取向硅鋼低成本高效率制造流程的抑制劑行為研究基本信息

本項(xiàng)目針對(duì)取向硅鋼低成本高效率制造工藝流程中關(guān)鍵的高溫連續(xù)退火技術(shù)，以鑄坯低溫加熱工藝的抑制劑方案為基礎(chǔ)，提出單質(zhì)抑制元素＋熱軋過程制備抑制劑＋高溫退火過程制備抑制劑的抑制劑方案，強(qiáng)化對(duì)抑制力的動(dòng)態(tài)控制能力。揭示高溫連續(xù)退火過程中抑制力演變以及Goss晶粒異常長(zhǎng)大的熱力學(xué)與動(dòng)力學(xué)特征，闡明高溫連續(xù)退火工藝下初次再結(jié)晶組織結(jié)構(gòu)特征與抑制劑行為、二次再結(jié)晶行為三者間的關(guān)聯(lián)規(guī)律，提出適應(yīng)高溫連續(xù)退火的抑制劑行為及初次再結(jié)晶組織結(jié)構(gòu)的控制方法，為形成兼具鑄坯低溫加熱和高溫連續(xù)退火兩大優(yōu)勢(shì)的取向硅鋼低成本高效率制造新技術(shù)奠定重要基礎(chǔ)。 2100433B

為了獲得高轉(zhuǎn)化效率和低成本的玻璃襯底多晶硅薄膜太陽(yáng)能電池，必須開發(fā)出低缺陷密度的多晶硅薄膜的低溫生長(zhǎng)工藝，同時(shí)為了降低整個(gè)電池模塊的制作成本，應(yīng)綜合考慮單個(gè)電池的制作工藝和電池之間的互聯(lián)工藝的兼容性，因此，本項(xiàng)目從下面幾個(gè)方面展開研究：（1）設(shè)計(jì)鋁誘導(dǎo)玻璃表面粗化的光俘獲結(jié)構(gòu)，增強(qiáng)電池表面對(duì)光的吸收；（2）采用鋁誘導(dǎo)非晶硅晶化作為多晶硅的種子層，研究晶化工藝與種子層質(zhì)量的關(guān)系；（3）利用低溫外延加厚并固相晶化的方法獲得多晶硅薄膜，并利用等離子體氫化處理以改善薄膜的電學(xué)輸運(yùn)特性，探尋多晶硅薄膜中限制傳輸性質(zhì)（如擴(kuò)散長(zhǎng)度）的因素（如晶粒尺寸、晶粒間界等）；（4）提出背接觸式的薄膜電池的電極設(shè)計(jì)方案，應(yīng)用載流子輸運(yùn)模型，研究電池的設(shè)計(jì)參數(shù)和材料特性等與電池的短路電流和開路電壓等特性參數(shù)之間的關(guān)系，以達(dá)到優(yōu)化電池設(shè)計(jì)的目的，簡(jiǎn)化電池的互聯(lián)工藝。