是巨大的。這樣的研究經(jīng)常用于測試一系列相似的結(jié)構(gòu),結(jié)果無論如何總是正確的。能量最小化也會(huì)用到,但須保證起始結(jié)構(gòu)具有正確的對稱性。
有時(shí)并不只對無限體系感興趣,更關(guān)心于晶體中的異類物質(zhì),比如晶體吸收的額外的原子。
這時(shí)晶體的無限平移對稱性并不嚴(yán)格正確。最廣泛應(yīng)用的模擬方法是Mott-Littleton缺陷方法,這是用來進(jìn)行晶格局部區(qū)域能量最小化的一種方法。這種方法包含了對晶體中其余部分所受的極化的連續(xù)性描述。
在分子中可能的電子能級(jí)是分立的、量子化的。但分子變得更大時(shí),這些能級(jí)相互就會(huì)靠得更近。在晶體里能級(jí)之間靠得非常近以致于形成了連續(xù)的帶子,這些帶子的能量具有實(shí)際的利用目的。因此,晶體的電子結(jié)構(gòu)可以用其能帶結(jié)構(gòu)來描述。
能帶的數(shù)學(xué)描述無限晶體的電子結(jié)構(gòu)用能帶圖來描述,能帶圖給出k空間--叫作布里(Brillouin)淵區(qū)--中各點(diǎn)的電子軌道的能量。這與角分辨光電子能譜實(shí)驗(yàn)結(jié)果相一致。
k空間不是一個(gè)物理空間,它是對軌道成鍵性質(zhì)的一種描述。一個(gè)無限長的原子鏈中,軌道?
相位可以是從全成鍵到全反鍵(這兩個(gè)極端情況分
別記為k=0和k=π/a)之間的任何狀態(tài)。其中有時(shí)是一條直線有三個(gè)成鍵原子再接著一個(gè)反?
的原子的結(jié)合方式或者其他什么結(jié)合方式。定義了
k空間后,對于某些原子k=0對應(yīng)于全成鍵的對稱性,而對于其他原子則是全反鍵對稱的,這
取決于原子軌道的對稱性。
對于三維晶體k空間是三維的,(kx,ky,kz)。k空間中的某些點(diǎn)具有特定的名稱。在各維
空間中,符號(hào)"Γ"指的都是k=0的點(diǎn),"Μ"指的
都是k=π/a的點(diǎn)。"Χ"、"Y"、"Κ"和"Α"指的是k=0在某些方向上以及k=π/a在其
他方向上的點(diǎn),這取決于晶體的對稱性。典型的能
帶結(jié)構(gòu)圖--稱為spaghetti圖--畫出了沿著這些k點(diǎn)所對應(yīng)的軌道能量,見圖34.1。這些
符號(hào)在參考文獻(xiàn)中有更相詳細(xì)地討論。
由于軌道展開成了能帶,用于形成σ鍵或σ反鍵的軌道就展開成更寬的能帶,π軌道則形成
更窄的能帶,而δ軌道則形成最窄的軌道。
有時(shí)候研究者只需要知道晶體的帶隙。一旦一條完整的能帶計(jì)算出來,通過觀察自然就很容
易知道帶隙了。但是計(jì)算全部能帶可能會(huì)花費(fèi)大量的工作,得到許多不必要的信息。估算帶隙有一些方法,但并不完全可靠。
只在布里淵區(qū)的Μ、Κ、Χ和Γ點(diǎn)進(jìn)行能帶結(jié)構(gòu)計(jì)算還不足以形成一條能帶,因?yàn)槿魏谓o定的能帶的能量極小點(diǎn)和極大點(diǎn)有時(shí)會(huì)落在這些k點(diǎn)之間。如果計(jì)算方法需要較高級(jí)別的CPU計(jì)算,有時(shí)就會(huì)進(jìn)行這樣的有限計(jì)算。例如,在確定?否有必要進(jìn)行高級(jí)別的完全計(jì)算時(shí),就有可能先進(jìn)行這種選點(diǎn)的高級(jí)別計(jì)算。
有些研究者用分子的計(jì)算結(jié)果來估計(jì)從HOMO到LUMO的帶隙。當(dāng)分子變得更大時(shí),這種帶隙會(huì)變得更小,因此就有可能對一些按大小遞增的分子進(jìn)行量子力學(xué)計(jì)算,然后通過外推預(yù)測無限體系的帶隙,這對于通常不是晶體的聚合物很有用。這些體系也用到一維能帶結(jié)構(gòu),因此必須假定它們是晶體或者至少是高度的有序的。
從頭算和半經(jīng)驗(yàn)計(jì)算可以得出能量,因而可以用來計(jì)算能帶結(jié)構(gòu)。但是如果計(jì)算一個(gè)分子的能量耗時(shí)較長,那么計(jì)算布里淵區(qū)的一系列點(diǎn)則耗時(shí)更長,要是不需要太精確的結(jié)果,可以選用擴(kuò)展休克爾方法來計(jì)算。在能帶計(jì)算中擴(kuò)展休克爾方法有時(shí)叫作緊束縛近似。近年來更傾向于使用從頭算或密度泛函(DFT)方法。
就象分子計(jì)算那樣,從頭算需要用基組和一定的方法來計(jì)算能量,但計(jì)算能帶時(shí)基組的選擇與計(jì)算分子時(shí)有些不同。擁有彌散函數(shù)的大基組在相鄰的晶胞之間由于存在較大的重疊而發(fā)生收縮,這會(huì)造成線性相關(guān)性,使得方程不能自洽求解,為此常常用中小基組來解決上述問題。用于分子計(jì)算的原子軌道線性組合(LCAO)方案也可用于晶體的計(jì)算,但這并不是唯一的選擇。
事實(shí)上,以原子為中心的基函數(shù)組成布洛赫(Bloch)函數(shù),布洛赫(Bloch)函數(shù)滿足體系的平移對稱性,但仍然使用LCAO的叫法。
其他有關(guān)基組的流行方法時(shí)平面波函數(shù)方法。之所以提出平面波是因?yàn)槠矫娌ǚ从沉司w的無限平移對稱性。最早的平面波計(jì)算假定薛定諤方程在每個(gè)原子的附近區(qū)域是球?qū)ΨQ的(松餅罐頭勢),但卻無法保證電荷守恒。對于離子晶體松餅罐頭計(jì)算能給出合理結(jié)果,但隨著計(jì)算技術(shù)和硬件的發(fā)展,使人們可以進(jìn)行更加精確可靠的計(jì)算,也就不再采用松餅罐頭方法了。還在使用的一種方法是擴(kuò)展平面波(APW)方法,是在Vigner-Seitz晶胞上的晶胞計(jì)算。某些類型的問題有許多其他基函數(shù)方法。
非常復(fù)雜的體系都已經(jīng)進(jìn)行了能帶結(jié)構(gòu)的計(jì)算,然而大多數(shù)軟件都不夠自動(dòng)化或不夠快,不足以用于臨時(shí)進(jìn)行能帶計(jì)算。計(jì)算能帶的程序的輸入比大多數(shù)計(jì)算分子的程序要復(fù)雜得多。分子幾何構(gòu)型的輸入采用分?jǐn)?shù)坐標(biāo),還必須提供原胞格子矢量和晶體學(xué)角度,還可能有必要提供k點(diǎn)的列表及其簡并度。檢查各個(gè)輸入中控制收斂的選項(xiàng)對于計(jì)算精度的影響是最保險(xiǎn)的措施,軟件附帶的手冊可能會(huì)給出一些推薦值。研究者要想完成能帶計(jì)算應(yīng)當(dāng)投入大量時(shí)間,尤其在學(xué)習(xí)使用軟件階段。
正如上面所提到的,隨著時(shí)間推移人們傾向的模擬晶體的計(jì)算方法是不斷變化的。下面是基函數(shù)方法的列表,按照出現(xiàn)的先后順序排列:
1. 原子軌道線性組合方法(LCAO)
2. 擴(kuò)展平面波方法(APW)
3. Korringa、Kohn和Rostoker的格林(Green)函數(shù)方法(有時(shí)叫作KKR方法)
4. 正交平面波方法(OPW)
5. 贗勢方法
6. 各種近似或經(jīng)驗(yàn)方法
任何基于軌道的方法都可用來計(jì)算晶體結(jié)構(gòu),而趨勢是向著更加精確的方法。一些APW和格函數(shù)方法使用了經(jīng)驗(yàn)參數(shù),因而將它們劃到半經(jīng)驗(yàn)方法中去。按照使用偏好的順序,最常用的方法是:
1. 半自洽從頭算方法或DFT方法
2. 半經(jīng)驗(yàn)方法
3. 使用專門的或模擬的勢能的方法