碳碳復(fù)合材料應(yīng)用領(lǐng)域、制備工藝個(gè)發(fā)展前景

圖書簡介

本書內(nèi)容包括碳/碳復(fù)合材料增強(qiáng)方式現(xiàn)狀、成分、性能分析和制備工藝，生產(chǎn)碳基復(fù)合材料所用的原材料性能分析，碳纖維增強(qiáng)塑料性能的研究，碳纖維增強(qiáng)塑料的成分及其制備工藝的研制，碳/碳和碳/碳/碳化硅復(fù)合材料中基體的制備工藝研究和設(shè)計(jì)，碳/碳和碳/碳/碳化硅體系復(fù)合材料實(shí)際應(yīng)用的理論依據(jù)和成果等。本可供碳基復(fù)合材料領(lǐng)域工作的專家、設(shè)計(jì)和科學(xué)研究院所的工程技術(shù)工作人員使用，也可供相應(yīng)高等院校的研究生和大學(xué)生使用。 2100433B

復(fù)合材料成型工程就業(yè)方向

航空航天領(lǐng)域：復(fù)合材料零件的加工制備及成型、新產(chǎn)品工藝開發(fā)、模具設(shè)計(jì)及加工、產(chǎn)品質(zhì)量監(jiān)控、材料性能測(cè)試等； 機(jī)械、汽車等領(lǐng)域：復(fù)合材料類產(chǎn)品的開發(fā)、加工及質(zhì)量監(jiān)控、生產(chǎn)管理。

復(fù)合材料成型工程專業(yè)銜接

選考學(xué)科建議：3 1 2省份：首選物理，再選化學(xué)。 2100433B

用于制備微米、亞微米和納米磁性隧道結(jié)、磁性隧道結(jié)陣列、TMR磁讀出頭和MRAM方法有光刻和電子束曝光以及離子束刻蝕、化學(xué)反應(yīng)刻蝕、聚焦離子束刻蝕等，其中光刻技術(shù)結(jié)合離子束刻蝕是微加工工藝中具有較低成本、可大規(guī)模生產(chǎn)的首選工藝。因此研究光刻技術(shù)結(jié)合離子束刻蝕方法制備磁性隧道結(jié)，通過優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件，制備出高質(zhì)量的微米和亞微米磁性隧道結(jié)具有很大的實(shí)際應(yīng)用意義。另外，在優(yōu)化制備磁性隧道結(jié)的工藝條件時(shí)，金屬掩模法仍具有低成本、省時(shí)省力、見效快的優(yōu)點(diǎn)。一般情況下，利用狹縫寬度為60-100μm的金屬掩模法從制備磁性隧道結(jié)樣品到完成TMR測(cè)試，只須3-6h因此金屬掩模法制備磁性隧道結(jié)，既可用于快速優(yōu)化實(shí)驗(yàn)和工藝條件，也可以作為采用復(fù)雜工藝和技術(shù)制備微米、亞微米或納米磁性隧道結(jié)之前的預(yù)研制方法。

利用金屬掩模法制備磁性隧道結(jié)，既可用于快速優(yōu)化實(shí)驗(yàn)和工藝條件，又可以作為采用復(fù)雜工藝和技術(shù)制備微米、亞微米或納米磁性隧道結(jié)之前的預(yù)研制方法。而采用光刻技術(shù)中的刻槽和打孔方法及去膠掀離方法制備的磁性隧道結(jié)，經(jīng)過適當(dāng)?shù)耐嘶鹛幚砗罂梢垣@得較高的TMR、較低的RS值以及較小的反轉(zhuǎn)場(chǎng)和較高的偏置場(chǎng)。這樣的隧道結(jié)，可以用于制備MRAM的存儲(chǔ)單元或其他磁敏傳感器的探測(cè)單元。