納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發(fā)射特性基本信息

中文名 納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發(fā)射特性 項目類別 面上項目
項目負責(zé)人 劉技文 依托單位 天津理工大學(xué)

采用射頻磁控濺射隨后退火或襯底原位加熱制備納米米晶及稀土摻雜納米晶碳化硅薄膜，研究生長機理、納米尺度、微結(jié)構(gòu)和界面效應(yīng)、摻雜種類和密度影響光發(fā)射和場發(fā)射的規(guī)律，通過改變以上條件，消除光發(fā)射溫度猝滅效應(yīng)，提高藍光發(fā)射效率；調(diào)整電子親和勢，使其具有低閾值、強場發(fā)射特性，為發(fā)光器件、激光器件和平板顯示開拓全新的半導(dǎo)體材料。.

納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發(fā)射特性造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
（除稅）		 工程建議價
（除稅）		 行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
信息價		 含稅
信息價		 行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
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材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
（元）		 供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
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批準號

10074049

項目名稱

納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發(fā)射特性

項目類別

面上項目

申請代碼

A2001

項目負責(zé)人

劉技文

負責(zé)人職稱

教授

依托單位

天津理工大學(xué)

研究期限

2001-01-01 至 2003-12-31

支持經(jīng)費

19（萬元）

納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發(fā)射特性常見問題

  • 碳化硅陶瓷的制備工藝是怎樣的？

    碳化硅陶瓷一般是反應(yīng)燒結(jié)的，也就是用碳化硅粉料加碳粉和粘結(jié)劑后成型，在1800-2000℃高溫下與金屬硅反應(yīng)形成碳化硅陶瓷。 碳化硅(SiC)因其很大的硬度而成為一種重要的磨料，但其應(yīng)用范圍卻超過一般...

  • 碳化硅的價格

    碳化硅 SiC >99% 8000元/噸 以上 SiC <98% 3800-4200元/噸價格近期來不是很穩(wěn)定，買賣都需慎重

  • 碳化硅陶瓷的性能特點，碳化硅陶瓷的好處有哪些

    碳化硅材料作為應(yīng)用領(lǐng)域最為廣泛的一種新型材料，越來越多被應(yīng)用于碳化硅陶瓷生產(chǎn)方面。碳化硅陶瓷產(chǎn)品具有以下優(yōu)點：1、耐化學(xué)腐蝕；2、耐高溫，正常使用在1800℃；3、耐驟冷驟熱，不易炸裂；4、可重復(fù)使用...

納米碳化硅薄膜的制備、稀土摻雜及光電發(fā)射特性文獻

碳化硅生產(chǎn)新工藝,碳化硅制備加工配方設(shè)計,碳化硅技術(shù)專利全集 碳化硅生產(chǎn)新工藝,碳化硅制備加工配方設(shè)計,碳化硅技術(shù)專利全集

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頁數(shù)： 17頁

評分： 4.4

碳化硅生產(chǎn)新工藝與制備加工配方設(shè)計及技術(shù)專利全集 主編：國家專利局編寫組 出版發(fā)行：中國知識出版社 2011年 規(guī)格：全四卷 16 開精裝 +1張 CD光盤 定價： 1180元 優(yōu)惠價： 680元 詳細目錄 1 200410030786.8 鋁電解槽側(cè)墻用氮化硅結(jié)合碳化硅耐火磚及其制 備方法 2 200410023747.5 一種向缸套鉻層內(nèi)部擠入碳化硅的方法 3 200410012271.5 一種制備碳化硅納米纖維的方法 4 200410020538.5 黑色碳化硅冶煉降低單位耗料的工藝 5 200410026085.7 一種碳化硅發(fā)熱元件冷端部的制造方法 6 200410026086.1 酚醛樹脂作為結(jié)合劑的碳化硅陶瓷常溫擠壓成形 方法 7 02822412.4 大面積碳化硅器件及其制造方法 8 03125220.6 摻加助劑熱壓燒結(jié)塊體鈦碳化硅陶瓷材料的方法 9 03138926.0

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碳化硅鋁復(fù)合材料的制備 碳化硅鋁復(fù)合材料的制備

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大小：438KB

頁數(shù)： 37頁

評分： 4.4

1 論文題目： 碳化硅鋁復(fù)合材料的制備 專 業(yè)：材料科學(xué)與工程 學(xué) 生：段紅偉 簽名 : 指導(dǎo)老師：王濤 簽名： 摘要 碳化硅顆粒增強鋁基復(fù)合材料 ( SiCp / Al 復(fù)合材料 ) 具有高比強度和比剛 度、耐磨、耐疲勞、低熱膨脹系數(shù)、低密度、高微屈服強度、良好的尺寸穩(wěn)定性 和導(dǎo)熱性、優(yōu)異的力學(xué)性能和物理性能。 本文采用粉末冶金法制備 SiCp復(fù)合材料。使用X射線衍射儀 (XRD)、掃描電鏡 (SEM)，抗折強度試驗，洛氏硬度實驗以及密度，吸水率，氣孔率實驗等方法研 究碳化硅鋁復(fù)合材料的微觀結(jié)構(gòu)、 性能特點和機理。 得到實驗結(jié)果為 SiCp復(fù)合材 料組織均勻，致密，無雜質(zhì)，氣孔少等優(yōu)良特點。隨著 SiC復(fù)合材料質(zhì)量分數(shù)的 增加， SiCp的密度、抗折強度、硬度均相應(yīng)增大，而氣孔率、吸水率隨之減小。 SiC質(zhì)量分數(shù)一定的情況下，隨著燒結(jié)溫度的升高試樣的性能也越來越好。 關(guān) 鍵 字：

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批準號

59672015

項目名稱

稀土摻雜納米材料的合成及其光存儲特性

項目類別

面上項目

申請代碼

E0206

項目負責(zé)人

湯國慶

負責(zé)人職稱

教授

依托單位

南開大學(xué)

研究期限

1997-01-01 至 1999-12-31

支持經(jīng)費

10（萬元）

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氧氮化物熒光粉具有優(yōu)良的物理和化學(xué)穩(wěn)定性，是白光LED照明中理想的光轉(zhuǎn)換材料。Al2O3-AlN二元體系中含有大量的AlON多形體,而基于這些多形體的熒光材料還未被報道,因此,可望從中發(fā)現(xiàn)新型高效、穩(wěn)定的氧氮化物熒光粉。本項目針對傳統(tǒng)高溫固相法所具有的合成溫度高、產(chǎn)物相不純等缺點，通過特殊的制備方法-高能球磨法在較低的合成溫度下制備出一系列稀土摻雜的AlON多形體熒光粉，研究他們的發(fā)光和結(jié)構(gòu)性質(zhì)，優(yōu)化高能球磨參數(shù)、燒結(jié)溫度、保溫時間、稀土摻雜濃度以及退火工藝。通過分析XRD, PL, EDS、TEM、XAFS等結(jié)果，揭示稀土離子在基質(zhì)中的價態(tài)信息和配位環(huán)境，并結(jié)合第一性原理理論計算進行進一步驗證。上述結(jié)構(gòu)信息為進一步提高發(fā)光性能提供理論指導(dǎo)。把所得熒光粉涂覆在匹配的LED芯片上，考察熒光粉的實際應(yīng)用效果。本項目通過實驗和理論計算相結(jié)合，最終獲得基于新型基質(zhì)的性質(zhì)優(yōu)異的氧氮化物熒光粉。

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利用化學(xué)法制備新型摻雜稀土納米發(fā)光材料及對熒光粉表面的修飾，包覆抗紫外線照射的化合物。探討樣品的合成機理，研究化學(xué)組成與樣品結(jié)構(gòu)性能的內(nèi)在關(guān)系。利用光譜實驗研究樣品的光學(xué)性能，如：納米晶的激發(fā)、輻射和無輻射過程中，摻雜離子的特征發(fā)光性能和發(fā)光效率；納米晶本征電子激發(fā)態(tài)與摻雜離子電子態(tài)的相互作用；影響摻雜離子激發(fā)態(tài)壽命的各種機制；納米晶的顆粒大小對這些相互作用的影響。開發(fā)新型的發(fā)光材料。

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