在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間夾著一層本征半導(dǎo)體。因為本征層相對于P區(qū)和N區(qū)是高阻區(qū),這樣PN結(jié)的內(nèi)電場就基本上全集中于 I 層中。
在上述的光電二極管的PN結(jié)中間摻入一層濃度很低的I型半導(dǎo)體,就可以增大耗盡區(qū)的寬度,達(dá)到減小擴(kuò)散運動的影響,提高響應(yīng)速度的目的。由于這一摻入層的摻雜濃度低,近乎本征(Intrinsic)半導(dǎo)體,故稱I層,因此這種結(jié)構(gòu)成為PIN光電二極管。I層較厚,幾乎占據(jù)了整個耗盡區(qū)。絕大部分的入射光在I層內(nèi)被吸收并產(chǎn)生大量的電子-空穴對。在I層兩側(cè)是摻雜濃度很高的P型和N型半導(dǎo)體,P層和N層很薄,吸收入射光的比例很小。因而光產(chǎn)生電流中漂移分量占了主導(dǎo)地位,這就大大加快了響應(yīng)速度。
本征層的引入,明顯增大了p 區(qū)的耗盡層的厚度,這有利于縮短載流子的擴(kuò)散過程。耗盡層的加寬,也可以明顯減少結(jié)電容,從而使電路常數(shù)減小。同時耗盡加寬還有利于對長波區(qū)的吸收。性能良好的PIN光電二極管,擴(kuò)散和漂移時間一般在10-10s數(shù)量級,頻率響應(yīng)在千兆赫茲。實際應(yīng)用中決定光電二極管的頻率響應(yīng)的主要因素是電路的時間常數(shù)。合理選擇負(fù)載電阻是一個很重要的問題。
簡單來說,光電二極管不能放大信號,光電倍增管能放大信號,因此一般用作微弱光的檢測。 1.首先原理是不同的。 光電二極管是利用的半導(dǎo)體的能帶理論,當(dāng)光照射光電二極管時,光的能量大于帶隙能量時,價電子帶的...
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Vce=10V H=100lx時,光電流典型值IL=1.5mA Vce =10V時,暗電流最大值ID=100nA 這是我公司...
1、光電二極管和它的負(fù)載電阻RC的時間常數(shù)。
2、載流子在度越區(qū)的耗盡時間。
3、耗盡區(qū)外產(chǎn)生的載流子由于擴(kuò)散而產(chǎn)生的時間延遲。
頻帶寬(可達(dá)10GHz)
靈敏度高
線性輸出范圍寬
噪聲低2100433B
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一、光電二極管前置放大器設(shè)計
了解了以上的三點,在這里,PIN針在連接器中的作用是什么?相信就不難解決了。一般,PIN針在連接器中,最為明顯的兩個作用是完成電(信號)的導(dǎo)電(傳輸)。2100433B
p-i-n光電二極管, p-i-n Photo-Diode (pin-PD):
這是一種靈敏度比一般p-n結(jié)光(電)二極管(PD)要高的光檢測二極管,它是針對一般PD的不足、在結(jié)構(gòu)上加以改進(jìn)而得到的一種光電二極管。
由于PIN二極管可以根據(jù)不同的射頻微波信號表現(xiàn)出不同阻抗特性,因此,利用直流電平信號對射頻微波信號進(jìn)行控制,從而控制PIN二極管的阻抗,實現(xiàn)電路開關(guān)的功能。實際中,PIN二極管用作射頻開關(guān)均會產(chǎn)生一定的電抗和損耗電阻,應(yīng)用中要求將降低這些影響。
衰減器的主要作用是探知系統(tǒng)插損的電路,例如Pi型T型插損探知衰減電路,電阻網(wǎng)絡(luò)即可作為簡單的衰減器。衰減器在射頻電路中廣泛使用,不僅可以隔離兩個放大級,而且可以通過對衰減器的控制從而達(dá)到信道APC和AGC的功能。
將兩個相同的PIN二極管串聯(lián),相當(dāng)于衰減模型的串聯(lián)電阻,這樣使得衰減電路的動態(tài)范圍明顯增加,偶次失真被消除。另外,也簡化了匹配和偏置電路,但是也增加了插入電路的耗損。在此電路中,控制衰減電壓幅度,可以實現(xiàn)控制射頻信號的衰減。
PIN二極管對于射頻信號可以表現(xiàn)出不同的衰減程度,可以利用這一特性設(shè)計出AM調(diào)制電路。由RF或微波單頻信號等射頻載波信號以及低頻調(diào)制信號(一般在DC-10MHz范圍內(nèi))共同完成其調(diào)制過程。PIN二極管偏置電流由低頻調(diào)制信號進(jìn)行控制,通過PIN二極管的載波幅度大小的變化而產(chǎn)生調(diào)制波形。 2100433B