產(chǎn)品種類:數(shù)字晶體管 RoHS: 詳細信息 配置:Single 晶體管極性:NPN 典型輸入電阻器:47 KOhm 典型電阻器比率:1 封裝 / 箱體:SC-59 直流電流增益 hFE 最小值:68 集電極連續(xù)電流:30 mA 峰值直流集電極電流:100 mA 功率耗散:200 mW 最大工作溫度:+ 150 C 封裝:Reel 電流增益帶寬 fT:250 MHz 最小工作溫度:- 55 C 安裝風格:SMD/SMT |
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S波段500WRF器件2729GN~500越于碳化硅襯底氮化鎵(GaN on SiC)技術(shù),新器件瞄準大功率空中交通管制機場監(jiān)視雷達(ASR)應(yīng)用,ASR用于監(jiān)視和控制在機場大約100英里范圍的飛機。
通常簡稱功率晶體管。 其中大容量型又稱巨型晶體管,簡稱GTR。功率晶體管一般為功率集成器件,內(nèi)含數(shù)十至數(shù)百個晶體管單元。圖1是功率晶體管的符號,其上e、b、c分別代表發(fā)射極、基極和集電極。按半導體的類型,器件被分成NPN型和PNP型兩種,硅功率晶體管多為前者。
改變柵壓可以改變溝道中的電子密度,從而改變溝道的電阻。這種MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道增強型場效應(yīng)晶體管。如果N型硅襯底表面不加柵壓就已存在P型反型層溝道,加上適當?shù)钠珘?,可使溝道的電阻增大或減小。這樣的MOS場效應(yīng)晶體管稱為P溝道耗盡型場效應(yīng)晶體管。統(tǒng)稱為PMOS晶體管。
P溝道MOS晶體管的空穴遷移率低,因而在MOS晶體管的幾何尺寸和工作電壓絕對值相等的情況下,PMOS晶體管的跨導小于N溝道MOS晶體管。此外,P溝道MOS晶體管閾值電壓的絕對值一般偏高,要求有較高的工作電壓。它的供電電源的電壓大小和極性,與雙極型晶體管——晶體管邏輯電路不兼容。PMOS因邏輯擺幅大,充電放電過程長,加之器件跨導小,所以工作速度更低,在NMOS電路(見N溝道金屬—氧化物—半導體集成電路)出現(xiàn)之后,多數(shù)已為NMOS電路所取代。只是,因PMOS電路工藝簡單,價格便宜,有些中規(guī)模和小規(guī)模數(shù)字控制電路仍采用PMOS電路技術(shù)。
PMOS集成電路是一種適合在低速、低頻領(lǐng)域內(nèi)應(yīng)用的器件。PMOS集成電路采用-24V電壓供電。如圖1所示的CMOS-PMOS接口電路采用兩種電源供電。采用直接接口方式,一般CMOS的電源電壓選擇在10~12V就能滿足PMOS對輸入電平的要求。
MOS場效應(yīng)晶體管具有很高的輸入阻抗,在電路中便于直接耦合,容易制成規(guī)模大的集成電路。
晶體管,(transistor),是一種固體半導體器件,可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關(guān),基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可做為電流的開關(guān),和一般機械開關(guān)(如Relay、switch)不同處在于晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度可以非常之快,在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。嚴格意義上講,晶體管泛指一切以半導體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時多指晶體三極管。
晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor,BJT)又稱晶體三極管,簡稱三極管,是一種固體半導體器件,可用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制等。晶體管作為一種可變開關(guān).基于輸入的電壓,控制流出的電流,因此晶體管可用作電流的開關(guān)。和一般機械開關(guān)(如Relay、switch)不同的是:晶體管是利用電訊號來控制,而且開關(guān)速度非???,在實驗室中的切換速度可達100吉赫茲以上。
晶體管按其結(jié)構(gòu)分為NPN型和PNP型兩類。晶體管結(jié)構(gòu)與符號如圖所示。它們都有三個區(qū):集電區(qū)、基區(qū)、發(fā)射區(qū);從這三個區(qū)引出的電極分別稱為集電極c(Collector)、基極b(Base)和發(fā)射極e(Emitter)。兩個PN結(jié):發(fā)射區(qū)與基區(qū)之間的PN結(jié)稱為發(fā)射結(jié)J,基區(qū)與集電區(qū)之間的PN結(jié)稱為集電結(jié)J。
兩種管子的電路符號的發(fā)射極箭頭方向不同,箭頭方向表示發(fā)射結(jié)正偏時發(fā)射極電流的實際方向。
應(yīng)當指出,晶體管絕不是兩個PN結(jié)的簡單連接。它采用了以下制造工藝:基區(qū)很薄且摻雜濃度低,發(fā)射區(qū)摻雜濃度高,集電結(jié)面積比發(fā)射結(jié)的面積大等。這些都是為了保證晶體管具有較好的電流放大作用。
由于晶體管在結(jié)構(gòu)上有這些特點,所以不能用兩個二極管背向連接來說明晶體管的作用,在使用時發(fā)射極和集電極一般不能互換。
晶體管種類很多。除上述的按結(jié)構(gòu)分為NPN型和PNP型外,按工作頻率可分為低頻管和高頻管;按功率大小可分為小功率管、中功率管和大功率管;按所用
半導體材料
分為硅管和鍺管;按用途分為放大管和開關(guān)管等。晶體管命名方法參閱附錄B表B一-1。例如3AX31B為鍺材料PNP型低頻小功率晶體管,序號為31,規(guī)格號為B。3DG6C為硅材料NPN型高頻小功率管,序號為6,規(guī)格號為C。3DA2A為硅材料高頻大功率晶體管,序號為2,規(guī)格號為A。
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