產(chǎn)品種類:數(shù)字晶體管 RoHS: 詳細信息 配置:Single 晶體管極性:NPN 典型輸入電阻器:47 KOhm 典型電阻器比率:1 封裝 / 箱體:SC-59 直流電流增益 hFE 最小值:68 集電極連續(xù)電流:30 mA 峰值直流集電極電流:100 mA 功率耗散:200 mW 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Reel 電流增益帶寬 fT:250 MHz 最小工作溫度:- 55 C 安裝風格:SMD/SMT

數(shù)字晶體管造價信息

市場價 信息價 詢價
材料名稱 規(guī)格/型號 市場價
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行情 品牌 單位 稅率 供應(yīng)商 報價日期
CPU224晶體管 CPU224, DC PS, 14DE DC/10DA DC-CN 查看價格 查看價格

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CPU226晶體管 CPU226, DC PS, 24DE DC/16DA DC-CN 查看價格 查看價格

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CPU222晶體管 CPU222, DC 24V, 8DE DC/6DA DC-CN 查看價格 查看價格

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CPU224XP晶體管 CPU224XP, DC PS, 14DE DC/10DA DC/2AE/1AA 查看價格 查看價格

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晶體管圖示儀 XJ-4810 查看價格 查看價格

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晶體管圖示儀 XJ-4810A 查看價格 查看價格

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晶體管圖示儀 8J4830 查看價格 查看價格

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晶體管圖示儀 DW4822 查看價格 查看價格

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材料名稱 規(guī)格/型號 除稅
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行情 品牌 單位 稅率 地區(qū)/時間
自發(fā)電一焊機 305A 查看價格 查看價格

臺班 韶關(guān)市2010年8月信息價
二氧化碳氣保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 汕頭市2011年3季度信息價
二氧化碳氣保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 廣州市2010年3季度信息價
二氧化碳氣保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 汕頭市2010年2季度信息價
二氧化碳氣保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 廣州市2010年2季度信息價
二氧化碳氣保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 廣州市2010年1季度信息價
二氧化碳氣保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 汕頭市2009年3季度信息價
二氧化碳氣保護焊機 電流250A 查看價格 查看價格

臺班 廣州市2007年4季度信息價
材料名稱 規(guī)格/需求量 報價數(shù) 最新報價
(元)
供應(yīng)商 報價地區(qū) 最新報價時間
晶體管圖示儀 BJ4811A|10臺 1 查看價格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-12-20
晶體管測試儀 HP3326A|10臺 1 查看價格 北京無線電儀器廠 北京  北京市 2015-12-18
晶體管圖示儀 XJ-4810A|5臺 1 查看價格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-10-21
晶體管話筒U87Ai 技術(shù)指標: 聲音工作原理:壓力梯度傳感器 指向性:全向性,心型,8字型 頻響:20Hz-20KHz 靈敏度(1KHz-1KOHM):20/28/22mVPa × 輸出阻抗:200ohms 負載阻抗:1000ohms 靈敏度(CCIR486-3):26/23/25dB-A× 靈敏度(DIN/IEC 651):15/12/14dB-A× S/N比(CCIR 486-3):68/71/69dB× S/N比(DIN/IEC 651):79/82/80dB× 最大聲壓級(THD小于0.5%):117dB(心型) 最大聲壓級(THD 小于0.5%,預衰減):127dB 最大輸出電壓:390Mv 麥克風傳感器(DIN/IEC651)動態(tài)范圍:105dB 電壓:48v+4V 電流:0.8mA 接頭:XLR3F 重量:500克 直徑|2只 1 查看價格 北京樂城仕國際科技有限公司 重慶  重慶市 2018-07-02
晶體管圖示儀 DW4822|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-10-22
晶體管圖示儀 8J4830|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-09-16
晶體管圖示儀 BJ4814|4臺 1 查看價格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-08-12
晶體管圖示儀 XJ-4810|5臺 1 查看價格 成都天大儀器設(shè)備有限公司 四川  成都市 2015-04-07

數(shù)字晶體管概述常見問題

  • 晶體管是什么

    晶體管(transistor)是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,開關(guān)速度可以非常之快,在實驗室...

  • 單極型晶體管?

    只用一種載流子進行導電的晶體管稱為單極型晶體管。

  • 晶體管集成的問題

    晶體管是統(tǒng)稱。三極管是其中一種,三極管是雙極型晶體管,體積較大,電流也較大。你說看到的三極管是分離原件,內(nèi)部芯片也是很小的,一般在1平方毫米至5平方毫米,其他的是外殼,分離原件相對集成電路來說功率是大...

數(shù)字晶體管概述文獻

塑料基底晶體管 塑料基底晶體管

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頁數(shù): 2頁

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晶體管制造一般是用玻璃作基底材料。這有利于在多變的環(huán)境下保持穩(wěn)定,從而保證用電設(shè)備所需的電流。據(jù)美國物理學家組織網(wǎng)報道,美國佐治亞理工大學研究人員最近開發(fā)出一種雙層界面新型晶體管,性能極為穩(wěn)定,還能在可控的環(huán)境中。

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S波段RF功率晶體管 S波段RF功率晶體管

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評分: 4.7

S波段500WRF器件2729GN~500越于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù),新器件瞄準大功率空中交通管制機場監(jiān)視雷達(ASR)應(yīng)用,ASR用于監(jiān)視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。

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通常簡稱功率晶體管。 其中大容量型又稱巨型晶體管,簡稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件,內(nèi)含數(shù)十至數(shù)百個晶體管單元。圖1是功率晶體管的符號,其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導體的類型,器件被分成NPN型和PNP型兩種,硅功率晶體管多為前者。

改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當?shù)钠珘?,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。

P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。

PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖1所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。

MOS場效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規(guī)模大的集成電路。

晶體管,(transistor),是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。嚴格意義上講,晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。

晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor,BJT)又稱晶體三極管,簡稱三極管,是一種固體半導體器件,可用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等。晶體管作為一種可變開關(guān).基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可用作電流的開關(guān)。和一般機械開關(guān)(如Relay、switch)不同的是:晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度非???,在實驗室中的切換速度可達100吉赫茲以上。

晶體管按其結(jié)構(gòu)分為NPN型和PNP型兩類。晶體管結(jié)構(gòu)與符號如圖所示。它們都有三個區(qū):集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū);從這三個區(qū)引出的電極分別稱為集電極c(Collector)、基極b(Base)和發(fā)射極e(Emitter)。兩個PN結(jié):發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)J,基區(qū)與集電區(qū)之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)J。

兩種管子的電路符號的發(fā)射極箭頭方向不同,箭頭方向表示發(fā)射結(jié)正偏時發(fā)射極電流的實際方向。

應(yīng)當指出,晶體管絕不是兩個PN結(jié)的簡單連接。它采用了以下制造工藝:基區(qū)很薄且摻雜濃度低,發(fā)射區(qū)摻雜濃度高,集電結(jié)面積比發(fā)射結(jié)的面積大等。這些都是為了保證晶體管具有較好的電流放大作用。

由于晶體管在結(jié)構(gòu)上有這些特點,所以不能用兩個二極管背向連接來說明晶體管的作用,在使用時發(fā)射極和集電極一般不能互換。

晶體管種類很多。除上述的按結(jié)構(gòu)分為NPN型和PNP型外,按工作頻率可分為低頻管和高頻管;按功率大小可分為小功率管、中功率管和大功率管;按所用

半導體材料

分為硅管和鍺管;按用途分為放大管和開關(guān)管等。晶體管命名方法參閱附錄B表B一-1。例如3AX31B為鍺材料PNP型低頻小功率晶體管,序號為31,規(guī)格號為B。3DG6C為硅材料NPN型高頻小功率管,序號為6,規(guī)格號為C。3DA2A為硅材料高頻大功率晶體管,序號為2,規(guī)格號為A。

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